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公开(公告)号：CN108110099B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201710213823.6
申请日：2017-04-01
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 刘英策 , 宋彬 , 李俊贤 , 吴奇隆 , 汪洋 , 陈凯轩 , 魏振东 , 邬新根 , 周弘毅 , 蔡立鹤 , 黄新茂 , 林志伟 , 李永同 , 吕奇孟 , 蔡和勋 , 李耿成
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，包括：衬底、外延结构、透明导电层、钝化保护层、第一电极和第二电极；透明导电层具有至少一个第一通孔；钝化保护层具有至少一个第二通孔，第二通孔与第一通孔在垂直于衬底的方向上无交叠；第一电极通过贯穿钝化保护层、透明导电层、量子阱发光层和第二半导体层的第三通孔与第一半导体层电连接；第二电极覆盖第一通孔和第二通孔，且第二电极通过第二通孔与透明导电层电连接。在第一通孔对应的区域，第二电极与第二半导体层之间的钝化保护层可以起到电流阻挡的作用，不仅降低了LED芯片的成本，而且提高了LED芯片的发光效率；此外，在第二通孔处可以实现点式发光，进而可以提高LED芯片的亮度。
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公开(公告)号：CN105932034B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610458487.7
申请日：2016-06-23
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 增加ESD保护的LED芯片及其制造方法，涉及LED的生产技术领域。本发明在P极焊盘和第一绝缘层之间的透明导电层上设置图形化的a‑Si层；在部分第一绝缘层和部分图形化的a‑Si层上设置图形化的Drain极层；在透明导电层和另一部分图形化的a‑Si层设置图形化的Source极层；在透明导电层和图形化的Source极层、裸露的a‑Si层、部分图形化的Drain极层上设置第二绝缘层。本发明为可极大提升芯片ESD防护效果，为目前正装结构芯片提供一种具有ESD防护功能结构，该结构相对传统的齐纳二极管组方式更为简单，易于生产，也利于降低生产成本。
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公开(公告)号：CN106098885B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201610557382.7
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种量子点白光发光二极管，包括衬底、N‑GaN层、有源层和P‑GaN层、N电极、P电极和透明电接触层，衬底上依次设置N‑GaN层、有源层、P‑GaN层和透明电接触层，N‑GaN层和P‑GaN层分别与N电极和P电极连接，透明电接触层内具有导电颗粒以及红光、黄光和绿光量子点。本发明将具有红光、黄光、绿光的量子点及导电颗粒的透明电接触层置于P型层之上，形成能够产生多波长荧光的透明电接触层，透明电接触层由氮化镓基发光二极管本身发出的蓝光激发后，实现单颗芯片的白光发光。
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公开(公告)号：CN108110099A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201710213823.6
申请日：2017-04-01
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 刘英策 , 宋彬 , 李俊贤 , 吴奇隆 , 汪洋 , 陈凯轩 , 魏振东 , 邬新根 , 周弘毅 , 蔡立鹤 , 黄新茂 , 林志伟 , 李永同 , 吕奇孟 , 蔡和勋 , 李耿成
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/36
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，包括：衬底、外延结构、透明导电层、钝化保护层、第一电极和第二电极；透明导电层具有至少一个第一通孔；钝化保护层具有至少一个第二通孔，第二通孔与第一通孔在垂直于衬底的方向上无交叠；第一电极通过贯穿钝化保护层、透明导电层、量子阱发光层和第二半导体层的第三通孔与第一半导体层电连接；第二电极覆盖第一通孔和第二通孔，且第二电极通过第二通孔与透明导电层电连接。在第一通孔对应的区域，第二电极与第二半导体层之间的钝化保护层可以起到电流阻挡的作用，不仅降低了LED芯片的成本，而且提高了LED芯片的发光效率；此外，在第二通孔处可以实现点式发光，进而可以提高LED芯片的亮度。
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公开(公告)号：CN106129192B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201610567049.4
申请日：2016-07-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开的一种发光二极管制备工艺，本发明的通过角度互补的方式制作具有等腰梯形截面的发光二极管，先通过光阻层和DBR阻挡层配合塑性，确定等腰梯形截面的倾斜角度，去掉光阻层后在DBR阻挡层之间的间隙中生长第二N‑GaN层、有源层以及P‑GaN，因此形成的发光二极管的角度由光阻层的角度决定，所以只需对光阻层角度进行控制就能够控制发光二极管的角度，而这个角度需要结合预先设定的LED灯高度、宽度等参数来控制。本发明根据发光二极管的宽度、高度来准确地控制反射光的出射角度，实现不同角度的出光结构，以避免光损失，提高出光量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105552191B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201610071720.6
