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公开(公告)号：CN102494988A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110403893.0
申请日：2011-12-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法，依据具有浅沟道隔离槽结构的深亚微米器件原型的测试数据初步构建器件模型，依据衬底掺杂浓度分布把所述器件模型的浅沟道隔离槽定位出顶部区域与底部区域，并依据经过辐射后器件的测试数据对所述顶部区域及底部区域添加不同的等效模拟电荷获得与测试数据拟合的模拟数据，以确定所述等效模拟电荷在所述深亚微米器件模型顶部区域及底部区域的作用，从而确定总剂量辐射效应在所述深亚微米器件原型顶部区域及底部区域的作用。本方法步骤简单，能较准确的模拟深亚微米器件总剂量辐射效应，并能反应总剂量辐射效应对器件不同部位的影响，为器件的抗总剂量辐射效应的加固提供可靠的依据。
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公开(公告)号：CN112162446A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011102020.1
申请日：2020-10-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MZ电光调制器及其制备方法，MZ电光调制器包括从下至上的硅衬底、埋氧层、辐射加固层、硅层及氧化硅层；本发明将掺杂离子注入埋氧层中形成辐射加固层，以在辐射加固层中产生大量电子陷阱，从而可俘获电子，以补偿由于高能电离辐射所导致的Si/SiO2界面和体氧化物中所累积的正电荷，以此可降低绝缘埋氧层中正电荷数量，从而在对MZ电光调制器施加偏置电压之后，可以有效地减缓P型掺杂板被夹断的速度，增加载流子浓度变化的时长，使得有效折射率可以持续改变，从而可增加MZ电光调制器的调制时长，使得MZ电光调制器可以在辐射环境中工作更长时间。
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公开(公告)号：CN101908472B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201010211441.8
申请日：2010-06-25
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供了一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法，包括如下步骤：提供器件衬底和支撑衬底，所述器件衬底中具有腐蚀自停止层；选择在器件衬底和支撑衬底的一个或者两个的表面形成绝缘层；在绝缘层中注入纳米晶改性离子；通过绝缘层将器件衬底和支撑衬底键合在一起；实施键合后的退火加固；利用腐蚀自停止层将器件衬底减薄至目标厚度以在绝缘层表面形成器件层。本发明的优点在于，通过对工艺顺序的巧妙调整，在不影响其他工艺的前提下，将形成纳米晶所采用的离子注入的步骤调整在键合之前实施的，从而不会影响到器件层的晶格完整性，提高了所制备的SOI材料的晶体质量。
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公开(公告)号：CN102494988B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110403893.0
申请日：2011-12-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法，依据具有浅沟道隔离槽结构的深亚微米器件原型的测试数据初步构建器件模型，依据衬底掺杂浓度分布把所述器件模型的浅沟道隔离槽定位出顶部区域与底部区域，并依据经过辐射后器件的测试数据对所述顶部区域及底部区域添加不同的等效模拟电荷获得与测试数据拟合的模拟数据，以确定所述等效模拟电荷在所述深亚微米器件模型顶部区域及底部区域的作用，从而确定总剂量辐射效应在所述深亚微米器件原型顶部区域及底部区域的作用。本方法步骤简单，能较准确的模拟深亚微米器件总剂量辐射效应，并能反应总剂量辐射效应对器件不同部位的影响，为器件的抗总剂量辐射效应的加固提供可靠的依据。
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公开(公告)号：CN102437179B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201110402796.X
申请日：2011-12-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构，包括具有源区、漏区及沟道区的有源区、位于所述有源区四周侧的浅沟道隔离槽、位于所述沟道区上且采用双边缘超出有源区结构的栅区、以及两个虚设浅沟道隔离槽，其中，所述两虚设浅沟道隔离槽间隔设置于所述有源区内且与所述栅区相互垂直。在原始的版图结构中增加了虚设浅沟槽隔离氧化物，使得器件沟道区边缘的栅延长到隔离氧化物区域宽度减小，阻止源漏之间形成漏电路径，从而达到抗总剂量加固的目的。本发明工艺简单，适用于大规模的工业生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111739838B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202010578947.6
