公开(公告)号：CN103124806A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201180046575.1

申请日：2011-09-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  有马进

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00

CPC classification number: C23C16/06 ,  C23C16/305 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45523 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

Abstract: 一种Ge-Sb-Te膜的成膜方法，在处理容器内配置基板，将气态的Ge原料、气态的Sb原料和气态的Te原料导入到上述处理容器内通过CVD在基板上形成成为Ge2Sb2Te5的Ge-Sb-Te膜，其具有如下工序：将气态的Ge原料和气态的Sb原料、或在它们基础上还将不形成Ge2Sb2Te5程度的少量的气态的Te原料导入上述处理容器内，在基板上形成不含Te或含有与Ge2Sb2Te5相比少量的Te的前体膜的工序（工序2）以及将气态的Te原料导入处理容器内，使Te吸附在前体膜上，调整膜中的Te浓度的工序（工序3）。

公开(公告)号：CN101971303B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200880103167.3

申请日：2008-09-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  尔必达存储器株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  有马进 ,  柿本明修 ,  广田俊幸 ,  清村贵利

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68742 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明提供Sr-Ti-O系膜的成膜方法，以膜中的Sr与Ti的比率Sr/Ti按原子数比计为1.2～3的方式进行成膜后，在含有0.001％～80％的O2的气氛中，在500℃以上进行退火。此外，以包含将多个SrO膜成膜阶段和多个TiO膜成膜阶段多次连续进行这样的次序的方式，多次进行上述SrO膜成膜阶段和上述TiO膜成膜阶段。进而，在使Sr吸附后、使Sr氧化时，使用O3和H2O作为氧化剂。

公开(公告)号：CN102089872B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200980105722.0

申请日：2009-02-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  尔必达存储器株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  有马进 ,  柿本明修 ,  广田俊幸 ,  清村贵利

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  H01G4/1227 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

Abstract: 作为第一有机金属化合物原料，使用蒸气压低且有机配体容易被氧化剂分解而产生CO的化合物，作为第二有机金属化合物原料，使用金属醇盐，作为氧化剂，使用气态的O3或者O2，将它们导入处理容器内而在基板上形成AxByOz型的氧化物膜，在即将导入氧化剂之前，必须导入上述第二有机金属化合物原料。

公开(公告)号：CN102460665A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080025262.3

申请日：2010-06-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  有马进

IPC: H01L21/365 ,  H01L45/00 ,  C23C16/18

CPC classification number: H01L45/06 ,  C23C16/02 ,  C23C16/305 ,  C23C16/4405 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

Abstract: 本发明具有以下工序：在处理容器内不存在基板的状态下使处理容器内暴露于含有Cl和F中的至少一种的气体的前处理工序(工序1)；然后，将基板运入处理容器内的工序(工序2)；向运入有基板的处理容器内导入气态的Ge原料、气态的Sb原料和气态的Te原料，采用CVD在基板上形成作为Ge2Sb2Te5的Ge-Sb-Te膜(工序3)。

公开(公告)号：CN102089871A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200980105714.6

申请日：2009-02-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  尔必达存储器株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  有马进 ,  柿本明修 ,  广田俊幸 ,  清村贵利

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/33 ,  H01L28/40

Abstract: Sr-Ti-O系膜的成膜方法包括：在处理容器内配置形成有Ru膜的基板，向上述处理容器内导入气态的Ti原料、气态的Sr原料和气态的氧化剂，在Ru膜上形成厚度为10nm以下的第一Sr-Ti-O系膜的工序；对第一Sr-Ti-O系膜进行退火使其结晶化的工序；向处理容器内导入气态的Ti原料、气态的Sr原料和气态的氧化剂，在第一Sr-Ti-O系膜上形成第二Sr-Ti-O系膜的工序；和对第二Sr-Ti-O系膜进行退火使其结晶化的工序。

公开(公告)号：CN101542695B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200880000105.X

申请日：2008-02-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  河野有美子

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/40 ,  C23C16/404 ,  C23C16/405 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31691

Abstract: 当将基板配置在处理容器内，对基板进行加热，将Sr原料、Ti原料和氧化剂以气体状态导入上述处理容器内，使这些气体在被加热的基板上反应，在基板上形成SrTiO3膜时，使用Sr的胺化合物或Sr的亚胺化合物作为Sr原料。

公开(公告)号：CN100483637C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200480028497.2

申请日：2004-09-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 山崎英亮 ,  松田司 ,  五味淳 ,  波多野达夫 ,  立花光博 ,  松泽兴明 ,  河野有美子 ,  格特·J·莱乌辛克 ,  芬顿·R·麦克非利 ,  桑德拉·G·马尔霍特拉 ,  安德鲁·H·西蒙 ,  约翰·J·尤尔坎斯

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/16 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/045 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供了一种利用间歇前驱气流工艺在衬底上形成金属层的方法。该方法包括使衬底暴露于还原气中，同时使衬底暴露于金属-羰基前驱气脉冲中。该工艺进行到在衬底上形成期望厚度的金属层。该金属层可以形成在衬底上，或者该金属层可以形成在金属成核层上。

公开(公告)号：CN101128620A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200680006297.6

申请日：2006-07-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中村和仁 ,  山崎英亮 ,  河野有美子

IPC: C23C16/42 ,  C23C16/46 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

Abstract: 本发明涉及一种成膜方法，具备向能够抽真空的处理容器内供给高熔点金属有机原料气体的第一气体供给工序；向上述处理容器内供给包括含氮气体、含硅气体或含碳气体中的任一种或多种气体的第二气体供给工序，在载置于上述处理容器内的被处理体表面，形成由高熔点金属的氮化物、硅化物、碳化物中的任一种或多种构成的金属化合物膜的薄膜。上述第一气体供给工序和第二气体供给工序交替进行，在第一气体供给工序中和第二气体供给工序中，上述被处理体的温度维持在上述高熔点金属有机原料的分解开始温度以上的温度。

公开(公告)号：CN100366792C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN01820349.3

申请日：2001-12-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山﨑英亮 ,  河野有美子

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568

Abstract: 本发明涉及一种采用ALD法的薄膜形成方法及薄膜形成装置，通过ALD法将多种原料气体逐类、并经多次供应，进行成膜，在此工序之前，实施同时提供多种原料气体中的至少两种的前置处理，从而使得成膜中的潜伏期缩短并提高产率。

公开(公告)号：CN101032000A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200580033351.1

申请日：2005-09-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 山崎英亮 ,  中村和仁 ,  河野有美子 ,  格特·J·莱乌辛克 ,  芬顿·R·麦克非 ,  保罗·詹姆森

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  C23C16/56

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76856 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供了一种形成钝化金属层的方法，所述钝化金属层可以在随后暴露于含氧环境时保持下方金属层的性质和形貌。所述方法包括：在处理室(1)中提供衬底(50、302、403、510)；将所述衬底(50、302、403、510)暴露于包含铼－羰基前驱体的处理气体，以在化学气相沉积工艺中将铼金属层(304、408、508)沉积在所述衬底(50、302、403、510)上；在所述铼金属层(304、408、508)上形成钝化层(414、590)，从而抑制所述铼金属表面上含铼结粒(306)的氧致生长。