公开(公告)号：CN116322071B

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202310214218.6

申请日：2023-03-08

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 孙华斌 ,  于晓辰 ,  许智奇 ,  李长青 ,  徐勇 ,  吴洁 ,  于志浩 ,  陈子龙

IPC: H10K19/10 ,  H10K10/46 ,  H10K71/12 ,  H10K10/82

Abstract: 本发明属于半导体器件物理领域，公开了一种由垂直有机晶体管构成的反相器，该反相器包括串联的垂直结构的PMOS和垂直结构的NMOS，垂直结构的PMOS包括衬底、底栅、栅氧化层、在栅氧化层表面的graphene、在graphene上层的有机半导体层DPPT‑TT+N2200和蒸镀的源极和漏极Au，垂直结构的NMOS包括衬底、底栅、栅氧化层、在栅氧化层表面的graphene、在graphene上层的有机半导体层N2200+DPPT‑TT和蒸镀的源极和漏极Au，DPPT‑TT+N2200和N2200+DPPT‑TT通过提拉方式形成膜。本发明相比于传统水平结构的反相器，有更低的工作电压。

公开(公告)号：CN116322071A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310214218.6

申请日：2023-03-08

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 孙华斌 ,  于晓辰 ,  许智奇 ,  李长青 ,  徐勇 ,  吴洁 ,  于志浩 ,  陈子龙

IPC: H10K19/10 ,  H10K10/46 ,  H10K71/12 ,  H10K10/82

Abstract: 本发明属于半导体器件物理领域，公开了一种由垂直有机晶体管构成的反相器，该反相器包括串联的垂直结构的PMOS和垂直结构的NMOS，垂直结构的PMOS包括衬底、底栅、栅氧化层、在栅氧化层表面的graphene、在graphene上层的有机半导体层DPPT‑TT+N2200和蒸镀的源极和漏极Au，垂直结构的NMOS包括衬底、底栅、栅氧化层、在栅氧化层表面的graphene、在graphene上层的有机半导体层N2200+DPPT‑TT和蒸镀的源极和漏极Au，DPPT‑TT+N2200和N2200+DPPT‑TT通过提拉方式形成膜。本发明相比于传统水平结构的反相器，有更低的工作电压。

公开(公告)号：CN114597310A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202210232053.0

申请日：2022-03-09

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 孙华斌 ,  居富健 ,  于晓辰 ,  杨涛 ,  徐勇 ,  陈子龙 ,  于志浩 ,  吴洁

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05 ,  H01L51/10

Abstract: 本发明提供了一种垂直有机晶体管的制备方法，所述的方法利用表面带有石墨烯的二氧化硅/重掺硅衬底制备垂直有机晶体管，具体步骤如下：使用掩模版与表面带有石墨烯的二氧化硅/重掺硅衬底精确对准，使用蒸镀仪通过掩模版淀积源极金属，旋涂双极性有机物D‑A型有机物DPPT‑TT，设置DPPT‑TT溶液的浓度为10mg/ml，设置旋涂仪的参数先以500rpm的转速匀胶5s，再以1500rpm转速匀胶30s，DPPT‑TT薄膜的厚度为50 nm，继续使用掩模版与表面带有石墨烯的二氧化硅/重掺硅衬底精确对准，使用蒸镀仪通过掩模版来淀积漏极金属。本发明通过控制旋涂仪旋转的速度来控制沟道的长度。本发明结构不要借助光刻机即可制造出nm级别的超短沟道，通过控制旋涂仪的转速可以获得nm级别的沟道长度。