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公开(公告)号：CN1845308A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610024846.4
申请日：2006-03-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/76
Abstract: 本发明涉及提高MOS晶体管场区抗总剂量辐射的加固方法，属于微电子与固体电子学中、半导体集成电路加工技术领域。本发明的特征在于在金属氧化物半导体器件制备工艺流程的刻蚀硅岛、场注入、去胶清洗、场氧化之后，以及预栅氧之前，在场区氧化层中室温下注入氮、氟、硅或锗离子中的一种或者它们的组合，在惰性气氛的保护下，于800～1000℃的温度退火30～60min，然后正常进行后续工艺，注入的能量和剂量根据场氧化层的厚度决定；在氧化层中引入深电子陷阱，避免了边缘漏电流，减小了辐射产生正电荷对器件的影响，从而提高了器件的抗总剂量辐射的水平。而且这种方法不用特殊制备氧化埋层的方法，适用于商业化生产。
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公开(公告)号：CN1763918A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510029396.3
申请日：2005-09-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种提高基于绝缘体上的硅材料的金属－氧化物－半导体场效应晶体管(MOSFET)抗总剂量辐射的场区加固方法，属于微电子技术领域。由此可见，其特征在于所述的场效应晶管制作的工艺过程进行体注入时，采用先进行高浓度深注入，再进行较低浓度的浅注入的分步注入方法，在晶体管的体区、靠近顶层硅/隐埋氧化层界面的顶层硅部分，即背沟道引入重掺杂，通过分别调节前沟和背沟的阈值电压；在不影响前沟阈值电压的情况下，提高背沟阈值电压，使背沟区域的硅层很难反型形成沟道，降低背沟漏电流。本发明提供的加固方法能大幅度减少辐射引起的背沟漏电流，因此具有抗总剂量辐射的优越性能，适用于商业化生产。
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公开(公告)号：CN114640324B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202210157404.6
申请日：2022-02-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种低功耗周期脉冲产生电路，包括：开关电路、第一节点和第二节点，所述开关电路通过所述第一节点分别与充放电电路和电位上升电路相连；所述第二节点与缓冲电路相连，所述缓冲电路的输出端通过反相电路与所述开关电路的控制端相连；所述电位上升电路用于使所述第二节点的电位快速上升，通过灵活运用衬偏调制效应和集成电路中N阱电位灵活配置的特性，通过隔断缓慢变化的信号下降沿对次级反相器的影响，减小次级反相器的漏电电流实现整体电路的低功耗。
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公开(公告)号：CN104377143B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201410509907.0
申请日：2014-09-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种测试MOS器件阱电阻的方法，所述测试MOS器件阱电阻的方法至少包括：选取芯片中的一个MOS管，将其源极及体区接地，并在栅极加上工作电压VDD，在漏极加上扫描电流ID，同时测量漏极电压VD及体区电流Ibody；绘制VD‑ID曲线，寻找曲线中的漏极电压反转点，记录该反转点所对应的漏极电流ID,turn，通过公式Rw=Vpt/Ibody，turn计算得到阱电阻Rw。本发明选取芯片中本身存在的MOS管作为测试结构来测试阱电阻，不需要额外设计用来测量阱电阻的测试结构，从而节省芯片面积，降低制造成本；本发明还可以进一步根据MOS管的沟道长度、宽度参数得到MOS管的阱方块电阻；为了提高提取精度，本发明可以选取器件尺寸（沟道长度、宽度）较大的MOS管，以减小LDD区域对测试精度的影响。
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公开(公告)号：CN104465651B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410712386.9
申请日：2014-11-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种SOI ESD两级保护网络，包括：第一级保护网络，由第一二极管及第二二极管组成；第二级保护网络，包括PMOS晶体管、外接电阻、缓冲电阻和硅控整流器，其中，所述缓冲电阻的第一端接保护网络的输入端，第二端接所述硅控整流器的P型层及N阱区，并作为保护网络的输出端，所述PMOS晶体管的栅端和体端接电源线，源端接保护网络的输入端，漏端接所述外接电阻的第一端，并与所述硅控整流器的P阱区连接，所述外接电阻的第二端接地线，所述硅控整流器的N型层接地线。本项发明的SOI硅控整流器采用动态触发的原理，可以大大提高二级保护的反应速度，并大大降低内部电路栅击穿的可能性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104392992B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201410738258.1