申请日：2020-06-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明涉及一种抗辐射的SOI材料的制备方法，包括：采用局域性离子注入的方式制备抗辐射的SOI材料。本发明顶层硅离子注入损伤小，局域性离子注入，其它部分不被注入，顶层硅晶格结构完整，成为后续退火修复的籽晶区域，退火后顶层硅晶格质量完整，均匀性好。
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公开(公告)号：CN104362093B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201410541928.0
申请日：2014-10-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种SOI器件结构及其制作方法，该结构包括SOI衬底，SOI衬底的顶层硅中形成有由浅沟槽隔离结构隔离的有源区，所述有源区中形成有MOS晶体管；所述有源区侧壁与所述浅沟槽隔离结构之间形成有一收容空间，所述MOS晶体管还包括一对侧壁栅极，该一对侧壁栅极嵌入所述收容空间中，并与MOS晶体管的栅极连接。本发明通过简单的工艺优化形成3D的SOI器件，无需增加光罩数量，与CMOS工艺兼容；SOI器件结构中除了常规栅极，还包括侧壁栅极，使得有源区侧壁变成沟道，在相同的器件面积下，可以大大增加器件的有效宽度，进而增加驱动电流，提高器件性能；并且STI与侧壁沟道被多晶硅侧壁栅极隔开，使得STI远离有源区侧壁，能够提高器件的抗总剂量辐射能力。
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公开(公告)号：CN104377143A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410509907.0
申请日：2014-09-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种测试MOS器件阱电阻的方法，所述测试MOS器件阱电阻的方法至少包括：选取芯片中的一个MOS管，将其源极及体区接地，并在栅极加上工作电压VDD，在漏极加上扫描电流ID，同时测量漏极电压VD及体区电流Ibody；绘制VD-ID曲线，寻找曲线中的漏极电压反转点，记录该反转点所对应的漏极电流ID,turn，通过公式Rw=Vpt/Ibody，turn计算得到阱电阻Rw。本发明选取芯片中本身存在的MOS管作为测试结构来测试阱电阻，不需要额外设计用来测量阱电阻的测试结构，从而节省芯片面积，降低制造成本；本发明还可以进一步根据MOS管的沟道长度、宽度参数得到MOS管的阱方块电阻；为了提高提取精度，本发明可以选取器件尺寸（沟道长度、宽度）较大的MOS管，以减小LDD区域对测试精度的影响。
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公开(公告)号：CN104362093A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410541928.0
申请日：2014-10-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L21/76243 , H01L21/84
Abstract: 本发明提供一种SOI器件结构及其制作方法，该结构包括SOI衬底，SOI衬底的顶层硅中形成有由浅沟槽隔离结构隔离的有源区，所述有源区中形成有MOS晶体管；所述有源区侧壁与所述浅沟槽隔离结构之间形成有一收容空间，所述MOS晶体管还包括一对侧壁栅极，该一对侧壁栅极嵌入所述收容空间中，并与MOS晶体管的栅极连接。本发明通过简单的工艺优化形成3D的SOI器件，无需增加光罩数量，与CMOS工艺兼容；SOI器件结构中除了常规栅极，还包括侧壁栅极，使得有源区侧壁变成沟道，在相同的器件面积下，可以大大增加器件的有效宽度，进而增加驱动电流，提高器件性能；并且STI与侧壁沟道被多晶硅侧壁栅极隔开，使得STI远离有源区侧壁，能够提高器件的抗总剂量辐射能力。
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公开(公告)号：CN119906425A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411846811.3
申请日：2024-12-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种流水线模数转换器校正方法，包括以下步骤：S0设定目标校正子级，所述目标校正子级包括流水线模数转换器的前两级流水线子级；S1在每个所述目标校正子级内部的Flash ADC和DAC阵列之间嵌入基于树型译码器的随机匹配模块，使当前流水线子级输出的数字码与采样电容随机匹配；S2构建增益误差校准模块来根据各个所述目标校正子级的后级量化输出进行该级别的增益误差校准，得到对应级别的量化输出；S3构建失配噪声消除模块来分别对所述量化输出进行失配噪声消除，并将得到的量化输出与增益误差校准后的对应所述目标校正子级输出的数字码相加。本发明能够同时提高流水线模数转换器的信噪比和无杂散动态范围。
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