公开(公告)号：CN114112085B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202111216093.8

申请日：2021-10-19

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 薛美霞 ,  滕蛟 ,  吴宇

IPC: G01K7/02 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明提供了一种高效率MEMS高温薄膜热电偶传感器的制造方法，涉及MEMS制造领域与传感器领域。包括：基片选择、绝缘层/过渡层材料选择与生长工艺、热偶层特定材料的厚度确定与沉积工艺、保护层材料选择与生长工艺。本发明针对高温恶劣环境，设计了传感器的耐高温膜层材料及结构，优化了薄膜溅射、剥离、退火等制备工艺，采用磁控溅射沉积、化学气相沉积技术，与MEMS工艺线相互兼容，解决了钨铼合金湿法图形化腐蚀的难题，攻克了大尺寸厚金属膜制备的应力问题，实现了可在1000℃下使用的微型化高温薄膜热电偶传感器的批量生产，制造良品率100％。

公开(公告)号：CN114112085A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111216093.8

申请日：2021-10-19

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 薛美霞 ,  滕蛟 ,  吴宇

IPC: G01K7/02 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明提供了一种高效率MEMS高温薄膜热电偶传感器的制造方法，涉及MEMS制造领域与传感器领域。包括：基片选择、绝缘层/过渡层材料选择与生长工艺、热偶层特定材料的厚度确定与沉积工艺、保护层材料选择与生长工艺。本发明针对高温恶劣环境，设计了传感器的耐高温膜层材料及结构，优化了薄膜溅射、剥离、退火等制备工艺，采用磁控溅射沉积、化学气相沉积技术，与MEMS工艺线相互兼容，解决了钨铼合金湿法图形化腐蚀的难题，攻克了大尺寸厚金属膜制备的应力问题，实现了可在1000℃下使用的微型化高温薄膜热电偶传感器的批量生产，制造良品率100％。