申请日：2016-02-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 陈亮 , 李俊贤 , 吴奇隆 , 魏振东 , 刘英策 , 李小平 , 邬新根 , 黄新茂 , 蔡立鹤 , 吕奇孟 , 陈凯轩 , 张永 , 林志伟 , 姜伟 , 卓祥景 , 方天足
IPC: H01L33/40
Abstract: 能增进横向电流扩散并拥有双反射表面的LED芯片电极结构，涉及LED芯片的生产技术领域。本发明包括在GaN层的表层向上依次包覆式设置由Cr层、第一Al层、至少一对TiN/Pt层、Au层、第二Al层和TiN外层组成的梯形结构电极扩展条。本发明的电极结构可以增加电流的横向扩散，并且达到光的多面反射的效果。
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公开(公告)号：CN105762246B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201610259089.2
申请日：2016-04-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种垂直结构发光二极管及其制作方法，涉及发光二极管生产技术领域。在相邻的元胞之间的沟槽中，于其中一个元胞的N‑GaN层、量子阱层和P‑GaN层的同一侧蒸镀第二布拉格反射镜层；然后在沟槽中的ITO层、第一布拉格反射镜层和第二布拉格反射镜层及制有第二布拉格反射镜层的元胞的N‑GaN层的外表面制作形成金属层，使相邻的两个元胞形成串联；在各个串联的元胞的一个元胞的N‑GaN层上方制作N电极，在另一个无胞的ITO层上方制作P电极。本发明工艺简单、合理，方便制作，可以有效地提高电流的扩展能力，提高散热能力，增强光效，并在元胞侧壁形成DBR结构，可大大增强侧壁的光反射率，增强光效。
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公开(公告)号：CN106025027A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610557066.X
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/22
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片结构及其制造方法，包括衬底、N型层、有源层、P型层、N型半导体粗化层、透明导电层、P电极和N电极，衬底上依次形成N型层、有源层和P型层，N型层和N电极连接，P型层上形成N型半导体粗化层，N型半导体粗化层由N型半导体材料经区域性粗化后形成的粗化区和未经粗化的电流阻挡区构成，粗化区由同一个平面上多个单独的锥形凸块组成，粗化深度为露出P型层，N型半导体粗化层以及粗化后露出的P型层上形成与其欧姆接触的透明导电层，透明导电层上形成P电极。本发明提升了出光效率、杜绝由于电流阻挡区被打线打裂导致的掉电极现象、改善了芯片表面的电流分布。
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公开(公告)号：CN105762246A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610259089.2
申请日：2016-04-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/007 , H01L33/06
Abstract: 一种垂直结构发光二极管及其制作方法，涉及发光二极管生产技术领域。在相邻的元胞之间的沟槽中，于其中一个元胞的N?GaN层、量子阱层和P?GaN层的同一侧蒸镀第二布拉格反射镜层；然后在沟槽中的ITO层、第一布拉格反射镜层和第二布拉格反射镜层及制有第二布拉格反射镜层的元胞的N?GaN层的外表面制作形成金属层，使相邻的两个元胞形成串联；在各个串联的元胞的一个元胞的N?GaN层上方制作N电极，在另一个无胞的ITO层上方制作P电极。本发明工艺简单、合理，方便制作，可以有效地提高电流的扩展能力，提高散热能力，增强光效，并在元胞侧壁形成DBR结构，可大大增强侧壁的光反射率，增强光效。
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公开(公告)号：CN205645852U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201620343301.9
申请日：2016-04-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种正装LED发光二极管，涉及LED发光二极管的生产技术领域。在衬底的同一侧包括依次设置的N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层和透明导电层，在透明导电层上设置P电极，在N‑GaN层上连接N电极，在N电极与N‑GaN层之间包裹式设置透明导电层、P‑GaN层和量子阱层。本实用新型保留了N电极下方的部分P‑GaN及量子阱层，能够减少N‑GaN层直接暴露于LED发光二极管表面的面积，进而减少ICP刻蚀完后的黑点现象的发生，并提高产品的良率，并且本实用新型有利于增加电流的横向扩展能力，提高电流的分布均匀性。
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