公开(公告)号：CN102099900B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200980127593.5

申请日：2009-07-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田村明威 ,  柿本明修 ,  土桥和也

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明提供一种清洗方法，其根据清洗液将表面形成有图案的基板清洗的清洗，在去除清洗液或干燥时，能够抑制图案凸部的倒塌并将该基板清洗。清洗方法包括：将基板装载到装载台的工序、加热基板的工序和向所述基板的表面供给清洗液的工序。在供给清洗液的工序中，发生莱顿弗罗斯特现象，在向基板供给的清洗液的液滴和基板之间存在所述清洗液的蒸汽，在加热基板的工序中基板被加热。

公开(公告)号：CN101010448B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200680000710.8

申请日：2006-06-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田村明威 ,  土桥和也 ,  林辉幸

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45561 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供一种在半导体处理装置中使用的构成部件(10)，其包括：规定构成部件的形状的基材(10a)和覆盖基材的规定表面的保护膜(10c)。保护膜(10c)由选自铝、硅、铪、锆和钇的第一元素的氧化物的无定形体构成。保护膜(10c)具有小于1％的孔隙率和1nm～10μm的厚度。

公开(公告)号：CN101405855B

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200780009926.5

申请日：2007-06-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 土桥和也 ,  川村茂 ,  继田浩平 ,  林辉幸

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67207 ,  G01N21/3103 ,  G01N21/68 ,  H01J49/0463

Abstract: 本发明公开的分析装置，包括：第一处理部，其通过照射紫外线，除去在基板上形成的覆盖膜；第二处理部，其向基板的表面供给溶解液，使基板上的分析对象物质溶解；和第三处理部，其对第二工序中使用的溶解液中的分析对象物质进行分析。

公开(公告)号：CN100433273C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200480018173.0

申请日：2004-06-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河南博 ,  田村登 ,  土桥和也

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44

Abstract: 一种环形等离子发生装置中的等离子发生方法，其中所述等离子发生装置包括：具有气体入口和气体出口并形成环形通路的气体通路、以及缠绕在所述气体通路的一部分上的线圈，所述等离子发生方法包括下述工序，即：向所述气体通路中提供含有至少5%的NF3的Ar气体和NF3气体的混合气体，并由高频电能驱动所述线圈，从而使等离子点火的工序，其中所述等离子点火工序是在6.65～66.5Pa的全压力下施行的。

公开(公告)号：CN112385017A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201980045291.7

申请日：2019-07-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田恭子 ,  土桥和也

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种除去附着于腔室内的工作台的污染物的清洁方法，该清洁方法包括：将上述腔室内设定为规定的真空压力的第1工序；向上述工作台供给形成冲击波的第1气体的第2工序；向上述工作台供给不形成冲击波的第2气体的第3工序。

公开(公告)号：CN108369905A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680071744.X

申请日：2016-10-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 斋藤幸正 ,  日向寿树 ,  土桥和也 ,  池田恭子 ,  守谷修司

IPC: H01L21/304 ,  C23C14/02 ,  C23C16/02 ,  H01L21/302

CPC classification number: C23C14/02 ,  C23C16/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及基板清洗装置。对晶圆(W)照射气体团簇从而清洗晶圆(W)的基板清洗装置(100)具有：腔室(1)，其收容晶圆(W)；旋转台(4)，其在腔室(1)内将晶圆(W)支承为能够旋转；喷嘴部(13)，其对支承到旋转台(4)的晶圆(W)照射气体团簇；喷嘴移动部件(10)，其对气体团簇在晶圆(W)上的照射位置进行扫描；排气口(32)，其用于对腔室(1)进行排气；以及控制机构(50)，其以对晶圆(W)的基于旋转台(4)的旋转方向和气体团簇的照射位置的扫描方向进行控制来抑制颗粒再附着于晶圆(W)的方式，控制颗粒的飞散方向。

公开(公告)号：CN108242392A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711435797.8

申请日：2017-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 香川興司 ,  米泽周平 ,  土桥和也 ,  高岛敏英 ,  天井胜

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/3085 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/6708

Abstract: 提供一种能够将硼单膜从基板适当地去除的基板及其处理方法、装置、系统及控制装置、制造方法。在实施方式所涉及的基板处理方法中，通过使将硝酸、比硝酸强的强酸以及水混合所得到的去除液与在包含硅系膜的膜上形成有硼单膜的基板接触，来将硼单膜从基板去除。

公开(公告)号：CN104137233A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201380011286.7

申请日：2013-02-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 松尾二郎 ,  濑木利夫 ,  青木学聪 ,  土桥和也 ,  井内健介 ,  齐藤美佐子

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/67023 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明提供一种能够以较高的去除率去除附着于基板表面的微粒的技术。取得与附着于作为基板的晶圆(W)的微粒(100)有关的、包括粒径在内的微粒信息(74)，根据该微粒信息(74)来调整与清洗用气体的作为原子或分子的聚集体的气体团簇(200)的粒径有关的因素、例如气体压力。之后，自压力比晶圆(W)所处的处理气氛的压力高的区域向处理气氛喷射上述清洗用气体，通过绝热膨胀生成上述气体团簇(200)。当将该气体团簇(200)向晶圆(W)的表面垂直地照射时，能够利用具有与微粒(100)的粒径相匹配的粒径的气体团簇(200)来进行清洗处理，其结果，即使在晶圆(W)的表面形成有用于形成电路图案的凹部(81)，也能够以较高的去除率去除凹部(81)内的微粒(100)。

公开(公告)号：CN103650117A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280033416.2

申请日：2012-07-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井内健介 ,  土桥和也

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115

Abstract: 在抑制在被处理体的表面上形成的图案的塌陷或被处理体的表面的膜粗糙化等对被处理体造成的损伤的同时易于去除附着于被处理体的表面的微粒等附着物。作为前处理，向晶圆（W）供给氟化氢的蒸气而使晶圆（W）的表面的自然氧化膜（11）溶解，从而使附着于上述自然氧化膜（11）的表面的附着物（10）成为自表面浮起的状态。之后，自压力比晶圆（W）所处的气氛的压力高的区域供给与基底膜（12）之间不具有反应性的二氧化碳气体，该气体通过绝热膨胀而被冷却到冷凝温度以下而产生气体团簇。然后，通过将该气体团簇以非离子化的状态向晶圆（W）照射，去除附着物（10）。

公开(公告)号：CN101333666B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200810094770.1

申请日：2004-06-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河南博 ,  田村登 ,  土桥和也

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供等离子产生方法、清洗方法以及衬底处理方法。一种环形等离子发生装置中的等离子发生方法，其中所述等离子发生装置包括：具有气体入口和气体出口并形成环形通路的气体通路、以及缠绕在所述气体通路的一部分上的线圈，所述等离子发生方法包括下述工序，即：向所述气体通路中提供含有至少5％的NF3的Ar气体和NF3气体的混合气体，并由高频电能驱动所述线圈，从而使等离子点火的工序，其中所述等离子点火工序是在6.65～66.5Pa的全压力下执行的。