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公开(公告)号:CN101914758A
公开(公告)日:2010-12-15
申请号:CN201010235023.2
申请日:2010-07-23
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种氧离子注入制备绝缘体上硅材料的方法,包括如下步骤:提供单晶硅衬底,所述单晶硅衬底具有一光滑的上表面;实施第一次氧离子注入,从单晶硅衬底的上表面注入;实施第二次氧离子注入,从单晶硅衬底的上表面注入;在含氧气氛下对单晶硅衬底实施退火;实施第三次氧离子注入,从单晶硅衬底的上表面注入;在含氧气氛下对单晶硅衬底再次实施退火;重复实施第三次离子注入以及退火的步骤以继续加厚绝缘埋层,至绝缘埋层的厚度达到目标厚度为止。
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公开(公告)号:CN101901753A
公开(公告)日:2010-12-01
申请号:CN201010211396.6
申请日:2010-06-25
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/762
Abstract: 一种带有绝缘埋层的厚膜材料的制备方法,包括如下步骤:提供一支撑衬底;采用研磨减薄工艺修正所述支撑衬底,以减小衬底的总厚度偏差;抛光支撑衬底表面以降低粗糙度;将支撑衬底与器件层衬底通过一绝缘层键合在一起;将器件层衬底减薄至其厚度与最终器件层目标厚度差的范围是1μm至10μm;抛光减薄后的器件层衬底。本发明的优点在于,通过引入衬底修正的方法对支撑衬底的均匀性进行修正,以提高最终衬底的顶层半导体层的厚度均匀性。
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公开(公告)号:CN101901753B
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201010211396.6
申请日:2010-06-25
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/762
Abstract: 一种带有绝缘埋层的厚膜材料的制备方法,包括如下步骤:提供一支撑衬底;采用研磨减薄工艺修正所述支撑衬底,以减小衬底的总厚度偏差;抛光支撑衬底表面以降低粗糙度;将支撑衬底与器件层衬底通过一绝缘层键合在一起;将器件层衬底减薄至其厚度与最终器件层目标厚度差的范围是1μm至10μm;抛光减薄后的器件层衬底。本发明的优点在于,通过引入衬底修正的方法对支撑衬底的均匀性进行修正,以提高最终衬底的顶层半导体层的厚度均匀性。
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公开(公告)号:CN101901780A
公开(公告)日:2010-12-01
申请号:CN201010211457.9
申请日:2010-06-25
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 一种绝缘体上锗硅材料的制备方法,包括如下步骤:提供含有空洞层的衬底;在衬底表面外延生长锗硅层;将改性离子注入在空洞层的位置;退火形成绝缘埋层;在锗硅层表面生长应变硅层。本发明进一步提供了一种绝缘体上应变硅材料的制备方法,包括如下步骤:提供含有空洞层的衬底;在衬底表面外延生长锗硅层;将改性离子注入在空洞层的位置;退火形成绝缘埋层;在锗硅层表面生长应变硅层。本发明的优点在于,采用了含有空洞层的初始衬底作为外延锗硅的支撑衬底,在随后的注氧制备SiGeOI和应变硅材料的过程中,该空洞层能够有效地促进注入的改性离子的聚集形成绝缘层,从而得到高质量的SiGeOI和应变硅材料并降低生产成本。
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公开(公告)号:CN101335236B
公开(公告)日:2011-07-06
申请号:CN200710173710.4
申请日:2007-12-28
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L21/822
Abstract: 本发明涉及一种利用桶式外延炉进行埋层外延用于制作BICMOS电路的制备方法,属于微电子技术领域。具体地说是一种利用桶式外延炉来制备BICMOS原材料的新工艺,新制备方法。这种新型制备方法相比于通常单片炉制备方法不但能满足BICMOS电路制作的高要求,而且具有高产量、低成本等优点。
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