一种绝缘体上锗硅和应变硅材料的制备方法

    公开(公告)号:CN101901780A

    公开(公告)日:2010-12-01

    申请号:CN201010211457.9

    申请日:2010-06-25

    Abstract: 一种绝缘体上锗硅材料的制备方法,包括如下步骤:提供含有空洞层的衬底;在衬底表面外延生长锗硅层;将改性离子注入在空洞层的位置;退火形成绝缘埋层;在锗硅层表面生长应变硅层。本发明进一步提供了一种绝缘体上应变硅材料的制备方法,包括如下步骤:提供含有空洞层的衬底;在衬底表面外延生长锗硅层;将改性离子注入在空洞层的位置;退火形成绝缘埋层;在锗硅层表面生长应变硅层。本发明的优点在于,采用了含有空洞层的初始衬底作为外延锗硅的支撑衬底,在随后的注氧制备SiGeOI和应变硅材料的过程中,该空洞层能够有效地促进注入的改性离子的聚集形成绝缘层,从而得到高质量的SiGeOI和应变硅材料并降低生产成本。

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