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公开(公告)号：CN111763985B
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202010621640.X
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于单晶生产炉的热屏结构，所述热屏结构用于设在所述单晶硅生长炉的熔体坩埚上部，所述热屏结构包括外壳和隔热板，所述隔热板设于所述外壳的内部，所述外壳底部外表面用于朝向所述熔体坩埚内部，所述隔热板所在平面与所述外壳底部所在平面形成的夹角为锐角且所述夹角朝向所述单晶硅的外表面。本发明的目的是提供一种用于单晶生产炉的热屏结构及单晶生产炉，结构简单，通过改变热屏设计，增设隔热板将吸热板吸收到的热量传递给单晶硅，在热屏中形成热通道，实现对单晶硅的径向温度梯度进行优化，从而实现拉速的控制，进而提高单晶硅径向的质量均匀性。
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公开(公告)号：CN111893561B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202010621637.8
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于单晶硅生长炉的复合隔热结构，包括支撑层以及制备在所述支撑层上的层叠结构，所述层叠结构包括第一折射层和第二折射层，所述第一折射层的折射率与所述第二折射层的折射率不同，所述第一折射层和所述第二折射层相互交替设置；在此基础上，本发明还提供一种单晶硅生长炉，所述复合隔热结构设置在所述单晶硅生长炉中的热屏上；本发明提供的复合隔热结构在热辐射波长范围表现出具有良好的热反射性能，当其设置在热屏上以应用于单晶硅生长炉中时，能够提高热屏对热量的反射能力，减少硅熔体热量的耗散，起到对热场的保温作用，从而有利于提高热场的质量以提高单晶硅生长的质量和产量。
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公开(公告)号：CN111893558B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202010625055.7
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片，包括第一折射层和第二折射层，所述第一折射层的折射率与所述第二折射层的折射率不同，所述第一折射层和所述第二折射层相互交替形成层叠结构，所述第一折射层和与之相邻设置的第二折射层相贴合；在此基础上，本发明还提供一种单晶硅生长炉，所述薄膜隔热片设置在所述单晶硅生长炉中的热屏上；本发明提供一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片，在热辐射波长范围内具有良好的反射性能，当将其设置在热屏上以应用于单晶硅生长炉中时，能够提高热屏对热能的反射能力，降低熔融的硅熔体热量的耗散，提高热能利用率；并且有利于热场的保温性能，从而有利于提高热场的质量以提高单晶硅生长的质量和产量。
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公开(公告)号：CN113161229A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110389647.8
申请日：2021-04-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明提供了一种多晶硅薄膜衬底的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成氧化硅层；对所述氧化硅层的表面进行氮化处理，以得到氮氧硅层；在所述氮氧硅层上形成多晶硅薄膜；对所述多晶硅薄膜进行退火处理。形成的氮氧硅层可以减少多晶硅薄膜内应力释放，改善晶粒质量，从而改善多晶硅薄膜对外的应力，也就是说可以改善多晶硅薄膜对衬底的应力，并且，退火工艺还可以继续减小多晶硅薄膜对衬底的应力。多晶硅薄膜对衬底的应力减小，就可以使得衬底的翘曲度降低。
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公开(公告)号：CN111926380A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010621682.3
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于单晶生产炉的热屏装置，所述热屏装置用于设在所述单晶硅生长炉的熔体坩埚上部，所述热屏装置包括壳体、支撑件、隔热板和方向控制组件，所述支撑件与所述隔热板设于所述壳体内，所述支撑件的一端与所述壳体内壁固定连接，所述方向控制组件与所述隔热板连接，所述支撑件用于作为所述隔热板的支点并与所述方向控制组件配合控制所述隔热板与所述壳体之间相对转动，所述隔热板的可转动夹角朝向所述单晶硅的柱面，所述壳体底部外表面用于朝向所述熔体坩埚内部。本发明的目的是提供一种用于单晶生产炉的热屏装置及单晶生产炉，通过改变热屏设计，通过控制隔热板的方向和角度实现温度梯度的动态控制，从而实现拉速的控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111893561A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010621637.8
