公开(公告)号：CN101823995A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010139345.7

申请日：2010-03-31

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 杨洲 ,  尹建红 ,  曹珺 ,  郝洪蕾 ,  杨槐 ,  王乐

IPC: C07D213/38 ,  C30B29/54 ,  C30B7/08

Abstract: 本发明涉及非线性光学领域，特别涉及一种4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶3-羧基-4-羟基苯磺酸盐及其制备方法、其二阶非线性光学晶体及制备方法。本发明提出的一种由所述二阶非线性光学晶体，该晶体属于三斜晶系，空间组群为P1，晶胞参数a＝7.1334，b＝8.5394，c＝9.9650，v＝524.4，z＝1。本发明还提出了上述DSCHS二阶非线性光学晶体在激光频率转换中的应用。用波长为1907nm的激光测得DSCHS材料的粉末二次谐波强度是尿素的1300倍，优于DAST，紫外-可见吸收光谱测定表明，最大吸收峰在474nm，透光范围为560nm以上。

公开(公告)号：CN101150171A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710177709.9

申请日：2007-11-20

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 于广华 ,  张辉 ,  丁雷 ,  王乐 ,  滕蛟 ,  王立锦

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01F10/00

Abstract: 本发明提供了一种用于交换偏置型磁电阻传感器元件的多层膜材料，Ta/NiCo/Ta多层膜中插入FeMn层制得Ta/NiCo/FeMn/Ta多层膜材料，磁电阻传感器元件由Ta/NiCo/FeMn/Ta多层膜结构元件和Au电极层构成，NiCo合金的成分为Ni65Co35，FeMn合金成分为Fe50Mn50，为反铁磁性合金。该方法通过NiCo/FeMn界面产生的交换偏置场来减小磁电阻传感器元件的磁滞。该方法结构及工艺简单，成本低，适于较高磁场使用。

公开(公告)号：CN101823995B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201010139345.7

申请日：2010-03-31

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 杨洲 ,  尹建红 ,  曹珺 ,  郝洪蕾 ,  杨槐 ,  王乐

IPC: C07D213/38 ,  C30B29/54 ,  C30B7/08

Abstract: 本发明涉及非线性光学领域，特别涉及一种4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶3-羧基-4-羟基苯磺酸盐及其制备方法、其二阶非线性光学晶体及制备方法。本发明提出的一种由所述二阶非线性光学晶体，该晶体属于三斜晶系，空间组群为P1，晶胞参数a＝7.1334，b＝8.5394，c＝9.9650，v＝524.4，z＝1。本发明还提出了上述DSCHS二阶非线性光学晶体在激光频率转换中的应用。用波长为1907nm的激光测得DSCHS材料的粉末二次谐波强度是尿素的1300倍，优于DAST，紫外-可见吸收光谱测定表明，最大吸收峰在474nm，透光范围为560nm以上。

公开(公告)号：CN101148754A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710177706.5

申请日：2007-11-20

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 滕蛟 ,  王乐 ,  张金中 ,  王东伟 ,  于广华

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明提供了一种利用纳米氧化层和真空退火提高坡莫合金薄膜磁电阻变化率的方法，其利用磁控溅射仪，在清洗干净的玻璃基片或硅基片上沉积钽Ta/钴铁CoFe纳米氧化层/镍铁NiFe/钴铁CoFe纳米氧化层/钽Ta多层膜。本发明的优点在于在多层膜的钽Ta/镍铁NiFe和镍铁NiFe/钽Ta界面插入钴铁CoFe纳米氧化层(NOL)，退火时阻止了钽Ta和镍铁NiFe间的扩散，提高坡莫合金薄膜的各向异性磁电阻变化率，同时，薄膜的制备工艺也容易控制。