公开(公告)号：CN102427052B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201110343183.3

申请日：2011-11-03

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王学良 ,  张峰 ,  叶斐 ,  赵常盛 ,  王曦

IPC: H01L21/762 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供具有高效复合中心的SOI材料衬底及其制备方法，属于半导体材料的制备领域。一种SOI材料衬底，包括一硅衬底，一埋氧层和一具有第一掺杂类型的顶层硅层，所述顶层硅层中还掺有重金属元素；一种制备上述衬底的方法，包括以下步骤：在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入重金属元素；在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入第一掺杂类型的杂质。本发明解决了现有技术中在体硅材料中掺杂重金属元素时候的较高工艺成本的问题；同时改变掺杂的顺序，提高了衬底的质量。

公开(公告)号：CN102427052A

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201110343183.3

申请日：2011-11-03

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王学良 ,  张峰 ,  叶斐 ,  赵常盛 ,  王曦

IPC: H01L21/762 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供具有高效复合中心的SOI材料衬底及其制备方法，属于半导体材料的制备领域。一种SOI材料衬底，包括一硅衬底，一埋氧层和一具有第一掺杂类型的顶层硅层，所述顶层硅层中还掺有重金属元素；一种制备上述衬底的方法，包括以下步骤：在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入重金属元素；在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入第一掺杂类型的杂质。本发明解决了现有技术中在体硅材料中掺杂重金属元素时候的较高工艺成本的问题；同时改变掺杂的顺序，提高了衬底的质量。

公开(公告)号：CN102403321A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110293178.6

申请日：2011-09-30

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王学良 ,  林成鲁 ,  张峰 ,  赵常盛 ,  叶斐 ,  王曦

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

Abstract: 用于缩短SOIPN结二极管反向恢复时间的半导体装置，属于PN二极管技术领域。该发明提供SOIPN结二极管串联链，其中二极管的制备方式有背靠背与单阱两种。通过SOIPN结二极管串联结构的应用，可以有效的缩短其反向恢复时间。