公开(公告)号：CN119069581A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202411024111.6

申请日：2024-07-29

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 侯文君 ,  滕蛟 ,  阮勇 ,  颜聪颖 ,  侯福磊

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/102 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0236

Abstract: 本发明公开了一种多层膜结构的氧化镓日盲紫外探测器的制备方法，属于半导体光电技术领域。探测器包括：衬底；氧化镓层；钽金属层；叉指电极。制备步骤如下：(1)对氧化铝衬底进行单面或双面抛光并进行清洗，用于沉积氧化镓‑钽薄膜。(2)在氧化铝衬底上制备氧化镓薄膜，再在其薄膜上外延生长钽金属层，依次类推，使用磁控溅射法制备氧化镓‑金属钽交替结构的多层膜。（3）在顶层氧化镓表面，采用光刻法定义叉指电极图形。(4)在定义光刻图案的样品表面沉积Ti/Au电极。制备得到金属‑半导体‑金属(MSM)型多层膜结构氧化镓日盲紫外探测器。本发明提供的多层膜结构氧化镓光电探测器可以实现大的光暗电流比和高的响应度。