申请日：2014-12-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构，包括SOI衬底；所述SOI衬底的顶层硅中定义有有源区，所述有源区中形成有P阱及N阱；其中：所述有源区表面形成有假栅极型硅化物隔离结构，所述假栅极型硅化物隔离结构周围的有源区表面形成有金属硅化物层。本发明利用假栅极型硅化物隔离结构来实现有源区中不同类型重掺杂区以及阱区之间的金属硅化物阻隔，其中，该假栅极可与SOI衬底上其它区域的正常栅极结构同时制作，从而减少了一层硅化物阻挡层掩膜版，有利于节约生产成本；制作工艺与SOI CMOS工艺完全兼容，具有很强的设计可行性；本发明的ESD保护器件结构可以单独使用，也可以结合其他外部电路或器件使用，达到更好的抗ESD保护效果。
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公开(公告)号：CN104392992A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410738258.1
申请日：2014-12-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构，包括SOI衬底；所述SOI衬底的顶层硅中定义有有源区，所述有源区中形成有P阱及N阱；其中：所述有源区表面形成有假栅极型硅化物隔离结构，所述假栅极型硅化物隔离结构周围的有源区表面形成有金属硅化物层。本发明利用假栅极型硅化物隔离结构来实现有源区中不同类型重掺杂区以及阱区之间的金属硅化物阻隔，其中，该假栅极可与SOI衬底上其它区域的正常栅极结构同时制作，从而减少了一层硅化物阻挡层掩膜版，有利于节约生产成本；制作工艺与SOICMOS工艺完全兼容，具有很强的设计可行性；本发明的ESD保护器件结构可以单独使用，也可以结合其他外部电路或器件使用，达到更好的抗ESD保护效果。
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公开(公告)号：CN101901754B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201010211448.X
申请日：2010-06-25
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/762
Abstract: 发明提供了一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法，包括如下步骤：提供支撑衬底与器件衬底；在支撑衬底或器件衬底的表面生长绝缘层；在绝缘层中注入纳米晶改性离子；通过绝缘层将支撑衬底与器件衬底键合在一起；实施键合后的退火加固。本发明的优点在于，通过对工艺顺序的巧妙调整，在不影响其他工艺的前提下，将形成纳米晶所采用的离子注入的步骤调整在键合之前实施的，从而不会影响到器件层的晶格完整性，提高了所制备的SOI材料的晶体质量。
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公开(公告)号：CN102437179A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110402796.X
申请日：2011-12-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构，包括具有源区、漏区及沟道区的有源区、位于所述有源区四周侧的浅沟道隔离槽、位于所述沟道区上且采用双边缘超出有源区结构的栅区、以及两个虚设浅沟道隔离槽，其中，所述两虚设浅沟道隔离槽间隔设置于所述有源区内且与所述栅区相互垂直。在原始的版图结构中增加了虚设浅沟槽隔离氧化物，使得器件沟道区边缘的栅延长到隔离氧化物区域宽度减小，阻止源漏之间形成漏电路径，从而达到抗总剂量加固的目的。本发明工艺简单，适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN1655323A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200410093367.9
申请日：2004-12-22
Applicant: 上海新傲科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种改进注氧隔离技术制备的绝缘体上的硅锗材料结构及工艺，在半导体衬底上依次是体硅锗层、注氧埋层和顶层硅锗，工艺依次包括离子注入、二氧化硅保护层生长、高温退火和二氧化硅去除。本发明利用锗在二氧化硅中扩散系数小的原理，在离子注入后引入二氧化硅层缓解高温退火下锗的外扩散和晶格质量恶化，得到锗含量高的绝缘体上的硅锗材料。离子注入的能量是15～80keV，注入后，在硅锗上生长二氧化硅层，层厚20～120nm；在1200～1375℃范围内退火，退火气氛为氩气或氮气与氧气的混合气体，最后去除二氧化硅保护层。制备的绝缘体上的硅锗材料埋氧层连续，锗含量高，全释放。
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