-
公开(公告)号:CN113823626A
公开(公告)日:2021-12-21
申请号:CN202111111193.4
申请日:2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/50 , H01L21/56 , B81B7/00 , B81B7/02 , B81C1/00 , G01P1/12 , G01P15/08
Abstract: 本发明涉及基于Fanout技术制造侵彻测量用加速度值记录装置,将放大器裸芯片(4)、滤波器裸芯片、处理器裸芯片(6)、电源电路裸芯片、存储器裸芯片集成在塑封成型体(7)内,通过BGA球(5)引出并与基板(14)上的线路对应连接;MEMS加速度计(11)粘接在基板上,通过BGA球将MEMS加速度计与基板上线路连接;MEMS另一面使用绝缘胶(12)粘接至管壳(1)底部;MEMS与管壳底部之间采用硬胶(10)保护灌封,基板另一面用软胶(8)保护灌封。本发明的有益效果是:克服了目前单纯由实验或理论分析评价弹体侵彻过载的不足,具有评价结果精准快速的特点,有助于降低试验成本,缩短研究周期,不仅可应用于侵彻过载的评价,还可应用于侵彻实验弹体的设计。
-
公开(公告)号:CN110672878A
公开(公告)日:2020-01-10
申请号:CN201910956339.1
申请日:2019-10-10
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P21/00
Abstract: 本发明公开一种三轴高量程加速度传感器横向灵敏度比测试装置,包括沿X轴向设置的撞击体与霍普金森杆,霍普金森杆的尾部设置待测的传感器,传感器的X轴、Y轴与Z轴分别对应设置有X轴激光多普勒分析仪、Y轴激光多普勒分析仪与Z轴激光多普勒分析仪;所述测试装置还包括通讯连接的数据采集卡与工控机,三个激光多普勒分析仪的输出端分别连接数据采集卡;通过在三个方向上安装激光多普勒分析仪实现三个方向上同步的加速度测量,实现传感器的横向灵敏度比测试。
-
公开(公告)号:CN105372574A
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:CN201510664513.7
申请日:2015-10-14
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种半导体芯片晶圆毫伏级信号测试系统,包括ASL1000测试平台,ASL1000测试平台的输出接口连接有测试夹具与探针卡,探针卡上设有分压电路、继电器以及与待测晶圆相配合的探针,所述测试夹具与探针配合连接;ASL1000测试平台向测试夹具输出电源信号与控制信号,并通过探针分别施加在待测晶圆的电源输入端与控制输入端,ASL1000测试平台向分压电路输出测试信号,并控制继电器的通断;分压电路将接收的测试信号分压处理为毫伏级信号,毫伏级信号依次通过继电器的触点与探针施加在待测晶圆的信号输入端;测试信号经由线路传输,毫伏级信号施加在晶圆上进行测试,实现大信号传输、小信号测试的目的,能够避免对晶圆测试时毫伏级信号的衰减,结构简单,通用性强。
-
公开(公告)号:CN105259372A
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201510664521.1
申请日:2015-10-14
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P21/00
Abstract: 本发明公开晶圆级电容式加速度计自动测试系统,包括微处理器以及与微处理器相连的上位机,四个电容数字转换器、第一数模转换器、第二数模转换器、第一继电器与第二继电器;微处理器控制数模转换器与继电器,向电容式加速度计的其中两个固定电极上在不同时刻分别施加直流电压,产生静电力,模拟外界加速度,所述四个电容数字转换器由微处理器控制,并向微处理器发送所采集不同时刻的电容式加速度计的电容值,再由微处理器计算得出电容变化量,实现参数测试的目的,并判断出电容式加速度计的品质。
-
公开(公告)号:CN102393484A
公开(公告)日:2012-03-28
申请号:CN201110253260.6
申请日:2011-08-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R19/25
Abstract: 本发明涉及一种电子线路电流稳定性检测装置,MCU根据采集数据单元ADC控制数模转换器DAC输出一阈值基准电压Vref,要求Vref等于V0。Vref和被差分放大器输出的取样电阻两端的实时压差V1经差分放大器放大后通过ADC数据采集单元送入主控单元MCU。此时电流变化量△I可通过本方法得到的公式进行计算,最后通过软件判断单位时间内电流变化量是否满足要求,从而判定整个回路电流的稳定性。本发明优点是:可以有效的排除系统噪声的干扰,精确的检测到电流微小的变化;具体实施的硬件通用性强,可适用于各种直流回路中安培级以下电流稳定性检测,适用范围广。
