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公开(公告)号：CN101665918A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910171078.9
申请日：2009-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。该成膜装置不仅能够抑制成膜处理时产生颗粒，还能够以比现有技术中的清洁处理时高的温度进行清洁处理，因此，能够提高处理能力。用于在被处理体(W)的表面形成薄膜的成膜装置(12)包括：处理容器(14)；用于在其上载置被处理体的氮化铝制的载置台(62)；用于对被处理体进行加热的加热单元(66)；与载置台对置、用于向处理容器内导入必要的气体的喷淋头部(18)；和用于在处理容器内的清洁处理后的升温时向喷淋头部的周边部供给不活泼性气体的喷淋头周边部气体供给单元(22)。由此，清洁处理时生成的AlF类物质即使在载置台升温时形成颗粒并飞散，也不会附着于与其相对的喷淋头部。
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公开(公告)号：CN105895559B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201610090232.X
申请日：2016-02-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明涉及在真空气氛下向基板供给处理气体来对该基板进行处理时，抑制载置台上的基板的伴随着压力变化的滑动。向载置于载置台(3)上的晶片(W)供给处理气体，并且将真空容器(2)内的设定压力设定为第一压力，之后，将设定压力变更为比第一压力低的第二压力。而且，在变更设定压力的同时，用升降销(41)使晶片从载置台上升。当将设定压力从第一压力变更为第二压力时，进入到载置台表面与晶片之间的处理气体被排出，由于该处理气体流的作用，载置台表面的晶片滑动。因此，在变更设定压力时通过升降销使晶片从载置台上升，利用由3根升降销的顶端支承晶片。由此，静摩擦力增大，处理中的载置台上的晶片的滑动被抑制。
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公开(公告)号：CN1717791B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200380104440.1
申请日：2003-11-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/205 , C23C16/44 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/4405 , H01J37/32357 , H01J37/32862
Abstract: 本发明的目的是提供一种降低基板处理容器内部件损害的基板处理装置的清洗方法。按照本发明的用来清洗处理被处理基板的基板处理装置中的基板处理容器的方法由下面的工序组成：向设置在所述基板处理装置中的远程等离子体发生部中导入气体的气体导入工序；由所述远程等离子体发生部激励气体生成反应种的反应种生成工序；在从所述远程等离子体发生部向处理容器中供给反应种，并使所述处理容器内的压力达到1333Pa以上状态的反应工序。
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公开(公告)号：CN101657888B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200880011161.3
申请日：2008-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4402
Abstract: 本发明提供一种粉体状物质源供给系统的清洗方法，能够防止在成膜处理时从容器内或导入管内流出颗粒。基板处理系统(10)具有粉体状物质源供给系统(12)和成膜处理装置(11)。粉体状物质源供给系统包括：收容粉体状物质源(13)(羰基钨)的安瓿容器(14)；向安瓿容器内供给载体气体的载体气体供给装置(16)；连接安瓿容器和成膜处理装置的粉体状物质源导入管(17)；从粉体状物质源导入管分支的吹扫管(19)；和开闭粉体状物质源导入管的开闭阀(22)。在成膜处理前，在关闭开闭阀且对吹扫管内排气时，载体气体供给装置供给载体气体使得由载体气体作用在颗粒上的粘性力比成膜处理时由载体气体作用在颗粒上的粘性力大。
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公开(公告)号：CN100366792C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN01820349.3
申请日：2001-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/0218 , C23C16/34 , C23C16/45525 , C23C16/45531 , C23C16/52 , H01J37/32935 , H01L21/28556 , H01L21/28568
Abstract: 本发明涉及一种采用ALD法的薄膜形成方法及薄膜形成装置，通过ALD法将多种原料气体逐类、并经多次供应，进行成膜，在此工序之前，实施同时提供多种原料气体中的至少两种的前置处理，从而使得成膜中的潜伏期缩短并提高产率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1717791A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200380104440.1
申请日：2003-11-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/205 , C23C16/44 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/4405 , H01J37/32357 , H01J37/32862
Abstract: 本发明的目的是提供一种降低基板处理容器内部件损害的基板处理装置的清洗方法。按照本发明的用来清洗处理被处理基板的基板处理装置中的基板处理容器的方法由下面的工序组成：向设置在所述基板处理装置中的远程等离子体发生部中导入气体的气体导入工序；由所述远程等离子体发生部激励气体生成反应种的反应种生成工序；在从所述远程等离子体发生部向处理容器中供给反应种，并使所述处理容器内的压力达到1333Pa以上状态的反应工序。
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公开(公告)号：CN1650045A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN03809799.0
申请日：2003-07-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/285 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/45561 , C23C16/16 , C23C16/4412
Abstract: 本发明的成膜装置100的特征是，包括：装入用于生成源气体的原料的原料容器10；用于对半导体基板101进行成膜处理的成膜室120；用于将上述源气体从原料容器10供给至成膜室120的原料供给管路30；具有由涡轮分子泵14和干式泵16形成的真空泵系统的用于排出成膜室120中气体的排气流路32；和，从原料供给管路30分支、并与成膜室120和涡轮分子泵14形成旁路、然后与排气流路32合流的预流动流路33；并且，原料供给管路30包含有内径大于6.4mm的配管，在预流动流路中33设置涡轮分子泵15。
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公开(公告)号：CN1479805A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN01820349.3
申请日：2001-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/0218 , C23C16/34 , C23C16/45525 , C23C16/45531 , C23C16/52 , H01J37/32935 , H01L21/28556 , H01L21/28568
Abstract: 本发明涉及一种采用ALD法的薄膜形成方法及薄膜形成装置，通过ALD法将多种原料气体逐类、并经多次供应，进行成膜，在此工序之前，实施同时提供多种原料气体的前置处理，从而使得成膜中的潜伏期缩短并提高产率。
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公开(公告)号：CN105895559A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610090232.X
申请日：2016-02-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明涉及在真空气氛下向基板供给处理气体来对该基板进行处理时，抑制载置台上的基板的伴随着压力变化的滑动。向载置于载置台(3)上的晶片(W)供给处理气体，并且将真空容器(2)内的设定压力设定为第一压力，之后，将设定压力变更为比第一压力低的第二压力。而且，在变更设定压力的同时，用升降销(41)使晶片从载置台上升。当将设定压力从第一压力变更为第二压力时，进入到载置台表面与晶片之间的处理气体被排出，由于该处理气体流的作用，载置台表面的晶片滑动。因此，在变更设定压力时通过升降销使晶片从载置台上升，利用由3根升降销的顶端支承晶片。由此，静摩擦力增大，处理中的载置台上的晶片的滑动被抑制。
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公开(公告)号：CN101665918B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200910171078.9
申请日：2009-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。该成膜装置不仅能够抑制成膜处理时产生颗粒，还能够以比现有技术中的清洁处理时高的温度进行清洁处理，因此，能够提高处理能力。用于在被处理体(W)的表面形成薄膜的成膜装置(12)包括：处理容器(14)；用于在其上载置被处理体的氮化铝制的载置台(62)；用于对被处理体进行加热的加热单元(66)；与载置台对置、用于向处理容器内导入必要的气体的喷淋头部(18)；和用于在处理容器内的清洁处理后的升温时向喷淋头部的周边部供给不活泼性气体的喷淋头周边部气体供给单元(22)。由此，清洁处理时生成的AlF类物质即使在载置台升温时形成颗粒并飞散，也不会附着于与其相对的喷淋头部。
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