公开(公告)号：CN1983612A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610166709.4

申请日：2006-12-08

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  冈田和央 ,  石部真三 ,  北川胜彦 ,  森田佑一 ,  大塚茂树 ,  山田纮士 ,  大久保登 ,  篠木裕之 ,  沖川满

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/485 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L27/14636 ,  H01L31/0203 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体装置，在半导体基板(2)的表面上形成有光接收元件(1)(例如CCD、红外线传感器、CMOS传感器、照度传感器等光接收元件)。半导体基板(2)的背面配置多个球状的导电端子(11)。各个导电端子(11)经由配线层(9)而与半导体基板(2)的表面的焊盘电极(4)电气连接。在此，配线层(9)和导电端子(11)在所述半导体基板(2)的背面上、在垂直方向上看时除与光接收元件(1)的形成区域重叠的区域以外的区域上，在与所述光接收元件(1)的形成区域重叠的区域上不配置配线层(9)、导电端子(11)。从而能够解决输出图像上映入形成在半导体基板的背面上的配线图案这样的问题。

公开(公告)号：CN1257550C

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN03122991.3

申请日：2003-04-23

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  篠木裕之 ,  高井信行 ,  北川胜彦 ,  德重利洋智 ,  太田垣贵康 ,  安藤达也 ,  沖川满

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在半导体芯片(2)的表面上形成绝缘膜(6a)，在其绝缘膜(6a)上形成第1布线(5a)。在半导体芯片(2)的表面上粘接玻璃基板(3)，在半导体芯片(3)的侧面以及背面覆盖绝缘膜(16a)。然后，设置与第1布线(5a)的侧面连接、并在半导体芯片(2)的背面上延伸的第2布线(9a)。并且，在第2布线(9a)上形成凸点焊盘等导电端子(8)。从而，可以降低具有球状导电端子的BGA(ball Grid Array)型的半导体装置的成本并提高其可靠性。

公开(公告)号：CN100474573C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200610075271.9

申请日：2003-06-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  篠木裕之 ,  高尾幸弘

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/52 ,  H01L25/065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种削减制造工序数量，实现低成本化的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置，包括：形成于半导体衬底的上表面侧的金属焊盘；与所述金属焊盘电连接，并且形成于所述半导体衬底的上表面侧的电极连接部；形成于所述半导体衬底的侧面部及下表面部的第一绝缘膜；与所述金属焊盘连接，并且沿所述半导体衬底的侧面部及下表面部延伸的金属配线。

公开(公告)号：CN100470781C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200610074701.5

申请日：2003-04-23

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  篠木裕之 ,  高井信行 ,  北川胜彦 ,  德重利洋智 ,  太田垣贵康 ,  安藤达也 ,  沖川满

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/12 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在半导体芯片(2)的表面上形成绝缘膜(6a)，在其绝缘膜(6a)上形成第1布线(5a)。在半导体芯片(2)的表面上粘接玻璃基板(3)，在半导体芯片(3)的侧面以及背面覆盖绝缘膜(16a)。然后，设置与第1布线(5a)的侧面连接、并在半导体芯片(2)的背面上延伸的第2布线(9a)。并且，在第2布线(9a)上形成凸点焊盘等导电端子(8)。从而，可以降低具有球状导电端子的BGA(ballGrid Array)型的半导体装置的成本并提高其可靠性。

公开(公告)号：CN1855463A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610075271.9

申请日：2003-06-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  篠木裕之 ,  高尾幸弘

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/52 ,  H01L25/065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种削减制造工序数量，实现低成本化的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置，包括：形成于半导体衬底的上表面侧的金属焊盘；与所述金属焊盘电连接，并且形成于所述半导体衬底的上表面侧的电极连接部；形成于所述半导体衬底的侧面部及下表面部的第一绝缘膜；与所述金属焊盘连接，并且沿所述半导体衬底的侧面部及下表面部延伸的金属配线。

公开(公告)号：CN1591789A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410006626.X

申请日：2004-02-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 铃木彰 ,  野间崇 ,  篠木裕之 ,  高尾幸弘 ,  石部真三 ,  大塚茂树 ,  山口惠一

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/482 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 一种半导体装置的制造方法。其在形成有第一配线(3)的半导体晶片(1a)的表面上介由树脂(5)粘接成为支撑板的玻璃基板(4)。背研磨与粘接有该基板(4)的面相对的面，使半导体晶片(1a)的厚度变薄。这时，为除去由背研磨处理产生的划痕带来的半导体晶片(1a)面内的凹凸进行湿蚀刻处理。然后对与粘接有玻璃基板(4)的面相对的面进行蚀刻，使沿着边界S的区域形成带有锥度的槽。为了圆滑该蚀刻形成的槽的表面的凹凸或形成棱角的部分的尖端部进行湿蚀刻。通过上述湿蚀刻处理，背研磨后，提高形成蚀刻后形成的绝缘膜、配线、保护膜的包覆性，从而提高半导体装置的有效利用率和可靠性。

公开(公告)号：CN1551347A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410038457.8

申请日：2004-04-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  铃木彰 ,  篠木裕之

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/50 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/14806 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，不使用昂贵的装置，以低的制造成本制造层积型MCM。介由绝缘膜2在第一半导体装置100a的半导体芯片1的表面形成第一配线3A及第二配线3B。在形成有这些第一配线3A及第二配线3B的半导体芯片1的表面粘接具有露出第二配线3B的开口部12的玻璃衬底4。另外，第三配线9自半导体芯片1的背面介由绝缘膜7向半导体芯片1的侧面延伸，连接到第一配线3A上。然后，介由开口部12将另一半导体装置100b的导电端子11B连接到第二配线3B。