-
公开(公告)号：CN117833862A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311788339.8
申请日：2023-12-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高频高Q值的声表面波谐振器及其制备方法，涉及半导体技术，针对现有技术中能量泄露等问题提出本方案。在所述支撑衬底上方从下至上依次层叠底部高声速材料层、压电薄膜和顶部高声速材料层；所述顶部高声速材料层靠近压电薄膜的端面设有两分离的电极；所述电极与压电薄膜电性连接。优点在于，通过将两种声速较高的材料键合在压电材料的上下侧，引导声波在压电层传播，将声表面波的能量充分限制在压电材料层，从而减小声能量损失，提高器件Q值。解决现有技术中传播损耗大，体波辐射严重而导致的器件能量泄露、Q值不高等问题。
-
-
公开(公告)号：CN109786498B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201811503129.9
申请日：2018-12-10
Applicant: 华南理工大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体材料的红外探测元件及其制备方法，元件包括自下而上分布的衬底、沟道层和红外辐射吸收层，沟道层上分别设有源极、漏极、第一栅介质层和第二栅介质层，第一栅介质层采用具有热释电效应的介质层，第二栅介质层采用不具有热释电效应的介质层，沟道层为二维材料沟道层。本发明的红外辐射吸收层能吸收一定的红外辐射产生相应的温度变化，进而通过第一栅介质层的热释电效应产生极化电荷变化，配合第二栅介质层引起沟道电流变化，使得探测元件实现了放大功能，提高了灵敏度；以整个探测元件作为检测沟道电流变化的检测器件，提高了响应速度；沟道层利用了二维材料，降低了功耗，可广泛应用于半导体技术领域。
-
公开(公告)号：CN107317560B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201710329999.8
申请日：2017-05-11
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种温度补偿表面声波器件及其制备方法，温度补偿表面声波器件包括电极以及自下而上分布的衬底、第一温度补偿层、压电薄膜层和第二温度补偿层，所述电极位于压电薄膜层的上表面之上、嵌入压电薄膜层的上表面、位于第一温度补偿层的上表面之上或嵌入第一温度补偿层的上表面。本发明将压电薄膜层置于第一温度补偿层和第二温度补偿层这两层温度补偿层之中，有效提高了表面声波器件的温度补偿效果；采用了第一温度补偿层和第二温度补偿层这两层具有低热膨胀系数的温度补偿层，热膨胀抑制效果好；通过第一温度补偿层和第二温度补偿层这两层补偿层结构来进行温度补偿，应用范围更广。本发明可广泛应用于通信器件及其制备领域。
-
公开(公告)号：CN112003569A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010930246.4
申请日：2020-09-07
Applicant: 华南理工大学
IPC: H03B5/32
Abstract: 本发明公开了一种基于三电感耦合的高稳定超宽带调谐压控振荡器，属于通讯领域。针对现有技术中压控振荡器为了实现宽调谐范围而被迫面积大和噪声大的问题提出本方案。包括三个结构相同的振荡电路，每一振荡电路内在输入级的两端均设有并联的一电感、一可编码的电容矩阵、可变电容、基频电容；各电感由外至内同轴布置互相耦合，且相邻的电感设置在不同的金属层中。优点在于，三电感的特殊布置方式，可以使压控振荡器获得宽调谐范围的同时，也能保持低噪声状态。通过调整三电感的耦合系数k和各自对应的等效电容，使得压控振荡器的振荡稳定。用一个电感的面积完成三电感的功能,加以电路辅助，使得实现稳定振荡和宽调谐范围。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110784212B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201911126607.3
申请日：2019-11-18
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种锁相环的频率锁定方法，属于新一代信息技术领域，主要解决的是现有锁相环锁定时间长的技术问题，所述方法包括如下步骤：S1.频率控制模块控制数字控制振荡器得到最大输出频率、最小输出频率；S2.通过时间数字转换器和频率控制模块得到最小频率比、最大频率比；S3.根据最小频率比、最大频率比求解第一个频率控制字、第一个频率比；S4.频率控制模块利用牛顿迭代法重新计算新的频率控制字；S5.根据新的频率控制字得到新的频率比；S6.若新的频率比在误差范围内，则结束迭代并稳定输出新的频率控制字；否则，跳转至步骤S4。本发明公开了一种锁相环的频率锁定电路。本发明可以有效减少锁定时间。
