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公开(公告)号：CN103984298A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410148580.9
申请日：2014-04-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05B19/418
Abstract: 本发明涉及一种建筑节能系统，包括建筑节能装置和环境采集设备，环境采集设备布设在建筑物内采集建筑物内的环境参数；建筑节能装置包括：第一传输模块与环境采集设备实现连接，用于获取环境采集设备采集的建筑物内的环境参数；能耗设备状态采集模块，用于采集能耗设备的状态参数；第一主处理器用于根据获得的环境参数和能耗设备的状态参数建立环境参数和状态参数的数学模型，进而找出环境参数和状态参数两者间的算法关系，根据该算法关系，结合人体舒适度的环境指标需求，通过能耗设备控制模块对建筑物内的能耗设备进行控制。本发明能实现人体舒适度和建筑节能的和谐统一。
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公开(公告)号：CN103796396A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410060438.9
申请日：2014-02-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H05B37/02
CPC classification number: Y02B20/40
Abstract: 本发明涉及一种实现楼宇照明节能控制的系统及方法，其中包括第一终端节点，用以采集人员信息；第二终端节点，用以采集光线强度信息；第三终端节点，用以根据照明模式控制指令对房间的照明模式进行设置；路由节点，用以接收第一终端节点和第二终端节点发送的人员信息和光线强度信息后进行综合处理并选择与房间适合的照明模式控制指令发送至所对应的第三终端节点。采用该种结构的实现楼宇照明节能控制的系统及方法，不但可以工作于全自动状态，根据室内场景变化自动切换照明模式，还具备节能的特点，最大限度降低能源消耗，克服了传统照明控制系统管理落后、浪费能源、舒适性差及布线复杂等缺陷，具有更广泛的应用范围。
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公开(公告)号：CN102494988A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110403893.0
申请日：2011-12-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法，依据具有浅沟道隔离槽结构的深亚微米器件原型的测试数据初步构建器件模型，依据衬底掺杂浓度分布把所述器件模型的浅沟道隔离槽定位出顶部区域与底部区域，并依据经过辐射后器件的测试数据对所述顶部区域及底部区域添加不同的等效模拟电荷获得与测试数据拟合的模拟数据，以确定所述等效模拟电荷在所述深亚微米器件模型顶部区域及底部区域的作用，从而确定总剂量辐射效应在所述深亚微米器件原型顶部区域及底部区域的作用。本方法步骤简单，能较准确的模拟深亚微米器件总剂量辐射效应，并能反应总剂量辐射效应对器件不同部位的影响，为器件的抗总剂量辐射效应的加固提供可靠的依据。
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公开(公告)号：CN101901754B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201010211448.X
申请日：2010-06-25
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/762
Abstract: 发明提供了一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法，包括如下步骤：提供支撑衬底与器件衬底；在支撑衬底或器件衬底的表面生长绝缘层；在绝缘层中注入纳米晶改性离子；通过绝缘层将支撑衬底与器件衬底键合在一起；实施键合后的退火加固。本发明的优点在于，通过对工艺顺序的巧妙调整，在不影响其他工艺的前提下，将形成纳米晶所采用的离子注入的步骤调整在键合之前实施的，从而不会影响到器件层的晶格完整性，提高了所制备的SOI材料的晶体质量。
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公开(公告)号：CN102437179A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110402796.X
申请日：2011-12-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构，包括具有源区、漏区及沟道区的有源区、位于所述有源区四周侧的浅沟道隔离槽、位于所述沟道区上且采用双边缘超出有源区结构的栅区、以及两个虚设浅沟道隔离槽，其中，所述两虚设浅沟道隔离槽间隔设置于所述有源区内且与所述栅区相互垂直。在原始的版图结构中增加了虚设浅沟槽隔离氧化物，使得器件沟道区边缘的栅延长到隔离氧化物区域宽度减小，阻止源漏之间形成漏电路径，从而达到抗总剂量加固的目的。本发明工艺简单，适用于大规模的工业生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103984298B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410148580.9
