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公开(公告)号：CN119816631A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380065254.9
申请日：2023-07-12
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种带氮化物半导体层的单晶硅基板，其具有单晶硅基板、在所述单晶硅基板上外延生长而成的3C‑SiC单晶膜及在所述3C‑SiC单晶膜上外延生长而成的氮化物半导体层，所述带氮化物半导体层的单晶硅基板的特征在于，在所述单晶硅基板整体形成有位错，将所述位错平面投影于所述单晶硅基板时的长度(位错长度)为1mm以上，所述位错的密度为10/cm2以上。由此，可提供带氮化物半导体层的单晶硅基板及带氮化物半导体层的单晶硅基板的制造方法，该带氮化物半导体层的单晶硅基板为200mm或300mm这样的大直径的带氮化物半导体层的单晶硅基板，其使用了一般厚度的Si基板，降低了翘曲，尤其没有产生破裂。
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公开(公告)号：CN119213532A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202380043311.3
申请日：2023-05-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶圆的干式蚀刻方法，其为在单晶硅晶圆形成粗糙面的干式蚀刻方法，该干式蚀刻方法中，包括使用表面存在自然氧化膜(SiO2)的单晶硅晶圆作为单晶硅晶圆，并利用至少含氟的气体对该单晶硅晶圆的存在自然氧化膜的表面进行干式蚀刻处理的工序，且在干式蚀刻处理中，将由(Si的蚀刻速率/SiO2的蚀刻速率)算出的Si相对于SiO2的蚀刻选择比设为18以上，将SiO2的蚀刻量设为2.5 nm以上，由此在所述单晶硅晶圆形成粗糙面。由此，提供一种能够在硅晶圆形成粗糙面的硅晶圆的干式蚀刻方法、及一种仅在硅晶圆的单侧的面形成粗糙面的硅晶圆的制造方法。
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公开(公告)号：CN118591869A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202380019505.X
申请日：2023-01-26
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种在硅基板上进行的金刚石生长方法，其特征在于，作为前处理，对所述硅基板表面以使利用拉曼分光法所得的520cm‑1的峰值的拉曼位移成为0.1cm‑1以上的方式进行损伤赋予、或是对所述硅基板表面以使利用AFM测得的表面粗糙度Sa成为10nm以上的方式进行凹凸形成、或是对所述硅基板表面进行所述损伤赋予及所述凹凸形成两者，并通过CVD法使金刚石在进行该前处理后的硅基板上生长。由此，提供一种在硅基板上进行的金刚石生长方法、及在硅基板上进行的选择性金刚石生长方法。
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公开(公告)号：CN117121168A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202280027194.7
申请日：2022-03-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明是一种硅晶圆的制造方法，其特征在于，包括：磨削工序，其对原料晶圆的表面/背面进行磨削加工，而获得每2μm2的算术表面粗糙度Sa为10nm以下的晶圆；干蚀刻工序，其将通过所述磨削工序获得的晶圆供给至以每单面为1μm以下的蚀刻余量进行的各向同性的整面干蚀刻，而将所述磨削工序中所导入的所述晶圆的表面/背面的加工应变层去除；以及双面研磨工序，其在所述干蚀刻工序后以每单面为3μm以下的研磨余量对所述晶圆的双面进行研磨。由此，能够提供一种硅晶圆的制造方法，其能够制造平坦度高的晶圆。
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公开(公告)号：CN116948599A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310429994.8
申请日：2023-04-20
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304 , B24B37/00 , B24B37/04
Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高研磨(加工)速度的研磨用组合物及研磨方法。所述研磨用组合物的特征在于，其含有作为磨料颗粒的平均粒径为100nm以下的二氧化硅及阳离子表面活性剂，并且所述研磨用组合物的pH为9.0以上、且ZETA电位为±30mV以内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116918041A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280019373.6