-
公开(公告)号：CN109786498A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811503129.9
申请日：2018-12-10
Applicant: 华南理工大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体材料的红外探测元件及其制备方法，元件包括自下而上分布的衬底、沟道层和红外辐射吸收层，沟道层上分别设有源极、漏极、第一栅介质层和第二栅介质层，第一栅介质层采用具有热释电效应的介质层，第二栅介质层采用不具有热释电效应的介质层，沟道层为二维材料沟道层。本发明的红外辐射吸收层能吸收一定的红外辐射产生相应的温度变化，进而通过第一栅介质层的热释电效应产生极化电荷变化，配合第二栅介质层引起沟道电流变化，使得探测元件实现了放大功能，提高了灵敏度；以整个探测元件作为检测沟道电流变化的检测器件，提高了响应速度；沟道层利用了二维材料，降低了功耗，可广泛应用于半导体技术领域。
-
公开(公告)号：CN119511600B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510059927.0
申请日：2025-01-15
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种铌酸锂光子芯片的混合存算架构及其实现方法。所述架构包括铌酸锂光路、光电转换模块以及铌酸锂忆阻器存算模块。铌酸锂光路包括光耦合入射模块、级联调制模块、光耦合出射模块、第一并行波导和第二并行波导；通过铌酸锂光路实现光电转换模块以及忆阻器存算模块之间的高频信号通信。本发明的互连基于集成光学实现，克服了传统电子存算芯片带宽不足且热管理成本过高的难点；其次，本发明可以在无外部电偏置下直接由波导中的光开关控制工作，芯片存算将只受限于忆阻器开关速度(GHz)。本发明适用于需求低功耗、高带宽的并行计算、如机器学习推理和神经计算领域。
-
公开(公告)号：CN119337558A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411218381.0
申请日：2024-09-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) , 华南理工大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/17 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种考虑多种失效机制的真空封装MEMS器件腔体真空退化模型构建方法及评价方法，模型构建方法包括：(1)真空度表征：利用品质因子对腔体的真空度进行表征；(2)真空退化数理模型建模：a.计算腔体内释放的气体分子数，获取腔体内部释气导致的第一真空退化数理模型；b.计算腔体内由外部泄露进来的气体分子数，获取腔体内由外部泄露导致的第二真空退化数理模型；c.第一、第二真空退化数理模型，基于算腔体内总气体分子数与腔体气压的关系，获取腔体内部真空度退化模型。在构建的真空度退化模型基础上，本发明还提供了真空封装MEMS器件真空退化进行可靠性评价的方法，并可实现对真空封装MEMS器件真空度退化进行可靠性预计。
-
公开(公告)号：CN118308786A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410402261.X
申请日：2024-04-03
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种低维二氧化碲晶体的异质外延方法，针对现有技术中制备成品质量差的问题提出本方案。本发明中所述一种低维二氧化碲晶体的异质外延方法，依次进行物理沉积和化学沉积；所述物理沉积：通过磁控溅射在基片上制备碲膜；所述化学沉积：在所述碲膜上方间隔距离h设置衬底；在预设气氛中加热至温度T并恒温维持时间t，在衬底面向碲膜的一侧制得所述低维二氧化碲晶体。优点在于，使物理沉积和化学沉积两种技术互补，克服了难以形核和晶体质量低的难点，实现了低维二氧化碲晶体外延纳米片/纳米线。合理控制衬底与碲膜之间的距离，提高了形核效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
53
records
(took 0.023 seconds)
