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公开(公告)号：CN102386123B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201110215676.9
申请日：2011-07-29
申请人： 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 本发明提供了一种制备具有均匀厚度器件层的衬底的方法，包括如下步骤：提供外延衬底和支撑衬底，所述外延衬底的材料为半导体材料；在所述外延衬底表面外延生长器件层；在所述支撑衬底和/或器件层的表面形成绝缘层；以绝缘层为中间层，将外延衬底和支撑衬底键合在一起：采用选择性腐蚀工艺腐蚀外延衬底至器件层与外延衬底的界面处。本发明的优点在于，外延的器件层边缘区域比中心区域厚，这正好抵消了自掺杂效应对自停止腐蚀工艺的影响，从而获得了具有均匀厚度的器件层。
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公开(公告)号：CN101901754B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201010211448.X
申请日：2010-06-25
申请人： 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/762
摘要： 发明提供了一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法，包括如下步骤：提供支撑衬底与器件衬底；在支撑衬底或器件衬底的表面生长绝缘层；在绝缘层中注入纳米晶改性离子；通过绝缘层将支撑衬底与器件衬底键合在一起；实施键合后的退火加固。本发明的优点在于，通过对工艺顺序的巧妙调整，在不影响其他工艺的前提下，将形成纳米晶所采用的离子注入的步骤调整在键合之前实施的，从而不会影响到器件层的晶格完整性，提高了所制备的SOI材料的晶体质量。
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公开(公告)号：CN101901753B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010211396.6
申请日：2010-06-25
申请人： 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/762
摘要： 一种带有绝缘埋层的厚膜材料的制备方法，包括如下步骤：提供一支撑衬底；采用研磨减薄工艺修正所述支撑衬底，以减小衬底的总厚度偏差；抛光支撑衬底表面以降低粗糙度；将支撑衬底与器件层衬底通过一绝缘层键合在一起；将器件层衬底减薄至其厚度与最终器件层目标厚度差的范围是1μm至10μm；抛光减薄后的器件层衬底。本发明的优点在于，通过引入衬底修正的方法对支撑衬底的均匀性进行修正，以提高最终衬底的顶层半导体层的厚度均匀性。
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公开(公告)号：CN102386123A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110215676.9
申请日：2011-07-29
申请人： 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 本发明提供了一种制备具有均匀厚度器件层的衬底的方法，包括如下步骤：提供外延衬底和支撑衬底，所述外延衬底的材料为半导体材料；在所述外延衬底表面外延生长器件层；在所述支撑衬底和/或器件层的表面形成绝缘层；以绝缘层为中间层，将外延衬底和支撑衬底键合在一起：采用选择性腐蚀工艺腐蚀外延衬底至器件层与外延衬底的界面处。本发明的优点在于，外延的器件层边缘区域比中心区域厚，这正好抵消了自掺杂效应对自停止腐蚀工艺的影响，从而获得了具有均匀厚度的器件层。
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公开(公告)号：CN102130037A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010607936.2
申请日：2010-12-27
申请人： 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/48
摘要： 一种采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，包括如下步骤：提供器件衬底与支撑衬底；在器件衬底的表面形成绝缘层；热处理器件衬底，从而在所述器件衬底的表面形成洁净区域；将带有绝缘层的器件衬底与支撑衬底键合，使绝缘层夹在器件衬底与支撑衬底之间；对键合界面实施退火加固，使键合界面的牢固程度能够满足后续倒角研磨、减薄以及抛光工艺的要求；对键合后的器件衬底实施倒角研磨、减薄以及抛光。本发明的优点在于，在键合前采用吸杂工艺对器件衬底进行处理，表面形成洁净区域，随后将该洁净区域转移到另一片支撑衬底之上，得到具有高晶体质量的键合材料。
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公开(公告)号：CN101958238A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010223192.4
