公开(公告)号：CN1502120A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN01822329.X

申请日：2001-12-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菱屋晋吾 ,  古泽纯和 ,  梅泽好太 ,  林輝幸 ,  齐藤美佐子 ,  佐藤昌一

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02046 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109

Abstract: 热处理装置(1)具有：具有升温用加热器(12)的、容放附着有有机物的晶片(10)的反应管(2)；向反应管(2)内供给氧气的第1气体导入管(13)；供给氢气的第2气体导入管(14)。分别通过第1气体导入管(13)和第2气体导入管(14)向反应管(2)内供给氧气和氢气，通过升温用加热器(12)将反应管(2)加热到可使氧气和氢气活化的温度。于是，在反应管(2)内发生燃烧反应，使附着在晶片(10)上的有机物氧化、分解，从而将其除去。

公开(公告)号：CN109509698B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN201811062556.8

申请日：2018-09-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高京硕 ,  岛裕巳 ,  木镰英司 ,  菱屋晋吾

IPC: H01L21/02 ,  H10B43/00

Abstract: 本发明提供一种在氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面上形成薄且均匀的膜厚的氧化硅膜的、形成氧化硅膜的方法和装置。在氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面形成氧化硅膜的方法具有以下工序：第一工序，设为将具有氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面的被处理体配置在减压下的处理容器内的状态；第二工序，在氧化硅膜和所述氮化硅膜露出的被处理面形成成为牺牲膜的隔离氮化硅膜；以及第三工序，接着向被处理体供给热能和氧自由基以及氢自由基，将隔离氮化硅膜置换为氧化硅膜。

公开(公告)号：CN112126913A

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN202010561531.3

申请日：2020-06-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菱屋晋吾 ,  孙成德 ,  北村昌幸 ,  小川悟

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够抑制膜沉积于气体供给管的内部并且能够均匀地供给气体的气体导入构造、热处理装置以及气体供给方法。本公开的一形态的气体导入构造是向纵长的处理容器内供给处理气体的气体导入构造，所述气体导入构造具有处理气体供给管，所述处理气体供给管在所述处理容器内沿着该处理容器的长度方向延伸，并且具有沿着该长度方向形成的多个气体喷出孔，从所述处理气体供给管的一端朝向另一端向所述处理气体供给管导入处理气体，向所述处理气体供给管的比所述一端靠近所述另一端这一侧供给稀释气体。

公开(公告)号：CN109727843A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811286392.7

申请日：2018-10-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高京硕 ,  岛裕巳 ,  木镰英司 ,  铃木启介 ,  菱屋晋吾

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/40117

Abstract: 本发明提供形成硅氧化膜的方法及装置。在硅氧化膜及硅氮化膜露出的被处理面上形成薄且均匀的膜厚的硅氧化膜。在硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面形成硅氧化膜的方法具有：第1工序：形成在减压下的处理容器内配置有被处理体的状态，所述被处理体具有硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面；第2工序：在前述硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面形成作为牺牲膜的间隔多晶硅膜；及、第3工序：接着，向被处理体供给热能以及氧自由基及氢自由基，将间隔多晶硅膜置换为硅氧化膜。

公开(公告)号：CN104928647A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510117064.4

申请日：2015-03-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木启介 ,  村上博纪 ,  菱屋晋吾 ,  门永健太郎 ,  小幡穣

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/30 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531

Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置。在成膜方法中，在真空气氛中形成含有掺杂元素的薄膜，其包括以下工序：吸附工序，自原料气体供给部向成为真空气氛的处理容器内供给原料气体并使该原料气体的原料吸附在基板上；掺杂工序，多次重复自掺杂气体供给部向处理容器内供给含有掺杂元素的掺杂气体并将掺杂气体封闭在处理容器内的步骤和对处理容器内进行真空排气的步骤；供给工序，自反应气体供给部向处理容器内供给用于与原料发生反应而生成反应生成物的反应气体；以及置换工序，该置换工序是在各工序之间进行的，置换处理容器内的气氛，一边使防逆流用气体自原料气体供给部、掺杂气体供给部及反应气体供给部向处理容器内流动，一边进行掺杂工序。

公开(公告)号：CN102810515A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201210158877.4

申请日：2012-05-21

Applicant: 尔必达存储器株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 清村贵利 ,  广田俊幸 ,  两角友一朗 ,  菱屋晋吾

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02356 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/91

Abstract: 本发明提供一种形成具有金红石晶体结构的氧化钛膜的方法，所述金红石晶体结构具有高电容率。所述方法包括：形成无定形氧化锆膜的步骤；通过原子层沉积(ALD)法使用甲基环戊二烯基三(二甲基氨基)钛作为钛前体在所述无定形氧化锆膜上形成无定形氧化钛膜的步骤；以及通过在300℃以上的温度下的退火至少使所述无定形氧化钛膜结晶的步骤。

公开(公告)号：CN102446890A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110296815.5

申请日：2011-09-27

Applicant: 尔必达存储器株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 广田俊幸 ,  清村贵利 ,  两角友一朗 ,  菱屋晋吾

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法、以及吸附位阻断原子层沉积法。在电容器的电介质膜中，为了即使设置用于改善泄漏特性的Al掺杂层，也不能通过Al掺杂层截断电介质膜，从而抑制了尺寸效应的影响，提供结晶性良好的电介质膜，而在电介质膜中具有至少1层Al掺杂层，将Al掺杂层的1层的Al原子的表面密度设为不足1.4E+14[atoms/cm2]。另外，为实现其表面密度，而采用基于通常的ALD的电介质膜成膜、和吸附位阻断ALD法实现的Al添加的组合，该吸附位阻断ALD法在进行限制Al源的吸附位的阻滞剂分子的吸附后，吸附Al源，导入反应气体进行反应。

公开(公告)号：CN1783436A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510127114.3

申请日：2001-12-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菱屋晋吾 ,  古泽纯和 ,  梅泽好太 ,  林輝幸 ,  齐藤美佐子 ,  佐藤昌一

IPC: H01L21/306

Abstract: 一种被处理体的处理方法，包括：具有，将附着有由磷酸三丁酯、硅氧烷、邻苯二甲酸二辛酯中的至少一种构成的有机物的被处理体放入反应室内的工序；以及，将所述反应室加热到既定温度并供给处理气体从而将所述有机物从所述被处理体上除去的工序；所述处理气体含有臭氧，将所述反应室的温度加热到可使所述臭氧活化的温度。

公开(公告)号：CN1518760A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN02809018.7

申请日：2002-02-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菱屋晋吾 ,  秋山浩二 ,  古泽纯和 ,  青木公也

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  Y10S438/909

Abstract: 一种氧化膜形成方法，有利于在整个晶片上形成膜厚和膜质量的均匀性都很高的优质氧化膜。氧化膜形成方法包括前处理工序和氧化膜形成工序，前处理工序是在减压条件下，利用活性氧化晶种或含有活性氧化晶种的气氛对配置在反应容器内的晶片进行氧化处理，在晶片的表面上形成保护氧化膜；氧化膜形成工序是在减压条件下以规定温度对晶片进行氧化处理，形成氧化膜。氧化膜形成工序最好是在进行前处理工序的反应容器内和前处理工序连续进行。前处理工序最好在比氧化膜形成工序的温度低的温度下进行，而且，最好是在减压程度比氧化膜形成工序高的减压条件下进行。根据该氧化膜形成方法，可形成良好的晶体管元件的栅极绝缘膜。