公开(公告)号：CN101471257B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200810186171.2

申请日：2008-12-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中谕志 ,  大矢欣伸 ,  山崎文生

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和控制程序，其能够形成具有20以上的高深宽比的贯通孔或孔形状，并且能够抑制保龄球形形状，能够获得良好的蚀刻形状。该等离子体蚀刻方法使至少包含C4F6气体和C6F6气体、且C4F6气体的流量相对于C6F6气体的流量的比(C4F6气体流量/C6F6气体流量)为2～11的处理气体等离子体化，以非结晶型碳层(105)作为掩模对氧化硅层(104)进行等离子体蚀刻，形成深度相对于开口宽度的比为20以上的孔形状(111)。

公开(公告)号：CN101471257A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810186171.2

申请日：2008-12-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中谕志 ,  大矢欣伸 ,  山崎文生

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和控制程序，其能够形成具有20以上的高深宽比的贯通孔或孔形状，并且能够抑制保龄球形形状，能够获得良好的蚀刻形状。该等离子体蚀刻方法使至少包含C4F6气体和C6F6气体、且C4F6气体的流量相对于C6F6气体的流量的比(C4F6气体流量/C6F6气体流量)为2～11的处理气体等离子体化，以非结晶型碳层(105)作为掩模对氧化硅层(104)进行等离子体蚀刻，形成深度相对于开口宽度的比为20以上的孔形状(111)。