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公开(公告)号：CN102130037B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201010607936.2
申请日：2010-12-27
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/48
Abstract: 一种采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，包括如下步骤：提供器件衬底与支撑衬底；在器件衬底的表面形成绝缘层；热处理器件衬底，从而在所述器件衬底的表面形成洁净区域；将带有绝缘层的器件衬底与支撑衬底键合，使绝缘层夹在器件衬底与支撑衬底之间；对键合界面实施退火加固，使键合界面的牢固程度能够满足后续倒角研磨、减薄以及抛光工艺的要求；对键合后的器件衬底实施倒角研磨、减薄以及抛光。本发明的优点在于，在键合前采用吸杂工艺对器件衬底进行处理，表面形成洁净区域，随后将该洁净区域转移到另一片支撑衬底之上，得到具有高晶体质量的键合材料。
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公开(公告)号：CN102564627A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110446116.4
申请日：2011-12-28
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01K7/01
Abstract: 本发明涉及半导体材料测试领域。本发明提供一种半导体衬底的自热测量装置，包括一二极管、一导热胶层、一直流电流源和一电压计；导热胶层的一面与二极管形成导热接触；直流电流源与二极管的两端电学连接；电压计与二极管的两端电学连接。其测试方法包括步骤：提供待测的半导体衬底；在待测区域处的裸露表面粘附一导热胶层；将二极管粘附于导热胶层的裸露表面；分别将电压计，直流电流源与二极管电学连接；测得半导体衬底的温度。本发明提供的测量装置和测量方法具有反复使用、成本低廉、受环境影响小，且在测试时候的测试精度高。
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公开(公告)号：CN102130039B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201010608061.8
申请日：2010-12-27
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/324 , H01L21/48
Abstract: 一种采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，包括：提供器件衬底与支撑衬底；在器件衬底的表面形成绝缘层；采用两步热处理工艺热处理器件衬底；将带有绝缘层的器件衬底与支撑衬底键合，使绝缘层夹在器件衬底与支撑衬底之间；对键合界面实施退火加固；对键合后的器件衬底实施倒角研磨、减薄以及抛光。本发明的优点在于，在键合前采用吸杂工艺对器件衬底进行处理，表面形成洁净区域，随后将该洁净区转移到另一片支撑衬底之上，得到具有高晶体质量的键合材料。并且在热处理器件衬底的工艺中仅采用了两步热处理步骤，而将第三步高温热处理步骤与后续加固键合界面的步骤整合成一步，从而降低了工艺复杂度，节约了工艺成本并提高了工艺效率。
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公开(公告)号：CN102427052B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201110343183.3
申请日：2011-11-03
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供具有高效复合中心的SOI材料衬底及其制备方法，属于半导体材料的制备领域。一种SOI材料衬底，包括一硅衬底，一埋氧层和一具有第一掺杂类型的顶层硅层，所述顶层硅层中还掺有重金属元素；一种制备上述衬底的方法，包括以下步骤：在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入重金属元素；在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入第一掺杂类型的杂质。本发明解决了现有技术中在体硅材料中掺杂重金属元素时候的较高工艺成本的问题；同时改变掺杂的顺序，提高了衬底的质量。
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公开(公告)号：CN102130039A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010608061.8
申请日：2010-12-27
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/324 , H01L21/48
Abstract: 一种采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，包括：提供器件衬底与支撑衬底；在器件衬底的表面形成绝缘层；采用两步热处理工艺热处理器件衬底；将带有绝缘层的器件衬底与支撑衬底键合，使绝缘层夹在器件衬底与支撑衬底之间；对键合界面实施退火加固；对键合后的器件衬底实施倒角研磨、减薄以及抛光。本发明的优点在于，在键合前采用吸杂工艺对器件衬底进行处理，表面形成洁净区域，随后将该洁净区转移到另一片支撑衬底之上，得到具有高晶体质量的键合材料。并且在热处理器件衬底的工艺中仅采用了两步热处理步骤，而将第三步高温热处理步骤与后续加固键合界面的步骤整合成一步，从而降低了工艺复杂度，节约了工艺成本并提高了工艺效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102427052A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110343183.3
申请日：2011-11-03
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供具有高效复合中心的SOI材料衬底及其制备方法，属于半导体材料的制备领域。一种SOI材料衬底，包括一硅衬底，一埋氧层和一具有第一掺杂类型的顶层硅层，所述顶层硅层中还掺有重金属元素；一种制备上述衬底的方法，包括以下步骤：在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入重金属元素；在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入第一掺杂类型的杂质。本发明解决了现有技术中在体硅材料中掺杂重金属元素时候的较高工艺成本的问题；同时改变掺杂的顺序，提高了衬底的质量。
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公开(公告)号：CN102403321A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110293178.6
申请日：2011-09-30
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 用于缩短SOIPN结二极管反向恢复时间的半导体装置，属于PN二极管技术领域。该发明提供SOIPN结二极管串联链，其中二极管的制备方式有背靠背与单阱两种。通过SOIPN结二极管串联结构的应用，可以有效的缩短其反向恢复时间。
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公开(公告)号：CN102130037A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010607936.2
申请日：2010-12-27
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/48
Abstract: 一种采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，包括如下步骤：提供器件衬底与支撑衬底；在器件衬底的表面形成绝缘层；热处理器件衬底，从而在所述器件衬底的表面形成洁净区域；将带有绝缘层的器件衬底与支撑衬底键合，使绝缘层夹在器件衬底与支撑衬底之间；对键合界面实施退火加固，使键合界面的牢固程度能够满足后续倒角研磨、减薄以及抛光工艺的要求；对键合后的器件衬底实施倒角研磨、减薄以及抛光。本发明的优点在于，在键合前采用吸杂工艺对器件衬底进行处理，表面形成洁净区域，随后将该洁净区域转移到另一片支撑衬底之上，得到具有高晶体质量的键合材料。
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公开(公告)号：CN105226067B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201510526058.4
申请日：2015-08-25
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种带有电荷陷阱和绝缘埋层的衬底及其制备方法。所述带有电荷陷阱和绝缘埋层的衬底，包括支撑层、支撑层表面的第一绝缘埋层以及第一绝缘埋层表面的器件层，在支撑层靠近第一绝缘埋层一侧的表面具有电荷陷阱层，所述电荷陷阱层具有俘获电荷的能力，并且所述支撑层和电荷陷阱层之间进一步包括第二绝缘埋层。本发明的优点在于，电荷陷阱层能够通过晶体内部的缺陷来俘获载流子，达到阻碍电荷流动的目的，提高寄生电路的阻抗，降低串扰的效果。而第二绝缘埋层的作用在于电学隔离衬支撑衬底与电荷陷阱层，防止电荷通过支撑衬底向环境中迁移，进一步加强了电荷陷阱层的电学特性。
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公开(公告)号：CN105140107A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510526087.0
申请日：2015-08-25
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02595 , H01L21/02123 , H01L21/02592
Abstract: 本发明提供了一种带有电荷陷阱和绝缘埋层衬底的制备方法，包括如下步骤：提供支撑衬底；在所述支撑衬底表面形成多晶层作为电荷陷阱；在所述多晶层表面形成覆盖层，所述覆盖层为非晶绝缘材料；抛光所述覆盖层的表面；以被抛光的表面作为键合面，与一器件衬底键合。本发明的优点在于，采用了非晶绝缘的覆盖层作为键合表面，避免了直接对多晶层实施抛光和键合，降低了抛光和键合的难度。
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