公开(公告)号：CN102306627A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201110272097.8

申请日：2008-06-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 松本贤治 ,  伊藤仁 ,  根石浩司 ,  小池淳一

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/408 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。使用含Mn原料气体和含Cu原料气体以及含氧气体(例如水蒸气)作为处理气体，通过热处理(CVD或ALD)在被处理体的表面形成含CuMn合金膜薄膜。由此，能够在形成于被处理体表面的微细凹部内以高阶梯覆盖形成含CuMn合金膜薄膜。

公开(公告)号：CN102077325A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980124821.3

申请日：2009-07-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本贤治 ,  水泽宁

IPC: H01L21/285 ,  C23C14/14 ,  C23C16/18 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，是在可抽真空的处理容器内对在表面具有凹部的被处理体的表面实施成膜处理的成膜方法，其特征在于，包括：使用含过渡金属原料气体通过热处理形成含过渡金属膜的含过渡金属膜形成工序；和形成包含元素周期表的VIII族的元素的金属膜的金属膜形成工序。

公开(公告)号：CN101911266A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200980101621.6

申请日：2009-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤浩 ,  伊藤仁 ,  松本贤治

IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/02 ,  C23C16/40 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于，含有如下工序：在形成于基板表面的层间绝缘膜，形成用于嵌入与下层侧导电路电连接的以铜作为主成分的上层侧导电路的凹部的工序；供给含有锰的有机化合物的气体，以覆盖层间绝缘膜的露出面的方式，形成用于抑制铜向所述层间绝缘膜扩散的由锰化合物构成的屏蔽层的工序；在形成所述屏蔽层后，为了提高构成屏蔽层的锰化合物中的锰的比率而向该屏蔽层供给有机酸的工序；在有机酸供给工序之后，在所述屏蔽层的表面形成以铜作为主成分的种子层的工序；在种子层形成工序之后，为了使屏蔽层的表面或层中的锰向种子层的表面析出而将所述基板加热处理的工序；为了除去因加热而在种子层的表面析出的锰而向该种子层供给清洗液的工序；在清洗液供给工序之后，在所述凹部内形成以铜作为主成分的上层侧导电路的工序。

公开(公告)号：CN101116183A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200680004212.0

申请日：2006-01-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本贤治

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/04 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L21/02197 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/52 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C23C28/345 ,  C23C28/3455 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明提供一种电容元件的制造方法，其特征在于：(a)在基板上形成绝缘膜，(b)在上述绝缘膜上形成下部电极层，(c)包括：第一工序(c1)，在不供给氧化性气体的状态下，向上述下部电极层上供给一种或多种有机金属材料气体和气化的有机溶剂中的至少一方；和第二工序(c2)，向上述下部电极层上同时供给有机金属材料气体和氧化性气体，通过在同一腔室内连续进行上述第一工序(c1)和上述第二工序(c2)，在上述下部电极层上形成电介质层，(d)在上述电介质层上形成上部电极层。

公开(公告)号：CN1993814A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200680000505.1

申请日：2006-01-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本贤治 ,  迫田智幸 ,  那须胜行 ,  池田岳

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40

CPC classification number: C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31691

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，在形成多元系金属氧化物膜时，能够提高含有元素的组成比和膜厚等的再现性。该成膜方法为，向可抽真空的处理容器(4)内供给将多种有机金属原料气化所产生的有机金属原料气体，在被处理体(W)的表面形成多元系金属氧化物膜，其中，在开始对上述被处理体进行成膜处理之前，通过将模拟被处理体搬入上述处理容器(4)内，并流入上述有机金属原料气体，进行至少相当于3次的模拟成膜处理。因此，在形成多元系金属氧化膜时，就能够提高含有元素的组成比和膜厚等的再现性。

公开(公告)号：CN1779927A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510114267.4

申请日：2005-10-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  近藤英一

Inventor： 松泽兴明 ,  佐藤浩 ,  小宫隆行 ,  近藤英一 ,  松本贤治

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/288 ,  C23C18/04 ,  C23C18/08 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  Y10T428/12819 ,  Y10T428/12903

Abstract: 在形成于基板上的Cu扩散阻止膜上形成Cu膜的薄膜沉积方法中，在Cu扩散阻止膜上形成接触膜，该接触膜提供Cu膜对Cu扩散阻止膜的附着。将超临界态介质中溶解有前体的加工介质供应给基板，以使Cu膜在接触膜上形成。