申请日：2022-02-21
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种硅晶圆的清洗方法，其为将硅晶圆粗糙化的清洗方法，其特征在于，通过SC1清洗、SC2清洗或臭氧水清洗在所述硅晶圆上形成氧化膜，利用氢氧化铵浓度为0.051质量％以下的氢氧化铵稀释水溶液、或包含氢氧化铵与过氧化氢水溶液的稀释水溶液中的任意一种水溶液对形成了所述氧化膜的硅晶圆进行清洗，从而使所述硅晶圆的表面和背面粗糙化，其中，所述包含氢氧化铵与过氧化氢水溶液的稀释水溶液中，氢氧化铵浓度为0.051质量％以下，过氧化氢浓度为0.2质量％以下且所述过氧化氢浓度为所述氢氧化铵浓度的4倍以下。由此，可提供能够将硅晶圆的表面和背面粗糙化的清洗方法。
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公开(公告)号：CN111602231A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201980007004.3
申请日：2019-01-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种晶圆清洗处理装置，其将晶圆保持于配置在腔体内且能够旋转的台座之上，一边使所述晶圆旋转一边通过药液对所述晶圆进行清洗处理，其特征在于，所述腔体具备向腔体内供给气体的供气部及将气体排出的排气部；所述晶圆清洗处理装置包括：杯部，能够上下移动，配置为围绕保持所述晶圆的台座，且捕捉从旋转的晶圆甩飞的清洗后的药液；以及遮蔽板，配置于该杯部的外侧，从所述腔体的内壁向内侧延伸且为具有中央孔的形状。由此，提供一种在杯部上升及下降时使气体的流路不大幅变化且将腔体内的压力维持于固定的晶圆清洗处理装置及晶圆清洗方法。
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公开(公告)号：CN111033696A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880052419.8
申请日：2018-07-31
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明为一种硅晶圆的清洗方法，其依次包含下述工序：边以第一转速使所述硅晶圆旋转，边对所述硅晶圆的表面供给氢氟酸而进行处理的工序；停止供给所述氢氟酸，且同时不对所述硅晶圆的表面供给纯水，而是边以与所述第一转速相同或较之更快的第二转速使所述硅晶圆旋转，边将存在于所述硅晶圆表面的氢氟酸甩尽的工序；以及边以比所述第二转速更快的第三转速使所述表面的氢氟酸被甩尽后的所述硅晶圆旋转，边对所述硅晶圆的表面供给臭氧水而进行处理的工序。由此可提供一种能够抑制水痕或颗粒的附着而提升晶圆品质的硅晶圆的清洗方法。
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公开(公告)号：CN105164792B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201480023016.2
申请日：2014-04-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B3/12
CPC classification number: B08B3/12 , H01L21/02052 , H01L21/67057
Abstract: 本发明涉及一种清洗方法，其是使用在底面具有倾斜的清洗槽来进行被清洗物的超声波清洗的清洗方法，其特征在于，使用多个所述清洗槽，并使该多个清洗槽的底面的倾斜方向在每个相邻的清洗槽改变，来清洗所述被清洗物。由此，能够解决在通过超声波清洗所实施的晶圆清洗中的晶圆清洗不均。
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公开(公告)号：CN119343486A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202380046231.3
申请日：2023-05-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/36 , C23C16/24 , C30B25/18 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明为一种异质外延片的制造方法，其为使3C‑SiC单晶膜在单晶硅基板上异质外延生长的异质外延片的制造方法，其包括：使用减压CVD装置，通过氢焙去除单晶硅基板的表面的自然氧化膜的第一工序；一边供给包含碳的源气体，一边在压力为13Pa以上且13332Pa以下、温度为600℃以上且1200℃以下的条件下在单晶硅基板上进行SiC的核形成的第二工序；及一边供给包含碳和硅的源气体，一边在压力为13Pa以上且13332Pa以下、温度为800℃以上且小于1200℃的条件下使SiC单晶生长从而形成3C‑SiC单晶膜的第三工序。由此，提供一种异质外延片的制造方法，其能够效率良好地使质量良好的3C‑SiC单晶膜在单晶硅基板上异质外延生长。
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