公开(公告)号：CN112435986A

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN202010868480.9

申请日：2020-08-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蒋妵希 ,  金石镐 ,  罗勋奏 ,  朴宰亨 ,  李圭夏

IPC: H01L23/535 ,  H01L25/18 ,  H01L27/146 ,  H01L21/98

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括接合在一起的第一半导体芯片和第二半导体芯片。第一半导体芯片包括第一基板、设置在第一基板上并且具有顶表面的第一绝缘层、嵌入在第一绝缘层中并且具有与第一绝缘层的顶表面基本齐平的顶表面的第一金属焊盘、以及设置在第一绝缘层和第一金属焊盘之间的第一阻挡件。第二半导体芯片以与第一半导体芯片相似的构造包括第二基板、第二绝缘层、第二金属焊盘和第二阻挡件。第一绝缘层的顶表面和第二绝缘层的底表面被接合以提供接合界面，第一金属焊盘和第二金属焊盘被连接，并且第一绝缘层的部分与第一金属焊盘的侧部区域接触。

公开(公告)号：CN109935524A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201811465732.2

申请日：2018-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  金圣协 ,  任京彬 ,  金石镐 ,  金兑泳

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/77

Abstract: 一种基底结合设备和一种结合基底的方法，该设备包括：上卡盘，将第一基底固定到上卡盘的下表面上，使得第一基底向下变形为凹表面轮廓；下卡盘，布置在上卡盘下方并且将第二基底固定到下卡盘的上表面上，使得第二基底向上变形为凸表面轮廓；以及卡盘控制器，控制上卡盘和下卡盘以分别固定第一基底和第二基底，并且生成将第二基底的形状从平坦表面轮廓改变为凸表面轮廓的形状参数。

公开(公告)号：CN109103124A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201810521429.3

申请日：2018-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金兑泳 ,  姜泌圭 ,  金石镐 ,  文光辰 ,  李来寅 ,  李镐珍

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种晶片结合装置，用于在晶片结合工艺和/或包括所述晶片结合装置的晶片结合系统中精确地检测晶片的结合状态。所述晶片结合装置包括：第一支撑板，包括第一表面和用于真空吸附在第一表面上设置的第一晶片的真空槽；第二支撑板，包括面对第一表面的第二表面。第二晶片在第二表面上。所述晶片结合装置和/或所述晶片结合系统包括位于第一支撑板的中心部分处的结合引发器和位于第一支撑板上的区域传感器，所述区域传感器被配置为检测第一晶片与第二晶片之间的结合的传播状态。

公开(公告)号：CN106992162A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201710037091.X

申请日：2017-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜泌圭 ,  李镐珍 ,  朴炳律 ,  金兑泳 ,  金石镐

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/065

Abstract: 本公开提供一种具有TSV结构的多重堆叠器件。该多重堆叠器件包括：下部器件，具有下基板、在下基板上的第一绝缘层以及在第一绝缘层上的硅通孔(TSV)焊盘；中间器件，具有中间基板、在中间基板上的第二绝缘层以及在第二绝缘层上的第一TSV凸块；上部器件，具有上基板、在上基板上的第三绝缘层以及在第三绝缘层上的第二TSV凸块；以及TSV结构，穿过上基板、第三绝缘层、第二绝缘层以及中间基板以连接到第一TSV凸块、第二TSV凸块和TSV焊盘。在中间基板与TSV结构之间的绝缘的第一TSV间隔物和在上基板与TSV结构之间的绝缘的第二TSV间隔物沿堆叠方向间隔开。

公开(公告)号：CN107768305B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN201710709806.1

申请日：2017-08-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镐珍 ,  文光辰 ,  金石镐 ,  方硕哲 ,  安振镐 ,  李来寅

IPC: H01L21/768

公开(公告)号：CN108074797B

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN201711107811.1

申请日：2017-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镐珍 ,  金石镐 ,  文光辰 ,  朴炳律 ,  李来寅

