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公开(公告)号：CN101665918A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910171078.9
申请日：2009-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。该成膜装置不仅能够抑制成膜处理时产生颗粒，还能够以比现有技术中的清洁处理时高的温度进行清洁处理，因此，能够提高处理能力。用于在被处理体(W)的表面形成薄膜的成膜装置(12)包括：处理容器(14)；用于在其上载置被处理体的氮化铝制的载置台(62)；用于对被处理体进行加热的加热单元(66)；与载置台对置、用于向处理容器内导入必要的气体的喷淋头部(18)；和用于在处理容器内的清洁处理后的升温时向喷淋头部的周边部供给不活泼性气体的喷淋头周边部气体供给单元(22)。由此，清洁处理时生成的AlF类物质即使在载置台升温时形成颗粒并飞散，也不会附着于与其相对的喷淋头部。
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公开(公告)号：CN101461041A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200780020664.2
申请日：2007-12-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 瀬川澄江
IPC: H01L21/306 , H01L21/3063 , C23C18/31 , C25D5/00
CPC classification number: H01L21/30604 , C23C18/08 , C23C18/1666 , C23C18/1671 , C23C18/1676 , C23C18/40 , C23C18/405 , C25D5/003 , C25D5/08 , C25D5/20 , C25D7/123 , C25D17/001 , H01J2237/335 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法、半导体制造装置和存储介质。该半导体装置的制造方法，是对形成有规定的图案的半导体装置制造用的基板(W)进行蚀刻处理或成膜处理的方法，该规定的图案由开口形成，该半导体装置的制造方法包括：将液体和气体混合，在上述液体中产生直径比上述半导体装置制造用的基板(W)上形成的上述开口的尺寸更小、且带电的纳米泡(85)的工序，其中，该液体和气体的至少一方含有参与蚀刻处理或成膜处理的成分；形成用于将上述纳米泡(85)引至上述基板的表面的电场的工序；和形成上述电场，同时向上述基板供给含有上述纳米泡(85)的液体并进行处理的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101461041B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200780020664.2
申请日：2007-12-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 瀬川澄江
IPC: H01L21/306 , H01L21/3063 , C23C18/31 , C25D5/00
CPC classification number: H01L21/30604 , C23C18/08 , C23C18/1666 , C23C18/1671 , C23C18/1676 , C23C18/40 , C23C18/405 , C25D5/003 , C25D5/08 , C25D5/20 , C25D7/123 , C25D17/001 , H01J2237/335 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法和半导体制造装置。该半导体装置的制造方法，是对形成有规定的图案的半导体装置制造用的基板(W)进行蚀刻处理或成膜处理的方法，该规定的图案由开口形成，该半导体装置的制造方法包括：将液体和气体混合，在上述液体中产生直径比上述半导体装置制造用的基板(W)上形成的上述开口的尺寸更小、且带电的纳米泡(85)的工序，其中，该液体和气体的至少一方含有参与蚀刻处理或成膜处理的成分；形成用于将上述纳米泡(85)引至上述基板的表面的电场的工序；和形成上述电场，同时向上述基板供给含有上述纳米泡(85)的液体并进行处理的工序。
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公开(公告)号：CN101568667B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200880000424.0
申请日：2008-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02271 , C23C16/4486 , H01L21/02181 , H01L21/31612 , H01L21/31645 , H01L21/3185
Abstract: 本发明提供一种汽化装置、成膜装置和成膜方法，在对基板供给使液体材料汽化了的气体材料，进行成膜处理时，可以高效率汽化液体材料，并抑制颗粒的产生。在用于对基板进行成膜处理的液体材料中，产生带有正电或负电且粒径为1000nm以下的气泡，使该液体材料雾化，形成液体材料的雾状物质，进一步，加热该液体材料的雾状物质使其汽化。在液体材料中，预先使极其微小的气泡以高均一性进行分散，因此使该液体材料雾化时，能够得到极其微小而且均一的液体材料的雾状物质，容易进行热交换。使该液体材料的雾状物质汽化时，可以提高汽化效率，并抑制颗粒的产生。
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公开(公告)号：CN102789951A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210276306.0
申请日：2008-07-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/318 , H01L21/67 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/3145 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/318 , H01L21/67069 , H01L21/68735 , H01L21/68742
Abstract: 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。
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公开(公告)号：CN101665918B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200910171078.9
申请日：2009-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。该成膜装置不仅能够抑制成膜处理时产生颗粒，还能够以比现有技术中的清洁处理时高的温度进行清洁处理，因此，能够提高处理能力。用于在被处理体(W)的表面形成薄膜的成膜装置(12)包括：处理容器(14)；用于在其上载置被处理体的氮化铝制的载置台(62)；用于对被处理体进行加热的加热单元(66)；与载置台对置、用于向处理容器内导入必要的气体的喷淋头部(18)；和用于在处理容器内的清洁处理后的升温时向喷淋头部的周边部供给不活泼性气体的喷淋头周边部气体供给单元(22)。由此，清洁处理时生成的AlF类物质即使在载置台升温时形成颗粒并飞散，也不会附着于与其相对的喷淋头部。
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公开(公告)号：CN101568667A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200880000424.0
申请日：2008-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02271 , C23C16/4486 , H01L21/02181 , H01L21/31612 , H01L21/31645 , H01L21/3185
Abstract: 本发明提供一种气化装置、成膜装置和成膜方法，在对基板供给使液体材料气化了的气体材料，进行成膜处理时，可以高效率气化液体材料，并抑制颗粒的产生。在用于对基板进行成膜处理的液体材料中，产生带有正电或负电且粒径为1000nm以下的气泡，使该液体材料雾化，形成液体材料的雾状物质，进一步，加热该液体材料的雾状物质使其气化。在液体材料中，预先使极其微小的气泡以高均一性进行分散，因此使该液体材料雾化时，能够得到极其微小而且均一的液体材料的雾状物质，容易进行热交换。使该液体材料的雾状物质气化时，可以提高气化效率，并抑制颗粒的产生。
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