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于单晶硅生长炉的复合隔热结构，包括支撑层以及制备在所述支撑层上的层叠结构，所述层叠结构包括第一折射层和第二折射层，所述第一折射层的折射率与所述第二折射层的折射率不同，所述第一折射层和所述第二折射层相互交替设置；在此基础上，本发明还提供一种单晶硅生长炉，所述复合隔热结构设置在所述单晶硅生长炉中的热屏上；本发明提供的复合隔热结构在热辐射波长范围表现出具有良好的热反射性能，当其设置在热屏上以应用于单晶硅生长炉中时，能够提高热屏对热量的反射能力，减少硅熔体热量的耗散，起到对热场的保温作用，从而有利于提高热场的质量以提高单晶硅生长的质量和产量。
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公开(公告)号：CN111893557A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010621665.X
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种晶圆涂胶系统，包括晶圆涂胶装置、加热装置和控制装置；晶圆涂胶装置用于对晶圆进行涂胶；加热装置包括加热板，加热板表面承载涂胶后晶圆，加热板划分成若干个加热区域，每个加热区域对应设有一个监测组件，监测组件包括温度监测件和警报器；控制装置包括温度监测模块、温度判断模块和警报控制模块；温度获取模块用于获取温度监测件监测的实时温度；温度判断模块用于判断温度监测件的温度比是否大于预设温度比；警报控制模块用于当判断温度监测件的温度比大于预设温度比时，控制警报器启动；本发明能够保证加热板中各个区域的温度均匀性，避免温度不均匀影响到晶圆的烘烤质量。
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公开(公告)号：CN119534398A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411582504.9
申请日：2024-11-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/47 , H01L21/66 , G01N21/01 , G01N23/2251
Abstract: 本发明涉及一种硅片中氧沉淀大小的测量方法，所述方法包括，获取硅片表面缺陷的LSE尺寸，基于所述LSE尺寸将缺陷分为第一组缺陷和第二组缺陷，并根据LSE尺寸计算得到硅片中氧沉淀的大小；本发明测量氧沉淀的方法对于含有大量氧沉淀的待测硅片，可以快速准确的得到其氧沉淀的实际大小，节约时间，降低成本。
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公开(公告)号：CN119082865A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410834345.0
申请日：2024-06-25
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供硅片及硅片的形成方法，硅片用于半导体器件大规模集成电路和/或同质及异质半导体材料外延生长，通过在硅片的边缘区域形成一BMD圈，BMD圈位于滑移缺陷内侧，BMD圈能够有效地钉扎滑移缺陷的移动，从而阻挡硅片边缘的滑移缺陷的沿硅片边缘至硅片中心的方向传播。BMD对滑移缺陷的钉扎效果与BMD密度及大小有关，进一步的，BMD的密度大于E+8ea/cm3，BMD中的氧沉淀的直径为20nm至200nm时，滑移缺陷被高密度BMD阻挡，减弱甚至完全没有侵入硅片内部。
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公开(公告)号：CN113257700B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202110479251.2
申请日：2021-04-30
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种氯化氢高温蚀刻设备校准方法，属于设备校准领域，具体包括提供第一硅片与第二硅片；将第一硅片放入已校准设备进行氯化氢高温蚀刻，得到第一待测硅片；将第二硅片放入待校准设备进行与第一硅片工艺相同的氯化氢高温蚀刻，得到第二待测硅片；比较第一待测硅片的第一校验参数和第二待测硅片的第二校验参数，判断是否满足预设条件，当判定不满足预设条件，则调校待校准设备，当判定满足预设条件时，判定待校准设备的工艺能力已校准至已校准设备的工艺能力同一水平。通过本申请的处理方案，对生产同批次硅片的设备进行校准，使得生产的硅片缺陷表征准确性和一致性高。
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