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种通过使用晶片级工艺对衬底的斜面区进行修整而能够提高工艺再现性及工艺稳定性的制作衬底结构的方法。所述方法包括：提供第一衬底，所述第一衬底包括彼此相对的第一表面与第二表面、以及形成在所述第一表面的第一装置区；提供第二衬底，所述第二衬底包括彼此相对的第三表面与第四表面、以及位于所述第三表面的第二装置区；对所述第一衬底与所述第二衬底进行结合，以对所述第一装置区与所述第二装置区进行电连接；以及形成经修整的衬底。所述形成所述经修整的衬底包括蚀刻被结合到所述第一衬底的所述第二衬底的边缘区。

公开(公告)号：CN115568227A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210785277.4

申请日：2022-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴建相 ,  李圭夏 ,  李荣敏 ,  金石镐 ,  李仁荣 ,  郑锡焕 ,  赵星东

IPC: H10B80/00 ,  H01L25/18 ,  H01L23/373 ,  H01L23/544

Abstract: 一种半导体封装，包括：第一结构，包括第一绝缘层和穿透所述第一绝缘层的第一接合焊盘；以及第二结构，在所述第一结构上，所述第二结构包括：第二绝缘层，被接合到所述第一绝缘层；接合焊盘结构，穿透所述第二绝缘层，被接合到所述第一接合焊盘；以及测试焊盘结构，穿透所述第二绝缘层，所述测试焊盘结构包括：测试焊盘，在穿透所述第二绝缘层的开口中，并且所述测试焊盘具有带有平坦表面的突出部；以及接合层，填充所述开口并且覆盖所述测试焊盘和所述平坦表面，所述测试焊盘的所述突出部从与所述接合层接触的表面延伸，所述突出部的所述平坦表面在所述开口之中并且与所述接合层和所述第一绝缘层之间的界面间隔开。

公开(公告)号：CN114649352A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111366247.1

申请日：2021-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张东宁 ,  金石镐 ,  李应揆

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器。该图像传感器包括传感器芯片以及传感器芯片上的逻辑芯片。传感器芯片包括第一基底、上接合层和第一布线层，逻辑芯片包括第二基底、下接合层和第二布线层。上接合层与下接合层彼此接触，其中，上接合层包括上介电层、上导电垫、上屏蔽结构及上布线线，并且下接合层包括下介电层、下导电垫、下屏蔽结构以及下布线线。上布线线、上导电垫和上屏蔽结构连接成一个主体，下布线线、下导电垫和下屏蔽结构连接成一个主体，上导电垫和下导电垫彼此叠置并接触，并且上布线线和下布线线彼此叠置并接触。

公开(公告)号：CN113745184A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110591093.X

申请日：2021-05-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镇南 ,  金石镐 ,  罗勋奏 ,  文光辰

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，具有其上设置有有源区的第一表面和与第一表面相反的第二表面；掩埋导线，在一个方向上延伸并具有被掩埋在有源区中的部分；覆盖掩埋导线的绝缘部分；设置在绝缘部分上并连接到掩埋导线的接触结构；从第二表面延伸到绝缘部分并暴露掩埋导线的掩埋部分的贯穿孔；设置在掩埋导线的侧表面上并暴露掩埋部分的底表面和与底表面相邻的侧表面的绝缘隔离膜；接触掩埋导线的底表面和相邻的侧表面的贯穿通路；围绕贯穿通路的绝缘衬层。

公开(公告)号：CN111223774A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201910800373.X

申请日：2019-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蒋妵希 ,  金石镐 ,  罗勋奏 ,  文光辰 ,  朴宰亨 ,  李圭夏

IPC: H01L21/3105 ,  H01L27/146

Abstract: 一种晶片平坦化方法，包括在具有芯片区域和划线区域的基板上形成第二绝缘层和抛光层；在芯片区域和划线区域中的抛光层中形成第一通孔并且在芯片区域中的第二绝缘层中形成第二通孔，其中第二通孔与第一通孔在芯片区域中相接；在第一通孔和第二通孔内以及抛光层的上表面上形成焊盘金属层；通过化学机械抛光(CMP)工艺抛光该抛光层和焊盘金属层，以暴露芯片区域和划线区域中的第二绝缘层的上表面。