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公开(公告)号:CN111199950A
公开(公告)日:2020-05-26
申请号:CN201911132469.X
申请日:2019-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件,所述扇出型半导体封装件包括:第一连接结构,具有第一表面和第二表面;第一半导体芯片,设置在第一表面上;第一包封剂,设置在第一表面上并覆盖第一半导体芯片的至少一部分;第二半导体芯片,设置在第二表面上;一个或更多个第一金属构件,设置在第二表面上;一个或更多个第二金属构件,设置在第二表面上;第二包封剂,设置在第二表面上,并分别覆盖第二半导体芯片的至少一部分以及第一金属构件和第二金属构件的至少一部分;以及第二连接结构,设置在第二包封剂的其上设置有第一连接结构的侧的相对侧上。
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公开(公告)号:CN111755426B
公开(公告)日:2024-05-24
申请号:CN202010161192.X
申请日:2020-03-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:第一连接构件,包括第一重新分布层;第一框架,设置在所述第一连接构件上;第一半导体芯片,设置在所述第一贯穿部中并且具有第一连接垫;第一包封剂,覆盖所述第一框架和所述第一半导体芯片中的每个的一部分,并且填充所述第一贯穿部的至少一部分;第二连接构件,设置在所述第一包封剂上并且包括第二重新分布层;第二半导体芯片,设置在所述第二连接构件上并且具有第二连接垫;第二包封剂,覆盖所述第二半导体芯片的一部分;以及第一贯穿过孔,贯穿所述第一连接构件的一部分、所述第一框架和所述第一包封剂,并且使所述第一重新分布层和所述第二重新分布层彼此电连接。
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公开(公告)号:CN110556364B
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN201811398329.2
申请日:2018-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L25/16
Abstract: 本公开提供了一种半导体封装件。半导体封装件包括:支撑构件,包括树脂主体和至少一个无源组件,树脂主体具有彼此背对的第一表面和第二表面并且具有腔,所述至少一个无源组件嵌入树脂主体中并且具有从第一表面暴露的连接端子;第一连接构件,设置在树脂主体的第一表面上,并且具有设置在树脂主体的第一表面上的第一绝缘层以及位于第一绝缘层上并连接到连接端子的第一重新分布层;第二连接构件,设置在第一连接构件上并覆盖腔,并且具有设置在第一连接构件上并覆盖腔的表面的第二绝缘层以及位于第二绝缘层上并连接到第一重新分布层的第二重新分布层;以及半导体芯片,在腔中设置在第二连接构件上。
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公开(公告)号:CN109755206B
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN201810399546.7
申请日:2018-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种连接构件及其制造方法以及半导体封装件。所述半导体封装件包括:半导体芯片;连接构件,具有第一表面和与第一表面背对的第二表面,半导体芯片设置在第一表面上;包封件,设置在连接构件的第一表面上,并包封半导体芯片;钝化层,位于连接构件的第二表面上;以及凸块下金属层,部分地嵌在钝化层中,其中,凸块下金属层包括:凸块下金属过孔,嵌在钝化层中并连接到连接构件的重新分布层;以及凸块下金属焊盘,连接到凸块下金属过孔,并从钝化层的表面突出,并且凸块下金属过孔的与凸块下金属焊盘接触的部分的宽度比凸块下金属过孔的与重新分布层接触的部分的宽度窄。
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公开(公告)号:CN109727958B
公开(公告)日:2023-03-28
申请号:CN201811060832.7
申请日:2018-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件,所述扇出型半导体封装件包括:框架,包括:绝缘层、布线层及连接过孔层,并且框架具有凹入部和设置在凹入部的底表面上的止挡层;半导体芯片,设置在凹入部中并且具有连接焊盘、设置有连接焊盘的有效表面和与有效表面背对并且设置在止挡层上的无效表面;包封剂,覆盖半导体芯片的至少部分并且填充凹入部的至少部分;及连接构件,设置在框架和半导体芯片的有效表面上并且包括重新分布层,重新分布层使框架的布线层和半导体芯片的连接焊盘彼此电连接。半导体芯片的有效表面和包封剂的上表面之间具有台阶部。
