公开(公告)号：CN116322071B

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202310214218.6

申请日：2023-03-08

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 孙华斌 ,  于晓辰 ,  许智奇 ,  李长青 ,  徐勇 ,  吴洁 ,  于志浩 ,  陈子龙

IPC: H10K19/10 ,  H10K10/46 ,  H10K71/12 ,  H10K10/82

Abstract: 本发明属于半导体器件物理领域，公开了一种由垂直有机晶体管构成的反相器，该反相器包括串联的垂直结构的PMOS和垂直结构的NMOS，垂直结构的PMOS包括衬底、底栅、栅氧化层、在栅氧化层表面的graphene、在graphene上层的有机半导体层DPPT‑TT+N2200和蒸镀的源极和漏极Au，垂直结构的NMOS包括衬底、底栅、栅氧化层、在栅氧化层表面的graphene、在graphene上层的有机半导体层N2200+DPPT‑TT和蒸镀的源极和漏极Au，DPPT‑TT+N2200和N2200+DPPT‑TT通过提拉方式形成膜。本发明相比于传统水平结构的反相器，有更低的工作电压。

公开(公告)号：CN116322071A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310214218.6

申请日：2023-03-08

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 孙华斌 ,  于晓辰 ,  许智奇 ,  李长青 ,  徐勇 ,  吴洁 ,  于志浩 ,  陈子龙

IPC: H10K19/10 ,  H10K10/46 ,  H10K71/12 ,  H10K10/82

Abstract: 本发明属于半导体器件物理领域，公开了一种由垂直有机晶体管构成的反相器，该反相器包括串联的垂直结构的PMOS和垂直结构的NMOS，垂直结构的PMOS包括衬底、底栅、栅氧化层、在栅氧化层表面的graphene、在graphene上层的有机半导体层DPPT‑TT+N2200和蒸镀的源极和漏极Au，垂直结构的NMOS包括衬底、底栅、栅氧化层、在栅氧化层表面的graphene、在graphene上层的有机半导体层N2200+DPPT‑TT和蒸镀的源极和漏极Au，DPPT‑TT+N2200和N2200+DPPT‑TT通过提拉方式形成膜。本发明相比于传统水平结构的反相器，有更低的工作电压。