公开(公告)号：CN110903764B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201811610012.0

申请日：2018-12-27

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 裵鎭希 ,  郭泽秀 ,  李忠宪 ,  黄丙奎 ,  司空峻 ,  卢健培 ,  任浣熙 ,  赵炫洙

IPC: C09D183/16 ,  C09D183/14 ,  C09D1/00

Abstract: 本发明公开一种用于形成二氧化硅层的组合物、一种用于使用所述组合物制造二氧化硅层的方法、一种利用所述方法制造的二氧化硅层以及一种包括所述二氧化硅层的电子装置，所述用于形成二氧化硅层的组合物包含：含硅聚合物，包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合；以及溶剂，其中所述含硅聚合物具有4,000g/mol到13,000g/mol的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量，且满足方程式1，在方程式1中，A指示在凝胶渗透色谱曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为2,700g/mol到9,000g/mol的峰面积，且B指示在凝胶渗透色谱曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为200g/mol到2,700g/mol的峰面积。[方程式1]0.98≤B/A≤1.24。

公开(公告)号：CN111944320A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010411761.1

申请日：2020-05-15

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 张胜宇 ,  郭泽秀 ,  裵鎭希 ,  赵炫洙 ,  金义贤 ,  卢健培 ,  司空峻 ,  李忠宪 ,  任浣熙 ,  黄丙奎

IPC: C08L83/16 ,  H01L21/02

Abstract: 公开了一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置，用于形成二氧化硅层的组成物包含全氢聚硅氮烷和溶剂，其中在CDCl3中的全氢聚硅氮烷的1H-NMR光谱中，当从N3SiH1和N2SiH2导出的波峰称为波峰1且从NSiH3导出的波峰称为波峰2时，比率(P1/(P1+P2))大于或等于0.77，且比率(PA/PB)大于或等于约1.5。P1、P2、PA及PB的定义与说明书中的定义相同。本公开可提供具有极佳层厚度均一性的二氧化硅层。

公开(公告)号：CN106558483B

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201610329591.6

申请日：2016-05-18

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李知虎 ,  卢健培 ,  尹熙灿 ,  裵镇希 ,  任浣熙

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/31 ,  H01L23/28 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明提供一种制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置。制造二氧化硅层的方法包含将包含碳化合物的预润湿液体物质涂布于衬底上、将用于形成二氧化硅层的组合物涂布于涂布有预润湿液体物质的衬底上以及使涂布有用于形成二氧化硅层的组合物的衬底固化。根据本发明的方法，可以使得用于形成二氧化硅层的组合物充分润湿衬底，并且可以有效涂布少量组合物，形成均匀的二氧化硅层。

公开(公告)号：CN106409652A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610160367.9

申请日：2016-03-21

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 张俊英 ,  尹熙灿 ,  金佑翰 ,  卢健培 ,  李殷善 ,  郭泽秀 ,  金真教 ,  金哈尼 ,  罗隆熙 ,  裵镇希 ,  徐珍雨 ,  黄丙奎

IPC: H01L21/02 ,  G02F1/133 ,  H01L33/44

CPC classification number: C09D1/00 ,  C01B33/12 ,  C09D7/20 ,  C09D183/08 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02107 ,  G02F1/133 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02282 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明提供一种用于形成氧化硅层的组合物、制造氧化硅层的方法、氧化硅层及电子装置。用于形成氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和包含至少两种溶剂的混合溶剂，其中所述混合溶剂在25℃下的表面张力是5毫牛/米至35毫牛/米。本发明的用于形成氧化硅层的组合物能够提供具有小缺陷和均一厚度的氧化硅层。

公开(公告)号：CN106189267A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510282712.1

申请日：2015-05-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 尹熙灿 ,  金佑翰 ,  高尚兰 ,  郭泽秀 ,  金补宣 ,  金真敎 ,  罗隆熙 ,  卢健培 ,  朴玺美 ,  裵镇希 ,  司空峻 ,  李殷善 ,  任浣熙 ,  张俊英 ,  郑日 ,  黄丙奎

IPC: C08L83/16 ,  C08L83/14 ,  C01B33/113

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置。所述用于形成二氧化硅层的组成物包含重量平均分子量为20,000到70,000并且多分散指数为5.0到17.0的含硅聚合物和溶剂。本发明提供的用于形成二氧化硅层的组成物能同时确保间隙填充特征和间隙蚀刻特征。

公开(公告)号：CN104730861A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410384366.3

申请日：2014-08-06

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李种和 ,  权志伦 ,  金尚洙 ,  卢健培 ,  朴银碧 ,  白载烈 ,  李范珍 ,  李相行 ,  黄银夏

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/022

Abstract: 本发明提供了正型光敏树脂组合物、利用其制备的光敏树脂膜以及显示装置。本发明公开了一种正型光敏树脂组合物，包括(A)碱溶性树脂；(B)光敏重氮醌化合物；(C)交联剂；(D)热生酸剂；(E)苯酚类化合物；和(F)有机溶剂，其中以1∶50至50∶1的重量比包含交联剂和热生酸剂。