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公开(公告)号：CN114112085B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202111216093.8
申请日：2021-10-19
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种高效率MEMS高温薄膜热电偶传感器的制造方法，涉及MEMS制造领域与传感器领域。包括：基片选择、绝缘层/过渡层材料选择与生长工艺、热偶层特定材料的厚度确定与沉积工艺、保护层材料选择与生长工艺。本发明针对高温恶劣环境，设计了传感器的耐高温膜层材料及结构，优化了薄膜溅射、剥离、退火等制备工艺，采用磁控溅射沉积、化学气相沉积技术，与MEMS工艺线相互兼容，解决了钨铼合金湿法图形化腐蚀的难题，攻克了大尺寸厚金属膜制备的应力问题，实现了可在1000℃下使用的微型化高温薄膜热电偶传感器的批量生产，制造良品率100％。
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公开(公告)号：CN110797454A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911073937.0
申请日：2019-11-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种超高各向异性磁电阻薄膜材料及其制备方法，属于磁性薄膜材料的技术领域。所述超高各向异性磁电阻薄膜材料为Ta/M/MgO/NiFe/MgO/M/Ta结构，其中的M为Hf或Pt。所述制备方法是通过磁控溅射在磁控溅射仪的玻璃基片上依次沉积并经过真空磁场热处理，从而制备得到超高各向异性磁电阻薄膜材料。本发明由于Ta/M双层膜对MgO的化学状态调控相比于单一Ta层对MgO的结构调控要好，因此新提出的结构界面自旋电子散射效果更好，磁电阻值更大，能满足高磁电阻需求。
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公开(公告)号：CN102024904B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201010500518.3
申请日：2010-09-30
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明为一种高灵敏度金属霍尔传感器薄膜材料及制备方法，涉及磁性薄膜材料。发明设计的薄膜材料结构为：绝缘层/Pt1/[Co/Pt2]n/绝缘层。此结构材料具有很强的霍尔信号，通过优化各层厚度并将其加工成磁场传感器元件后具有很高的磁场灵敏度。该发明的主要优点是设计的材料制备工艺简单，磁场感应范围大，磁场灵敏度提高明显，优化的磁场灵敏度高于现今报道的最高的金属霍尔传感器的灵敏度；并且电阻率低，响应频率宽；同时克服了以往材料体系中霍尔信号低，各向异性不易调整的缺点。因此，该材料可以用于制作高灵敏度霍尔传感器。
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公开(公告)号：CN101710525B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910243307.3
申请日：2009-12-17
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种超高灵敏磁电阻薄膜材料及其制备方法，涉及磁性薄膜材料。本发明设计的薄膜材料结构为：缓冲层/MgO/NiFe/MgO/保护层；然后在磁场中高温退火。该结构材料具有很高的磁场灵敏度，而且将其加工成磁传感元件同样也具有很高的磁场灵敏度。该方法主要优点是材料结构设计简单，磁场灵敏度提高明显，基本上能够与某些隧道磁电阻(TMR)薄膜材料和相应元件磁场灵敏度相当；同时克服了以往材料体系工艺中当NiFe层较薄时在一定温度下处理材料或器件带来的薄膜界面处固相反应所导致的“磁死层”，因此，该材料可以用于制作高灵敏磁电阻传感元器件。
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公开(公告)号：CN101046394B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200710064729.5
申请日：2007-03-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01D5/249
Abstract: 一种高精度磁编码器用磁鼓的制备方法，属于磁编码器技术领域。以铝合金为基体，以钴盐、还原剂、络合剂、缓冲剂按比例配成溶液，化学镀法制备Co-P或Co-Ni-P薄膜作为磁鼓的记录介质。薄膜中P含量为5～10％，为晶态，有磁性；膜厚为1～10μm。对用该法制得的磁鼓，可写入1024～2500对N、S磁极。本发明的优点在于：磁性薄膜磁性能优异，制备工艺稳定，实施性强，易于工业化批量生产；制得的磁鼓分辨率高，与各向异性磁电阻薄膜探头结合，可得到高精度的磁旋转编码器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101345117A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810106197.1