-
公开(公告)号:CN117060117A
公开(公告)日:2023-11-14
申请号:CN202311105908.4
申请日:2023-08-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01R13/02 , H01R13/502 , H01R13/504 , H01R13/405
Abstract: 本发明提供一种陶瓷金属封装气密封插座,它包括壳体(1),在壳体(1)一端端部连接有金属法兰(2),在壳体(1)另一端的内壁上设有隔断(3),在隔断(3)上插接有插针(4),在壳体(1)上设有与金属法兰(2)连接配合的第一金属化层(5),在隔断(3)上设有与插针(4)形成连接配合的第二金属化层(6)。本发明结构简单、工作电压高、密封性好、性能稳定可靠、安装使用方便等优点。
-
公开(公告)号:CN115832743A
公开(公告)日:2023-03-21
申请号:CN202211341932.3
申请日:2022-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01R13/11 , H01R13/639
Abstract: 本发明公开一种直插式集成电路用的小型化电连接装置,它包括带有连接孔(2)的PCB插座(1),连接孔(2)内固定连接插接套(3),插接套(3)具有与引脚(8)插接配合的承插孔(4),在插接套(3)的尾端设有一组爪形的簧片(5),簧片(5)可沿着插接套(3)的径向同步扩胀,簧片(5)尾部的自由端所围成的虚拟内圆直径小于引脚的直径。本发明小型化且结构紧凑,结构设计合理,通过簧片的形变压力共同夹持引脚形成稳定地多点接触,大大提高了装置的过流能力和接触可靠性能。
-
公开(公告)号:CN112098809B
公开(公告)日:2023-03-14
申请号:CN202011026787.0
申请日:2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开一种MEMS微镜晶圆级全自动电学测试方法,包括:a、采用主控计算机、测试模块、矩阵控制面板、探针卡、探针台、显微镜与探针台控制模块构建测试系统;b、将待测晶圆置于探针台的承片台上;探针台控制模块对探针台进行控制,对待测晶圆进行定位,使探针卡与待测晶圆对应连接;c、主控计算机控制电源模块对待测晶圆施加阶梯电压,CV测量模块测量与阶梯电压相对应的阶梯电容,阶梯电容与待测晶圆的镜面偏转角度相对应;d、主控计算机通过采集模块读取测试结果,并绘制阶梯电压、阶梯电容与待测晶圆的镜面偏转角度的对应关系图;该方法采用电学测试方式,测量精度高,减少测试时间,节省成本。
-
公开(公告)号:CN112310577B
公开(公告)日:2021-11-02
申请号:CN202011026602.6
申请日:2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01P1/04
Abstract: 本发明涉及微波元件应用及微波器件测量领域,特别涉及微波波导元件的紧固连接装置,将波两个夹片(Z1)的卡位内槽(K4)卡在两个对准配合的波导元件端面内侧,此时夹片与波导元件连接端口为面接触模式,转动手柄螺栓(Z2),其上部锥形体(K5)将两个夹片的上端部撑开,以定位螺栓(K4)为中心轴,两个夹片的下部的矩形板向内收缩,矩形板上的卡位内槽(K4)尺寸与波导元件连接端面外形尺寸相适,将两个波导元件平行夹紧。在紧固连接过程中,两个波导元件连接端口始终与两个夹片(Z1)中的卡位内槽(K4)处于面接触状态,因此波导元件连接端面在紧固过程中为均匀受力状态,在实现紧固连接的同时有效的避免了电磁泄漏的问题。
-
公开(公告)号:CN110687424A
公开(公告)日:2020-01-14
申请号:CN201910956345.7
申请日:2019-10-10
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种雪崩二极管高频参数低温测试系统,包括测试腔室,测试腔室内的底部设有升降支架,升降支架顶端设有介质冷却台,介质冷却台上设有温度传感器以及用于加载待测雪崩二极管的振荡器,振荡器上方设有环形器;测试腔室的侧壁分别设有第一波导元件、第二波导元件、第一电连接器与第二电连接器;测试腔室外部设有注锁信号源、雪崩管反偏电源、功率计、高频测试环路、谐波混频检测单元、温度传感器电源、真空泵、液氮罐、程控阀门、流量计、液氮回收装置、微控制器与显示屏;本发明可有效抑制现有在雪崩二极管低温测试时传输回路出现冷凝结霜导致传输损耗增加进而影响毫米波雪崩管输出效率降低的技术缺陷,保证器件测试的准确性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-