-
公开(公告)号：CN114597310A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210232053.0
申请日：2022-03-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种垂直有机晶体管的制备方法，所述的方法利用表面带有石墨烯的二氧化硅/重掺硅衬底制备垂直有机晶体管，具体步骤如下：使用掩模版与表面带有石墨烯的二氧化硅/重掺硅衬底精确对准，使用蒸镀仪通过掩模版淀积源极金属，旋涂双极性有机物D‑A型有机物DPPT‑TT，设置DPPT‑TT溶液的浓度为10mg/ml，设置旋涂仪的参数先以500rpm的转速匀胶5s，再以1500rpm转速匀胶30s，DPPT‑TT薄膜的厚度为50 nm，继续使用掩模版与表面带有石墨烯的二氧化硅/重掺硅衬底精确对准，使用蒸镀仪通过掩模版来淀积漏极金属。本发明通过控制旋涂仪旋转的速度来控制沟道的长度。本发明结构不要借助光刻机即可制造出nm级别的超短沟道，通过控制旋涂仪的转速可以获得nm级别的沟道长度。
-
公开(公告)号：CN114512612A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210137601.1
申请日：2022-02-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种通过钝化聚合物晶体管界面提高有机晶体管迁移率的方法。首先将四氯化铪（HfCl4）溶于去离子水（DI），并将其旋涂于P+掺杂的硅片上，以低温热退火的工艺形成氧化铪（HfO2）薄膜；之后将聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）溶于乙酸丁酯（NBA），旋涂在HfO2薄膜表面，以低温热退火的方式形成很薄的PMMA薄膜，来对HfO2的表面进行钝化，从而减小有机场效应晶体管（OFETs）的回滞，提高OFETs的场效应迁移率。该HfO2薄膜的溶液相工艺操作简单，可在大气环境下进行处理，制备成本低，可适用于大规模的成产，对柔性、可便携电子设备的应用有很好的前景。
-
公开(公告)号：CN116322071B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202310214218.6
申请日：2023-03-08
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于半导体器件物理领域，公开了一种由垂直有机晶体管构成的反相器，该反相器包括串联的垂直结构的PMOS和垂直结构的NMOS，垂直结构的PMOS包括衬底、底栅、栅氧化层、在栅氧化层表面的graphene、在graphene上层的有机半导体层DPPT‑TT+N2200和蒸镀的源极和漏极Au，垂直结构的NMOS包括衬底、底栅、栅氧化层、在栅氧化层表面的graphene、在graphene上层的有机半导体层N2200+DPPT‑TT和蒸镀的源极和漏极Au，DPPT‑TT+N2200和N2200+DPPT‑TT通过提拉方式形成膜。本发明相比于传统水平结构的反相器，有更低的工作电压。
-
公开(公告)号：CN118102742A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410227384.4
申请日：2024-02-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H10K30/86 , H10K30/85 , H10K30/60 , H10K71/00 , H10K71/12 , H10K71/40 , H10K71/60 , H10K39/30 , H10K39/00
Abstract: 本发明提供一种有机光电探测器及其制备方法与阵列，基于超薄层DPPT‑TT有机材料的高性能光电探测器，并通过台阶式结构设计改进了有机半导体的性能。该器件在仅有50nm吸收层厚度下实现了卓越的外部量子效率，最大光谱响应度达到383A/W，最大比检测率约为2.79×1012jones。此外，进一步的阵列化实验展示了光电探测器的可扩展性和多领域应用潜力，包括成像、通信和生物医学。为开发高性能、低成本的有机光电探测器提供了重要见解，体现出了有机光电探测器在光探测和成像领域的前景。
-
公开(公告)号：CN116096101A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310244089.5
申请日：2023-03-15
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H10K10/46 , H10K71/00 , H10K77/10 , H03K19/0944 , H03K19/20
Abstract: 本发明属于有机半导体电子器件技术领域，公开了一种柔性阈值可调的负电容晶体管及制备方法、小型逻辑电路，柔性阈值可调的负电容晶体管包括柔性衬底、有机半导体层、有机介质层，源漏电极以及两个栅极，制备方法为：在柔性衬底表面制备底栅电极且旋涂有机铁电性薄膜，在有机介质层表面旋涂有机聚合物薄膜作为半导体沟道层，制备源/漏金属电极，最后旋涂有机铁电薄膜并制备顶栅电极。本发明利用有机铁电晶体管的负电容原理降低了工作电压及功耗，制作双栅极结构使晶体管的阈值电压可调，在以单极性器件为基础元件的柔性逻辑电路中具有重大的作用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115623792A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211633280.0
