-
公开(公告)号：CN108461394B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201810358912.4
申请日：2012-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种采用应力记忆技术制造半导体器件的方法及半导体器件。所述方法包括：提供支撑栅电极的衬底；通过执行预非晶化注入(PAI)工艺并且在PAI工艺中或与PAI工艺分离地将C或N注入源/漏区中而将位于栅电极两侧的源/漏区非晶化和掺杂；在衬底上形成引力诱导层以覆盖非晶化的源/漏区；以及随后通过对衬底进行退火而使源/漏区再结晶。然后，可去除应力诱导层。此外，在源/漏区已经非晶化之后可将C或N注入整个源/漏区中，或者仅注入非晶化的源/漏区的上部分。
-
公开(公告)号：CN111106174A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911004608.0
申请日：2019-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 一种半导体器件，包括：基板；有源区，设置在基板上并沿第一方向延伸；与有源区相邻的器件隔离层；设置在有源区中的栅极结构，该栅极结构沿与第一方向交叉的第二方向延伸并覆盖器件隔离层的一部分；栅极分离图案，接触栅极结构的端部；以及杂质区，设置在栅极分离图案下方并在器件隔离层上。
-
公开(公告)号：CN102851643B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201210227849.3
申请日：2012-07-02
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3407 , H01J37/32522 , H01J37/3435 , H01J37/3497 , Y10T29/49947
Abstract: 本发明提供了非粘合溅射结构以及形成用于溅射的结构的方法。该非粘合溅射结构包括具有板状的溅射靶和具有板状的背板。背板面对溅射靶，并且溅射靶和背板的面对表面彼此接触。背板包括：主体，具有纵轴；以及冷却构件，冷却材料通过冷却构件在主体的实质上平行于纵轴的纵向方向上流动。冷却材料将由溅射而从溅射靶产生的热传导到背板的外部。该非粘合型溅射结构还包括多个非粘合紧固构件，该多个非粘合紧固构件保持背板和溅射靶的面对表面彼此接触。非粘合紧固构件延伸穿过背板的厚度且对应于背板的不包括冷却构件的区域。
-
公开(公告)号：CN104377197A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410393679.5
申请日：2014-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底，包括第一区和第二区；第一晶体管，提供在第一区上以包括从衬底突出的第一沟道区；以及第二晶体管，提供在第二区上以包括第二沟道区和在衬底与第二沟道区之间延伸的栅电极。第一沟道区可以包括包含与第二沟道区不同的材料的下半导体图案和包含与第二沟道区相同的材料的上半导体图案。
-
公开(公告)号：CN102956503A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210282278.3
申请日：2012-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/165 , H01L21/26506 , H01L21/26586 , H01L21/26593 , H01L21/30604 , H01L21/30608 , H01L21/324 , H01L21/76237 , H01L29/0847 , H01L29/1037 , H01L29/6653 , H01L29/66545 , H01L29/6659 , H01L29/66621 , H01L29/66636 , H01L29/7834 , H01L29/7835 , H01L29/7848
Abstract: 公开了一种半导体装置和制造该半导体装置的方法。一种制造半导体装置的晶体管的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成栅极图案；在栅极图案的侧壁上形成间隔体；对半导体衬底进行湿式蚀刻以在该半导体衬底中形成第一凹陷，其中，第一凹陷与间隔体相邻；以及对第一凹陷进行湿式蚀刻以在半导体衬底中形成第二凹陷。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1783513A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510113879.1
申请日：2005-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金相秀
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/105 , H01L21/8239
Abstract: 本发明公开了一种在非易失存储器件及其制造方法。在所述器件中，电荷俘获层的至少一个边缘是凹入的。这样，在编程操作期间器件的域值电压和在擦除操作期间器件的域值电压保持在适当且稳定的水平。结果，改善了器件特性。
-
公开(公告)号：CN1531107A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200310118865.X
申请日：2003-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/105 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L29/4232 , H01L21/28114 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/66833 , H01L29/7923
Abstract: 本发明提供凹切栅极SONOS晶体管及其制造方法，所述凹切栅极SONOS晶体管包括：具有源/漏区的衬底；位于源/漏区之间的衬底上的栅绝缘层；凹切栅极结构，位于所述栅绝缘层上，并具有至少一个凹切；以及分别位于栅极结构的所述至少一个凹切中的至少一个ONO楔形结构。
-
公开(公告)号：CN1165085C
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN01100202.6
申请日：2001-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/02 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66916 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L21/76259 , H01L27/1203 , H01L29/1054 , H01L29/66742 , H01L29/78612 , H01L29/78621 , H01L29/78687 , H01L29/802
Abstract: CMOS集成电路器件包括电绝缘层和在电绝缘层上的未形变的硅有源层。并在未形变的硅有源层表面上设置绝缘栅电极。在电绝缘层和未形变的硅有源层之间还设置Si1-xGex层。Si1-xGex层与未形变的硅有源层形成第一结，并具有沿从峰值朝未形变的硅有源层的表面延伸的第一方向单调地降低的渐变Ge浓度。
-
公开(公告)号：CN110400803B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201910747785.1
申请日：2014-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/423 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括第一区和第二区；第一晶体管，提供在第一区上以包括从衬底突出的第一沟道区；以及第二晶体管，提供在第二区上以包括第二沟道区和在衬底与第二沟道区之间延伸的栅电极。第一沟道区可以包括包含与第二沟道区不同的材料的下半导体图案和包含与第二沟道区相同的材料的上半导体图案。
-
公开(公告)号：CN106057867B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201610230485.2
申请日：2016-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括在基板上的由隔离层限定的多个有源鳍、在有源鳍和隔离层上的栅结构、以及覆盖栅结构的侧壁的栅间隔物结构。栅结构的侧壁包括分别具有第一坡度、第二坡度和第三坡度的第一区域、第二区域和第三区域。第二坡度从第二区域的底部朝向顶部增大。第二坡度在第二区域的底部具有小于第一坡度的值。第三坡度大于第二坡度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
39
records
(took 0.025 seconds)