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公开(公告)号:CN109727965B
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN201810398245.2
申请日:2018-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装模块及其制造方法。所述扇出型半导体封装模块包括具有第一通孔和第二通孔的芯构件。半导体芯片位于所述第一通孔中,并且包括具有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面。另一无源组件位于所述第二通孔中。第一包封件覆盖所述芯构件和所述无源组件的至少部分并且填充所述第二通孔的至少部分。增强构件位于所述第一包封件上。第二包封件覆盖所述半导体芯片的至少部分并且填充所述第一通孔的至少部分。连接构件位于所述芯构件、所述半导体芯片的所述有效表面以及所述无源组件上,并且包括电连接到所述连接焊盘和所述无源组件的重新分布层。
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公开(公告)号:CN111755426A
公开(公告)日:2020-10-09
申请号:CN202010161192.X
申请日:2020-03-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:第一连接构件,包括第一重新分布层;第一框架,设置在所述第一连接构件上;第一半导体芯片,设置在所述第一贯穿部中并且具有第一连接垫;第一包封剂,覆盖所述第一框架和所述第一半导体芯片中的每个的一部分,并且填充所述第一贯穿部的至少一部分;第二连接构件,设置在所述第一包封剂上并且包括第二重新分布层;第二半导体芯片,设置在所述第二连接构件上并且具有第二连接垫;第二包封剂,覆盖所述第二半导体芯片的一部分;以及第一贯穿过孔,贯穿所述第一连接构件的一部分、所述第一框架和所述第一包封剂,并且使所述第一重新分布层和所述第二重新分布层彼此电连接。
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公开(公告)号:CN111755395A
公开(公告)日:2020-10-09
申请号:CN201911299256.6
申请日:2019-12-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:连接结构,包括一个或更多个重新分布层;芯结构,设置在所述连接结构的表面上;半导体芯片,设置在所述表面上,并且包括电连接到所述连接结构的所述重新分布层的连接垫;第一包封剂,设置在所述表面上并且覆盖所述芯结构和所述半导体芯片中的每个的至少一部分;天线基板,设置在所述第一包封剂上并且包括一个或更多个布线层,所述布线层的至少一部分包括天线图案;以及贯穿过孔,贯穿所述连接结构、所述芯结构、所述第一包封剂和所述天线基板中的每个的至少一部分。
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公开(公告)号:CN111293108A
公开(公告)日:2020-06-16
申请号:CN201911217424.2
申请日:2019-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/498
Abstract: 本公开提供一种中介体及包括其的半导体封装件,所述半导体封装件包括具有多个连接结构和钝化层的中介体,多个连接结构均包括彼此电连接的重新分布层,钝化层覆盖连接结构中的每个的至少一部分,并填充连接结构之间的空间。第一半导体芯片设置在中介体上并具有第一连接垫,并且第二半导体芯片在中介体上与第一半导体芯片相邻设置并具第二连接垫。连接结构独立地被布置为均在第一半导体芯片和第二半导体芯片在中介体上的堆叠方向上与第一半导体芯片和第二半导体芯片中的一者或两者至少部分地叠置。连接结构中的每个的重新分布层经由凸块下金属电连接到第一连接垫和第二连接垫中的至少一个。
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公开(公告)号:CN111244079A
公开(公告)日:2020-06-05
申请号:CN201911170738.1
申请日:2019-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种封装件模块。所述封装件模块包括:连接结构,包括一个或更多个重新分布层;半导体芯片,设置在连接结构上并且具有电连接到所述一个或更多个重新分布层的连接垫;多个电子组件,设置在连接结构上并且电连接到所述一个或更多个重新分布层;一个或更多个框架,设置在连接结构上;以及包封剂,设置在连接结构上,并且分别覆盖半导体芯片、所述多个电子组件和所述一个或更多个框架的至少一部分。包封剂的外侧表面的至少一部分在与所述一个或更多个框架中的至少一个的外侧表面的至少一部分的平面相同的平面上共面。
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