申请日：2022-12-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 一种模拟神经突触有机电化学晶体管、其制备方法以及方向选择电路，利用电解质型栅介质通电构成双电层结构的原理，降低工作电压，该有机电化学晶体管的结构由下往上依次为衬底、电解液型栅介质、有机材料通道、金属顶电极；并且提出一种基于STP/STD的新型神经形态电路来实现方向选择性，通过两种布线方案实现生物神经系统中的短时程增强/抑制（STP/STD）。通过采用加载不同的脉冲电压模式，进行突触仿生功能的模拟，实现类神经突触的学习和记忆功能。
-
公开(公告)号：CN114512612B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202210137601.1
申请日：2022-02-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种通过钝化聚合物晶体管界面提高有机晶体管迁移率的方法。首先将四氯化铪（HfCl4）溶于去离子水（DI），并将其旋涂于P+掺杂的硅片上，以低温热退火的工艺形成氧化铪（HfO2）薄膜；之后将聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）溶于乙酸丁酯（NBA），旋涂在HfO2薄膜表面，以低温热退火的方式形成很薄的PMMA薄膜，来对HfO2的表面进行钝化，从而减小有机场效应晶体管（OFETs）的回滞，提高OFETs的场效应迁移率。该HfO2薄膜的溶液相工艺操作简单，可在大气环境下进行处理，制备成本低，可适用于大规模的成产，对柔性、可便携电子设备的应用有很好的前景。
-
公开(公告)号：CN116376408B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202310088394.X
申请日：2023-02-09
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C09D165/00 , C09D133/12 , H10K85/10 , H10K71/16 , H10K10/46
Abstract: 本发明公开了一种一致高分子有机聚合物链取向薄膜及基于该薄膜的晶体管的制备方法，涉及半导体器件物理领域，一致高分子取向薄膜是在衬底上通过以Langmuir‑Blodgett工艺制备而成，其有机聚合物链依靠其范德华力保持一致取向，通过在有机溶剂DPPT‑TT中配备一定浓度的PMMA溶液，可以改变有机聚合物链互相间受力方式，再通过本专利中的制备方式所制备出的有机器件，可以使其在不同环境中有机聚合物链一致取向排列所受影响大大降低。一致高分子取向薄膜有效的提高了有机场效应晶体管的迁移率，使亚阈值摆幅得以降低。同时，一致高分子有机聚合物链的保护方法使有机场效应晶体管的迁移率收敛性得到较大提高，晶体管性能一致性更加明显。
-
公开(公告)号：CN116504815A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310762255.0
申请日：2023-06-27
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 一种高功率a‑IGZO薄膜晶体管及其制备方法，包括基底、支撑层、栅电极层、栅介质层、a‑IGZO有源层、变掺杂区、源电极层和漏电极层，支撑层设于基底上表面；栅电极层设于支撑层上表面中部；栅介质层覆盖于所述栅电极层和所述支撑层上；a‑IGZO有源层设于栅介质层上表面，变掺杂区为a‑IGZO有源层右端经处理后形成的变掺杂区；源电极层设于a‑IGZO有源层上表面的左侧，漏电极层设于变掺杂区上表面的右侧。本发明提供的漂移区变掺杂结构通过调制漂移区中的电场分布，能够有效提升器件击穿电压，降低漂移区电阻，优化器件导通电阻，显著提升薄膜晶体管的Baliga优值，可以用以提升晶体管的耐压性能和输出电流能力。
-
公开(公告)号：CN116381439A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310214741.9
申请日：2023-03-08
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种利用态密度曲线评估有机场效应晶体管退化性能的方法，涉及有机半导体器件技术领域。态密度曲线是在器件的传输特性曲线的基础上通过使用有效迁移率以及接触电阻亚阈值斜率等传统参数进行处理后绘制得到的，使用态密度曲线评估器件能够更直观的观察到薄膜层陷阱在能量上的分布，载流子从深陷阱中释放大致需要的能量，器件性能的退化可以通过态密度曲线有效表现出来，因而利用态密度曲线评估器件退化性能是具有较强的可行性与通用性的。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
32
records
(took 0.024 seconds)
