半导体装置
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110911375A

    公开(公告)日:2020-03-24

    申请号:CN201910852738.3

    申请日:2019-09-10

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,具备:第一导体板;单个第一半导体元件,配置于第一导体板的主面上;密封体,将第一半导体元件密封;及第一电力端子,在密封体的内部连接于第一导体板,并且从密封体沿着第一方向突出。第一导体板的主面具有位于第一电力端子侧的第一边和在第一方向上位于与第一边相反一侧的第二边。在第一方向上,从第一半导体元件到第一边的距离比从第一半导体元件到第二边的距离大。

    半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN107104056A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201610989359.5

    申请日:2016-11-10

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法,其目的在于,在相互被焊接的两个部件的各Ni膜上生成预先设定的量的(Cu,Ni)6Sn5。本发明的半导体装置的制造方法包括第一热处理工序、第二热处理工序和第三热处理工序。在第一热处理工序中,使含有重量百分比0.9%以上的Cu的第一Sn‑Cu系焊锡在被形成于第一部件上的Ni膜上熔融,从而在第一部件的Ni膜上生成(Cu,Ni)6Sn5。在第二热处理工序中,使含有重量百分比0.9%以上的Cu的第二Sn‑Cu系焊锡在被形成于第二部件上的Ni膜上熔融,从而在第二部件的Ni膜上生成(Cu,Ni)6Sn5。而且,在第三热处理工序中,使第一热处理工序后的第一Sn‑Cu系焊锡与第二热处理工序后的第二Sn‑Cu系焊锡熔融而一体化,从而使第一部件与第二部件相互接合。

    功率模块
    26.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103534805B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201180070873.4

    申请日:2011-05-16

    Abstract: 一种功率模块,其将表面上接合有第一开关元件的第一电极、表面上接合有第二开关元件的第二电极、和第三电极,按照所述第一电极、所述第一开关元件、所述第二电极、所述第二开关元件以及所述第三电极的顺序而配置于层压方向上,所述功率模块的特征在于,具有:第一至第三电极片,分别与所述第一至第三电极电连接;第一及第二信号线,分别与所述第一及第二开关元件电连接,所述第一至第三电极片和所述第一及第二信号线以在与所述第二电极同一平面上向外侧延伸的方式而设置。

    半导体模块
    29.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103081098B

    公开(公告)日:2015-08-05

    申请号:CN201080068904.8

    申请日:2010-09-02

    Abstract: 半导体模块(1、2、3、4、5)包括:半导体元件(10);布线部件(20、22),其与半导体元件相连接;冷却板(50、501、502、503、504),其为具有半导体元件侧的第一面、和与该第一面为相反侧的第二面的冷却板(50、501、502、503、504),且在第一方向(Y)上的端部处具有结合部(52、521、522、524a+524b);模压部(60),其通过在半导体元件(10)、布线部件(20、22)及冷却板上模压树脂而形成,冷却板的结合部(52、521、522、524a+524b)从模压部中露出,并且,布线部件的端子以在与第一方向(Y方向)大致垂直的第二方向(X方向)上延伸的方式而从模压部中露出。

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