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发明公开
一种提高坡莫合金薄膜磁电阻变化率的方法无效

公开(公告)号：CN101148754A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710177706.5

申请日：2007-11-20

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 滕蛟 , 王乐 , 张金中 , 王东伟 , 于广华

IPC: C23C14/35 , C23C14/54 , C23C14/06 , C23C14/58

Abstract: 本发明提供了一种利用纳米氧化层和真空退火提高坡莫合金薄膜磁电阻变化率的方法，其利用磁控溅射仪，在清洗干净的玻璃基片或硅基片上沉积钽Ta/钴铁CoFe纳米氧化层/镍铁NiFe/钴铁CoFe纳米氧化层/钽Ta多层膜。本发明的优点在于在多层膜的钽Ta/镍铁NiFe和镍铁NiFe/钽Ta界面插入钴铁CoFe纳米氧化层(NOL)，退火时阻止了钽Ta和镍铁NiFe间的扩散，提高坡莫合金薄膜的各向异性磁电阻变化率，同时，薄膜的制备工艺也容易控制。

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