公开(公告)号：CN109285847B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN201810154273.X

申请日：2018-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金海龙 ,  李载昊 ,  赵常玹 ,  申铉振

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种光电转换元件以及包括该光电转换元件的光学传感器。光电转换元件可以包括多个晶格堆叠，该多个晶格堆叠在基板上一个在另一个的顶部上重复地堆叠并配置为具有有效带隙。所述多个晶格堆叠可以每个包括第一有源层和在第一有源层上的第二有源层。第一有源层可以包括具有第一带隙的第一二维材料。第二有源层可以包括具有不与第一带隙重叠的第二带隙的第二二维材料。有效带隙可以基于第一二维材料和第二二维材料的类型、第一有源层和第二有源层的厚度、以及所述多个晶格堆叠的一个在另一个的顶部上重复堆叠的次数来调整。

公开(公告)号：CN108121153B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN201711202775.7

申请日：2017-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  宋伣在 ,  朴晟准 ,  申建旭 ,  李昌锡 ,  李东郁 ,  薛珉洙 ,  金尙元 ,  郑盛骏

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20

Abstract: 提供用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备。所述表膜可包括表膜膜片，并且所述表膜膜片可包括纳米晶体石墨烯。所述纳米晶体石墨烯可具有缺陷。所述纳米晶体石墨烯可包括多个纳米级晶粒，并且所述纳米级晶粒可包括具有芳族环结构的二维(2D)碳结构。所述纳米晶体石墨烯的缺陷可包括如下的至少一种：sp3碳原子、氧原子、氮原子、或者碳空位。

公开(公告)号：CN107768331B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN201710700935.4

申请日：2017-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东郁 ,  金尚元 ,  薛珉洙 ,  郑盛骏 ,  南胜杰 ,  朴晟准 ,  申铉振

IPC: H01L23/373

Abstract: 公开了使用诸如石墨烯量子点(GQD)的纳米尺寸的石墨烯碎片的散热结构和/或制造该散热结构的方法。一种散热结构包括发热元件以及在发热元件上以将产生自发热元件的热消散至外部的散热膜。散热膜可以包括GQD。

公开(公告)号：CN114156270A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202111043036.4

申请日：2021-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金熙中 ,  权玟禹 ,  韩相然 ,  金尚元 ,  金俊秀 ,  申铉振 ,  李殷奎

IPC: H01L27/108

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：包括有源区的衬底、设置在衬底中的栅极沟槽中的栅极结构、设置在衬底上并在栅极结构的一侧电连接到有源区的位线以及设置在位线上并在栅极结构的另一侧电连接到有源区的电容器。栅极结构包括：设置在栅极沟槽的底表面和内侧表面上的栅极电介质层、在栅极沟槽的下部中设置在栅极电介质层上的导电层、在导电层的上表面上设置在栅极电介质层上的侧壁绝缘层、设置在导电层上的石墨烯层以及设置在石墨烯层上在侧壁绝缘层之间的掩埋绝缘层。

公开(公告)号：CN113745257A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110218926.8

申请日：2021-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  薛珉洙 ,  申铉振

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/30

Abstract: 提供了图像传感器、电子装置和制造图像传感器的方法。该图像传感器包括可见光传感器部分和布置在可见光传感器部分上的红外传感器部分。可见光传感器部分包括第一传感器层和第一信号布线层，其中多个可见光感测元件排列在第一传感器层中，并且第一信号布线层配置为处理从第一传感器层输出的信号。红外传感器部分包括其中排列多个红外感测元件的第二传感器层、以及配置为处理从第二传感器层输出的信号的第二信号布线层。红外传感器部分和可见光传感器部分形成在获得高分辨率方面有效的单个整体结构。

公开(公告)号：CN105319854B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201510292394.7

申请日：2015-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚元 ,  申铉振 ,  朴晟准

IPC: G03F7/09

Abstract: 本发明涉及硬掩模组合物和通过使用该硬掩模组合物形成图案的方法。所述硬掩模组合物可包括：溶剂；和包含约0.01原子％‑约40原子％氧的2维碳纳米结构体、或其2维碳纳米结构体前体。所述2维碳纳米结构体前体中的氧的含量可低于约0.01原子％或者大于约40原子％。所述硬掩模组合物可用于形成精细图案。

公开(公告)号：CN107769607B

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201710537117.7

申请日：2017-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： A.郑 ,  申铉振 ,  金在瑛 ,  卞卿溵

IPC: H02N1/04 ,  B82Y30/00

Abstract: 本公开涉及摩擦电发电机。一种摩擦电发电机包括彼此间隔开的第一电极和第二电极、分别提供在第一电极和第二电极上的第一起电层和第二起电层、以及被提供为将光照射到第二起电层上的光源。这里，第二起电层包括被配置为由于期望的波长的光而产生表面等离子体激元共振的金属材料，并且光源将被配置为产生表面等离子体激元共振的期望的波长的光照射到第二起电层上。

公开(公告)号：CN112750685A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011180671.2

申请日：2020-10-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 李昌锡 ,  申铉石 ,  申铉振 ,  洪锡模 ,  李珉贤 ,  南胜杰 ,  马庆烈

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  B82Y30/00

Abstract: 提供氮化硼层、包括其的装置及制造氮化硼层的方法。所述氮化硼层包括氮化硼化合物并且在100kHz的工作频率下具有约2.5或更小的介电常数。

公开(公告)号：CN107359808B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201710303449.9

申请日：2017-05-03

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 白正民 ,  千珍晟 ,  芮秉旭 ,  金在瑛 ,  卞卿溵 ,  薛珉洙 ,  申铉振

IPC: H02N1/04

Abstract: 本公开提供一种摩擦电发电机。该摩擦电发电机包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；第一带电物体，在第一电极的面对第二电极的表面上；第二带电物体，提供在第一带电物体和第二电极之间；以及接地单元，配置为由于第二带电物体的运动而间歇地使第二带电物体和电荷储存器互相连接。第一带电物体配置为由于接触而带正电荷。第二带电物体配置为由于接触而带负电荷。

公开(公告)号：CN110970289A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910892838.9

申请日：2019-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  金昌炫 ,  山本薰 ,  李昌锡 ,  宋伣在 ,  李殷奎 ,  卞卿溵 ,  申铉振 ,  安星柱

IPC: H01L21/02

Abstract: 提供一种形成石墨烯的方法。形成石墨烯的方法包括：当对放置在反应室中的基板施加偏压时用等离子体处理基板的表面；以及通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在基板的表面上生长石墨烯。