申请日：2014-04-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05B19/418
Abstract: 本发明涉及一种建筑节能系统，包括建筑节能装置和环境采集设备，环境采集设备布设在建筑物内采集建筑物内的环境参数；建筑节能装置包括：第一传输模块与环境采集设备实现连接，用于获取环境采集设备采集的建筑物内的环境参数；能耗设备状态采集模块，用于采集能耗设备的状态参数；第一主处理器用于根据获得的环境参数和能耗设备的状态参数建立环境参数和状态参数的数学模型，进而找出环境参数和状态参数两者间的算法关系，根据该算法关系，结合人体舒适度的环境指标需求，通过能耗设备控制模块对建筑物内的能耗设备进行控制。本发明能实现人体舒适度和建筑节能的和谐统一。
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公开(公告)号：CN101908472B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201010211441.8
申请日：2010-06-25
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供了一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法，包括如下步骤：提供器件衬底和支撑衬底，所述器件衬底中具有腐蚀自停止层；选择在器件衬底和支撑衬底的一个或者两个的表面形成绝缘层；在绝缘层中注入纳米晶改性离子；通过绝缘层将器件衬底和支撑衬底键合在一起；实施键合后的退火加固；利用腐蚀自停止层将器件衬底减薄至目标厚度以在绝缘层表面形成器件层。本发明的优点在于，通过对工艺顺序的巧妙调整，在不影响其他工艺的前提下，将形成纳米晶所采用的离子注入的步骤调整在键合之前实施的，从而不会影响到器件层的晶格完整性，提高了所制备的SOI材料的晶体质量。
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公开(公告)号：CN103791591A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410060537.7
申请日：2014-02-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: F24F11/00
Abstract: 本发明涉及一种基于自适应学习实现空调智能节能控制的系统，其中包括客户端装置；中心控制平台，用以通过所述的客户端装置接收用户指令信息并对用户操作习惯进行自适应学习；控制器装置，与被控制的空调相连接，所述的控制器装置用以接收所述的中心控制平台的控制信息对所述的空调进行控制。采用该种结构的基于自适应学习实现空调智能节能控制的系统，可以实现用户在室内及其他任何地点通过客户端装置可以随时随地控制空调设备，通过自适应学习功能可以按照用户设定习惯对温度进行自动调节控制，通过红外传感器检测室内没有人体活动时，切换到无人控制模式，很好地降低了设备能耗，便于用户使用，具有更广泛的应用范围。
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公开(公告)号：CN102494988B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110403893.0
申请日：2011-12-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法，依据具有浅沟道隔离槽结构的深亚微米器件原型的测试数据初步构建器件模型，依据衬底掺杂浓度分布把所述器件模型的浅沟道隔离槽定位出顶部区域与底部区域，并依据经过辐射后器件的测试数据对所述顶部区域及底部区域添加不同的等效模拟电荷获得与测试数据拟合的模拟数据，以确定所述等效模拟电荷在所述深亚微米器件模型顶部区域及底部区域的作用，从而确定总剂量辐射效应在所述深亚微米器件原型顶部区域及底部区域的作用。本方法步骤简单，能较准确的模拟深亚微米器件总剂量辐射效应，并能反应总剂量辐射效应对器件不同部位的影响，为器件的抗总剂量辐射效应的加固提供可靠的依据。
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公开(公告)号：CN102437179B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201110402796.X
申请日：2011-12-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构，包括具有源区、漏区及沟道区的有源区、位于所述有源区四周侧的浅沟道隔离槽、位于所述沟道区上且采用双边缘超出有源区结构的栅区、以及两个虚设浅沟道隔离槽，其中，所述两虚设浅沟道隔离槽间隔设置于所述有源区内且与所述栅区相互垂直。在原始的版图结构中增加了虚设浅沟槽隔离氧化物，使得器件沟道区边缘的栅延长到隔离氧化物区域宽度减小，阻止源漏之间形成漏电路径，从而达到抗总剂量加固的目的。本发明工艺简单，适用于大规模的工业生产。
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