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公开(公告)号：CN114122222B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202111558381.1
申请日：2021-12-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种复合钝化层及其制作方法、LED芯片，通过在LED芯片的外延叠层裸露面设有复合钝化层，其中，复合钝化层包括依次堆叠的钝化底层及钝化顶层，且所述钝化底层的折射率小于所述钝化顶层的折射率，所述钝化底层用于接触LED芯片的表面并使其耐受逆向电场，所述钝化顶层作为LED芯片与外界接触的膜层，用于减少孔洞；从而提升抗高逆压性能，并避免水汽的渗入。
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公开(公告)号：CN115000268A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210623876.6
申请日：2022-06-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过外延叠层表面设置绝缘反射层，且所述绝缘反射层具有分别与所述凹槽裸露部和台面裸露部所对应的通孔；同时，在所述通孔内分别设有金属填充层；第一电极，其通过所述通孔层叠于所述凹槽的裸露部所对应的金属填充层表面，并向上延伸至所述绝缘反射层的表面；第二电极，其通过所述通孔层叠于所述台面的裸露部所对应的金属填充层表面，并向上延伸至所述绝缘反射层的表面。从而，通过填孔金属层的设置可以实现绝缘反射层开孔的填平，减少了因绝缘反射层开孔所导致的表面高度差以及由此产生的空洞，进而解决因其导致的应力失配、热量聚集及电流分布不均匀的技术问题。
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公开(公告)号：CN114975715A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210620906.8
申请日：2022-06-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种mini‑LED芯片及制备方法，在该mini‑LED芯片中，复合透明导电层中的欧姆接触层降低了复合透明导电层的欧姆接触电阻，提升了与P型层的欧姆接触，第一透明导电层提升了电子浓度与电流扩展能力，第二透明导电层提升了导电膜穿透率，两个透明导电层进一步提升了电流传导能力以及抗ESD能力，纳米层提升了粘附性以及芯片的推力可靠性，该复合透明导电层提升了芯片的散热能力，降低了热效应的产生；此外增粘截止层提升了复合DBR反射层与复合透明导电层的粘附性、水汽隔绝层提升了防水汽侵蚀能力，并且采用间歇式离子镀膜，降低了复合DBR反射层的膜层应力，提高了芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN114927417A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210690408.0
申请日：2022-06-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/308 , H01L33/00 , H01L33/20
Abstract: 本发明提供了一种刻蚀方法、LED芯片及其制作方法，通过在所述待刻蚀结构的表面依次形成聚合物层、负性光刻胶，通过曝光、显影形成倒梯形台面的掩膜板，即光刻胶的图形呈上宽下窄，再通过敏感源使所述负性光刻胶两侧表面交联实现光刻胶图形反转，使光刻胶的图形呈上窄下宽后，再结合所述待刻蚀结构相对所述刻蚀增强层的刻蚀选择比不小于1的设置，使所述待刻蚀结构的刻蚀区域形成倾斜度较小的预设图形。
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公开(公告)号：CN114864625A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210656195.X
申请日：2022-06-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种集成式LED芯片及其制作方法，集成式LED中的各LED发光单元具有一个共电极，且另一电极焊盘分布在集成式LED芯片的四周且通过第二金属层(即电极引线)与各LED发光单元连接，且所述LED发光单元的电极引线通过所述第一绝缘层与邻近的LED发光单元相互隔离的方式引出至导电基板的边缘，各自独立设置，进而可实现各LED发光单元的灵活控制。因此，基于上述设置，第二金属层既可以与各发光单元的第二半导体层实现电连接，也可充当引线，实现与集成式LED四周电极焊盘的电连接，在晶片端即完成电极引线和电极焊盘的布局，实现一体封装，可有效节省产品制作工艺及人工成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114530534A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210327434.7
申请日：2022-03-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，其隔离层覆盖所述外延叠层并裸露所述凹槽的部分表面，且沿所述台面表面的隔离层具有至少一通孔；通过所述通孔实现对发光面积的控制；同时，所述通孔是对所述隔离层进行刻蚀工艺而形成，且隔离层为绝缘材料，则刻蚀过程容易控制，藉以更好地实现对发光面积的有效控制；再者，本发明提供的LED芯片，使电流扩展金属正下方的电流扩展层与所述第二型半导体层不直接接触，从而，避免了电流聚集在扩展电极正下方的情况，进而提高LED芯片的抗ESD能力。
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公开(公告)号：CN114284201A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111626631.0
申请日：2021-12-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L33/00
Abstract: 本申请实施例公开了一种刻蚀托盘及刻蚀方法，该刻蚀托盘包括：下片和上片，上片覆盖下片表面，下片的材料为金、银、铜、铝中的一种，上片的材料为碳化硅、氮化铝、石墨中的一种，使得该刻蚀托盘为由散热能力较好的材料和散热能力较差的材料组成的复合托盘，刻蚀选择比调整范围更大，刻蚀角度的变化范围更大。进行刻蚀时，可以通过调整刻蚀参数，调整刻蚀选择比，实现刻蚀角度的多次变化，且变化范围较大，形成类似漏斗形状的刻蚀沟道，使得刻蚀沟道的坡度较缓。并且，利用该刻蚀托盘进行刻蚀，刻蚀角度从较大到较小，使得刻蚀沟道的底宽较小，且使得小刻蚀角度对于顶宽影响较小，使得刻蚀沟道在所述LED外延芯片的中的占比相对较小。
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公开(公告)号：CN114078990A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202111607942.2
申请日：2021-12-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有波导应变的外延结构、LED芯片及制作方法，通过在所述生长衬底表面依次堆叠的第一型半导体层、第一波导层、有源区、第二波导层以及第二型半导体层；所述有源区包括交替形成的量子垒和量子阱，且所述量子垒和量子阱的晶格常数小于所述衬底的固有晶格常数，使所述量子垒和量子阱具有压应变；所述第一波导层或所述第二波导层的应力大于所述衬底的应力，且所述第一波导层或所述第二波导层的应力不大于所述量子垒的应力；有利于应力的过渡及释放，提高有源区的内量子效率。
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公开(公告)号：CN115938988A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211535831.X
申请日：2022-12-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光芯片的分选方法及系统，将同一发光圆片分选的母BIN细分为更多的子BIN，而后将子BIN对应的发光芯片按照预设固晶图分选至对应母BIN方片上固晶，由此将发光圆片进行充足的混分，使得由相同发光圆片得到的不同方片的光电性能一致性高，提高了显示屏的整面屏显示亮度的均匀性，提高了显示屏的显示效果。
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公开(公告)号：CN115732622A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211555098.8
申请日：2022-12-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过将介质层延伸至所述外延叠层的通孔侧壁；所述金属反射层通过层叠于所述介质层表面的方式，嵌入所述介质孔与所述第二型半导体层形成接触，并延伸至所述通孔的侧壁；所述金属连接层层叠于所述金属反射层背离所述介质层的一侧表面，且所述金属连接层在朝向所述外延叠层的一侧表面具有裸露面；所述绝缘层通过覆盖所述金属连接层及金属反射层的方式，延伸至所述通孔的侧壁。从而，实现了将金属反射层延伸到通孔内部，提高了通孔内部的反射率的同时，可以实现将通孔内部的热量从台面传导，以提高芯片的散热能力，可以很好地解决通孔型垂直结构LED芯片因为空洞的存在导致热量无法及时散去的问题。
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