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公开(公告)号：CN102263026B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110206125.6
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理方法的特征在于：在处理容器内，将第一电极和支承被处理基板的第二电极相对配置，一边向所述第一电极施加频率相对较高的第一高频电力、并向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力，一边向所述处理容器内供给处理气体，以生成该处理气体的等离子体，对被支承在所述第二电极上的被处理基板进行等离子体处理，该等离子体处理方法具有：向所述第一电极施加直流电压的工序；和一边向所述第一电极施加直流电压，一边对所述被处理基板进行等离子体处理的工序，在对被支承在所述第二电极上的被处理基板的绝缘膜进行蚀刻时，使用CF4、Ar、N2、CHF3的组合作为所述处理气体。
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公开(公告)号：CN101471257B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200810186171.2
申请日：2008-12-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/768 , H01L21/00 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/31116
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和控制程序，其能够形成具有20以上的高深宽比的贯通孔或孔形状，并且能够抑制保龄球形形状，能够获得良好的蚀刻形状。该等离子体蚀刻方法使至少包含C4F6气体和C6F6气体、且C4F6气体的流量相对于C6F6气体的流量的比(C4F6气体流量/C6F6气体流量)为2～11的处理气体等离子体化，以非结晶型碳层(105)作为掩模对氧化硅层(104)进行等离子体蚀刻，形成深度相对于开口宽度的比为20以上的孔形状(111)。
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公开(公告)号：CN102263001A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110206202.8
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01J37/32 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元；和设置在所述第一电极与所述处理容器之间，能够改变所述第一电极与所述处理容器之间的电容的可变电容器。
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公开(公告)号：CN101471257A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810186171.2
申请日：2008-12-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/768 , H01L21/00 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/31116
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和控制程序，其能够形成具有20以上的高深宽比的贯通孔或孔形状，并且能够抑制保龄球形形状，能够获得良好的蚀刻形状。该等离子体蚀刻方法使至少包含C4F6气体和C6F6气体、且C4F6气体的流量相对于C6F6气体的流量的比(C4F6气体流量/C6F6气体流量)为2～11的处理气体等离子体化，以非结晶型碳层(105)作为掩模对氧化硅层(104)进行等离子体蚀刻，形成深度相对于开口宽度的比为20以上的孔形状(111)。
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公开(公告)号：CN1973363A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200580020518.0
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。
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公开(公告)号：CN111192824B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201911117357.7
申请日：2019-11-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置。该真空处理装置包括：受热部件，其具有接收来自热源的热的受热面；和供致冷剂流通的致冷剂流路，其沿受热面形成于受热部件的内部，致冷剂流路在与配置于受热面侧的第一内壁面交叉的一对第二内壁面具有第一槽部，该第一槽部在相对于致冷剂的行进方向向第一内壁面侧倾斜的方向上延伸。本发明能够提高在载置台的载置面的温度分布的均匀性。
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公开(公告)号：CN106952798A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201611165712.4
申请日：2016-12-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/311
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32137 , H01L21/31116
Abstract: 本发明的目的在于提供一种提高在对不同种类的蚀刻对象膜进行蚀刻之际的基板的温度控制性和蚀刻的均匀性的蚀刻方法。一种蚀刻方法，其具有如下工序：第1工序，在该第1工序中，在晶圆的温度是－35℃以下的极低温环境中，从第1高频电源输出第1高频的电力，从第2高频电源输出频率比所述第1高频低的第2高频的电力，从含氢气体以及含氟气体生成等离子体，利用等离子体对层叠氧化硅膜以及氮化硅膜而成的层叠膜和氧化硅膜的单层膜进行蚀刻；第2工序，在该第2工序中，停止所述第2高频电源的输出，反复进行多次所述第1工序和所述第2工序，所述第1工序的时间比所述第2工序的时间短。
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公开(公告)号：CN105742148A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510998480.X
申请日：2015-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及蚀刻处理方法和蚀刻处理装置。[课题]本发明目的在于，抑制深度负载而提高氧化硅膜的蚀刻速率。[解决手段]提供一种蚀刻处理方法，其中，将用于冷却载置台的制冷器的温度控制在-20℃以下，通过由第1高频电源施加的第1高频电力，由气体供给源供给的含氢气体和含氟气体生成等离子体，利用生成的前述等离子体对前述载置台上的基板的氧化硅膜进行蚀刻处理，前述蚀刻处理后的除电处理中，由第2高频电源对前述载置台施加频率低于第1高频电力的频率的第2高频电力。
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公开(公告)号：CN102256432B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201110206223.X
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H05H1/46 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元，为了使由向所述第一电极施加的来自所述直流电源的直流电压产生的电流通过等离子体放出，在所述处理容器内设置有接地的导电性部件。
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公开(公告)号：CN102256431B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201110206162.7
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H05H1/46 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元；向所述电极施加第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述电极施加第三高频电力的第三高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元。
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