申请日：2010-07-09
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/306
摘要： 本发明涉及一种制备悬空应变材料的方法，其特征在于制备的步骤是：a)提供一层具有各向异性腐蚀特性的半导体衬底材料；b)在步骤a所述的半导体材料上外延生长一层晶格常数比衬底材料大的晶体材料，外延的晶体材料层的厚度控制在临界厚度之内；c)接着在衬底材料底部上涂光刻胶，曝光刻蚀出所需的图形；d)对衬底材料进行湿法刻蚀，放入到KOH或TMAH溶液中，刻蚀到外延的晶体材料处自动停止；e)将步骤d所得材料进行退火工艺，使外延晶体材料中应力完全释放；退火温度为300-1000℃；f)退火后在图形上外延淀积晶体层，使晶体层受压应力或张应力；g)腐蚀移除晶体材料，从而制得悬空的应变材料，制备出的悬空材料中不存在应力释放，也即制备出的悬空材料无应力释放。
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公开(公告)号：CN101609800B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200910053504.9
申请日：2009-06-19
申请人： 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/20 , H01L21/02
摘要： 一种制备混合晶向半导体衬底的方法，包括如下步骤：提供键合衬底，所述键合衬底包括剥离层、第一半导体层以及腐蚀停止层；提供第二半导体支撑衬底，所述第二半导体支撑衬底表面具有第二晶面；在第一半导体层或者第二半导体支撑衬底表面形成媒介层，或者在第一半导体层和第二半导体支撑衬底的表面均形成媒介层；将第二半导体支撑衬底与键合衬底键合；采用选择性腐蚀工艺除去剥离层和腐蚀停止层；对键合后衬底进行退火。本发明的优点在于，利用高温退火消除键合界面的由亲水键合导致的自然氧化层的办法，能够制备出全局混合晶向体硅衬底，并且该全局混合晶向半导体衬底的表面半导体层具有良好的厚度均匀性。
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公开(公告)号：CN101901754A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010211448.X
申请日：2010-06-25
申请人： 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/762
摘要： 本发明提供了一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法，包括如下步骤：提供支撑衬底与器件衬底；在支撑衬底或器件衬底的表面生长绝缘层；在绝缘层中注入纳米晶改性离子；通过绝缘层将支撑衬底与器件衬底键合在一起；实施键合后的退火加固。本发明的优点在于，通过对工艺顺序的巧妙调整，在不影响其他工艺的前提下，将形成纳米晶所采用的离子注入的步骤调整在键合之前实施的，从而不会影响到器件层的晶格完整性，提高了所制备的SOI材料的晶体质量。
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公开(公告)号：CN101724909A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910200125.8
申请日：2009-12-08
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技股份有限公司
摘要： 一种三维光子晶体制备方法，利用二氧化硅或氮化硅作为掩模层，通过氧离子注入方法将掩模层上的所需图形转移到硅衬底材料内，在硅衬底内形成第一层二氧化硅结构，接着再外延单晶硅并平坦化外延层表面，沉积掩模层、光刻刻蚀、氧离子注入并退火等形成第二层二氧化硅结构，重复上述步骤n次，直至构建完成设计所需的三维光子晶体结构。该方法与半导体工艺完全兼容，可以制备大面积的三维光子晶体，并可根据需要切割成较小尺寸，具有高效、低成本的优势，在光电集成器件中，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102590936B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110004002.4
申请日：2011-01-10
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种锗悬浮膜式二维光子晶体微腔，包括：具有埋氧层、且表层为锗悬浮膜层的半导体基底，其中，所述锗悬浮膜层包含光子晶体微腔，所述光子晶体微腔由周期性排列的孔体构成、但部分区域缺失孔体。此外，本发明还提供了该锗悬浮膜式二维光子晶体微腔的制备方法，即先在半导体基底的锗薄膜层中掺杂以形成n型重掺杂层，随后，对重掺杂层进行微机械加工以便在部分区域形成光子晶体微腔，最后，对整片器件进行湿法腐蚀，其中，可通过控制腐蚀时间以控制侧向腐蚀的程度，从而去除光子晶体微腔下的埋氧层实现悬浮膜。本发明的优点在于：能够通过调节悬浮的锗薄膜的应变从而实现锗向直接带隙的转变，并通过光子晶体微腔的增强作用实现发光效率的提高。
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