公开(公告)号：CN106057867A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610230485.2

申请日：2016-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正韩 ,  李在焕 ,  金相秀 ,  崔桓昱 ,  李泰宗 ,  河承模

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括在基板上的由隔离层限定的多个有源鳍、在有源鳍和隔离层上的栅结构、以及覆盖栅结构的侧壁的栅间隔物结构。栅结构的侧壁包括分别具有第一坡度、第二坡度和第三坡度的第一区域、第二区域和第三区域。第二坡度从第二区域的底部朝向顶部增大。第二坡度在第二区域的底部具有小于第一坡度的值。第三坡度大于第二坡度。

公开(公告)号：CN106057867B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201610230485.2

申请日：2016-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正韩 ,  李在焕 ,  金相秀 ,  崔桓昱 ,  李泰宗 ,  河承模

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括在基板上的由隔离层限定的多个有源鳍、在有源鳍和隔离层上的栅结构、以及覆盖栅结构的侧壁的栅间隔物结构。栅结构的侧壁包括分别具有第一坡度、第二坡度和第三坡度的第一区域、第二区域和第三区域。第二坡度从第二区域的底部朝向顶部增大。第二坡度在第二区域的底部具有小于第一坡度的值。第三坡度大于第二坡度。