-
公开(公告)号：CN117833862A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311788339.8
申请日：2023-12-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高频高Q值的声表面波谐振器及其制备方法，涉及半导体技术，针对现有技术中能量泄露等问题提出本方案。在所述支撑衬底上方从下至上依次层叠底部高声速材料层、压电薄膜和顶部高声速材料层；所述顶部高声速材料层靠近压电薄膜的端面设有两分离的电极；所述电极与压电薄膜电性连接。优点在于，通过将两种声速较高的材料键合在压电材料的上下侧，引导声波在压电层传播，将声表面波的能量充分限制在压电材料层，从而减小声能量损失，提高器件Q值。解决现有技术中传播损耗大，体波辐射严重而导致的器件能量泄露、Q值不高等问题。
Search Results
1
records
(took 0.014 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