申请日：2008-05-09
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种用于磁电子罗盘的磁电阻薄膜材料及其制备方法，属于磁性多层膜的制备技术领域。具体步骤为，在清洗干净的玻璃基片或单晶硅基片上沉积(Ni0.81Fe0.19)0.64Cr0.36(50～200)/Al2O3(10～50)/Ni0.81Fe0.19(100～300)/Al2O3(10～50)/Ta(50～100)；然后在真空退火炉中进行真空磁场热处理，退火炉本底真空度为2×10－5～5×10－5Pa，退火温度200～300℃，退火时间为1～4小时，退火场500～1000Oe；再将薄膜加工成线宽为2～50微米的磁电阻传感元件；在元件两侧平行于条形元件沉积Ni0.81Fe0.19薄膜。本方法提供的磁电阻薄膜材料结构，使磁电子罗盘精度大幅度提高。
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公开(公告)号：CN101148754A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710177706.5
申请日：2007-11-20
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种利用纳米氧化层和真空退火提高坡莫合金薄膜磁电阻变化率的方法，其利用磁控溅射仪，在清洗干净的玻璃基片或硅基片上沉积钽Ta/钴铁CoFe纳米氧化层/镍铁NiFe/钴铁CoFe纳米氧化层/钽Ta多层膜。本发明的优点在于在多层膜的钽Ta/镍铁NiFe和镍铁NiFe/钽Ta界面插入钴铁CoFe纳米氧化层(NOL)，退火时阻止了钽Ta和镍铁NiFe间的扩散，提高坡莫合金薄膜的各向异性磁电阻变化率，同时，薄膜的制备工艺也容易控制。
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公开(公告)号：CN1305086C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200410009961.5
申请日：2004-12-03
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种利用表面活化剂抑制界面反应的方法，涉及磁性多层膜的制备方法。本方法是在清洗干净的玻璃基片上依次沉积钽Ta(50～120)/氧化镍NiO(60～100)/铋Bi(或Pb、In等)(2～30)/镍铁NiFe(30～100)/钽Ta(50～90)。本发明由于采用表面活化剂Bi(或Pb、In等)插入自旋阀巨磁电阻多层膜或隧道结中的反铁磁NiO/铁磁NiFe薄膜界面，NiO与NiFe间的界面反应被抑制，其交换耦合场Hex比不插表面活化剂Bi(或Pb、In等)的交换耦合场Hex提高最大可达80%，具有制备方便、不需要磁场热处理、成本低、交换耦合场Hex提高明显等优点。
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公开(公告)号：CN119069581A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411024111.6
申请日：2024-07-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/20 , H01L31/0224 , H01L31/102 , H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/0236
Abstract: 本发明公开了一种多层膜结构的氧化镓日盲紫外探测器的制备方法，属于半导体光电技术领域。探测器包括：衬底；氧化镓层；钽金属层；叉指电极。制备步骤如下：(1)对氧化铝衬底进行单面或双面抛光并进行清洗，用于沉积氧化镓‑钽薄膜。(2)在氧化铝衬底上制备氧化镓薄膜，再在其薄膜上外延生长钽金属层，依次类推，使用磁控溅射法制备氧化镓‑金属钽交替结构的多层膜。（3）在顶层氧化镓表面，采用光刻法定义叉指电极图形。(4)在定义光刻图案的样品表面沉积Ti/Au电极。制备得到金属‑半导体‑金属(MSM)型多层膜结构氧化镓日盲紫外探测器。本发明提供的多层膜结构氧化镓光电探测器可以实现大的光暗电流比和高的响应度。
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公开(公告)号：CN114112085A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111216093.8
申请日：2021-10-19
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种高效率MEMS高温薄膜热电偶传感器的制造方法，涉及MEMS制造领域与传感器领域。包括：基片选择、绝缘层/过渡层材料选择与生长工艺、热偶层特定材料的厚度确定与沉积工艺、保护层材料选择与生长工艺。本发明针对高温恶劣环境，设计了传感器的耐高温膜层材料及结构，优化了薄膜溅射、剥离、退火等制备工艺，采用磁控溅射沉积、化学气相沉积技术，与MEMS工艺线相互兼容，解决了钨铼合金湿法图形化腐蚀的难题，攻克了大尺寸厚金属膜制备的应力问题，实现了可在1000℃下使用的微型化高温薄膜热电偶传感器的批量生产，制造良品率100％。
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