公开(公告)号：CN106169439B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201610329900.X

申请日：2016-05-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金田中 ,  金永培 ,  金钟三 ,  朴镇亨 ,  安正勋 ,  吴赫祥 ,  李敬雨 ,  李孝善 ,  张淑禧

IPC: H01L21/768

Abstract: 本公开提供了布线结构、形成布线结构的方法以及半导体器件。一种布线结构包括：基板；下绝缘层，在基板上；下布线，在下绝缘层中；第一蚀刻停止层，覆盖下布线并包括含金属的电介质材料；以及第二蚀刻停止层，在第一蚀刻停止层和下绝缘层上；绝缘夹层，在第二蚀刻停止层上；以及导电图案，延伸穿过绝缘夹层、第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层并电连接到下布线。

公开(公告)号：CN112331645A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN202010756040.4

申请日：2020-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李章雨 ,  沈钟辅 ,  金知晃 ,  孔永哲 ,  金永培 ,  金泰焕 ,  马亨乐

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367

Abstract: 一种半导体封装装置，可以包括第一封装衬底、位于第一封装衬底上的第一半导体芯片、位于第一半导体芯片上的插件、位于插件上的翘曲防止构件、位于插件和第一封装衬底上的模制构件以及位于模制构件上的第二封装衬底。模制构件的顶表面的至少一部分可以与第二封装衬底的底表面间隔开。

公开(公告)号：CN110010558A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811430286.1

申请日：2018-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永培

IPC: H01L23/31 ,  H01L27/146 ,  H01L25/065

Abstract: 图像传感器封装包括基板；图像传感器芯片，设置在所述基板上；以及外力吸收层，设置在所述基板和所述图像传感器芯片之间并具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述图像传感器封装还包括粘合剂层，该粘合剂层被配置为将所述外力吸收层的第二表面粘合到所述基板。粘合剂层具有第一模量，且外力吸收层具有与第一模量不同的第二模量。

公开(公告)号：CN109699118A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811183511.6

申请日：2018-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李虱气 ,  金永培

IPC: H05K1/02 ,  H01L23/498

Abstract: 提供一种印刷电路板和半导体封装件。印刷电路板可包括基层、彼此相对的第一表面和第二表面。第一布线层可以位于第一表面上，第二布线层可以位于第二表面上，第一布线层可以设置在第一区和第二区中的每一个的上部，第二布线层可以设置在第一区和第二区中的每一个的下部。第一区的上部可以具有第一线-面积比，第二区的上部可以具有第二线-面积比，第一区的下部可以具有第三线-面积比，第二区的下部可以具有第四线-面积比，第二线-面积比和第三线-面积比可以大于第一线-面积比和第四线-面积比中的每一个。

公开(公告)号：CN108573916A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810124015.7

申请日：2018-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴水贤 ,  金永培 ,  安商熏 ,  姜成进 ,  徐训硕 ,  吴赫祥 ,  李禹镇

IPC: H01L21/768

Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括金属膜和覆盖金属膜的顶表面的复合盖层。金属膜包含第一金属，并穿过形成在基板之上的绝缘膜的至少一部分。复合盖层包括覆盖金属膜的顶表面的导电合金盖层以及覆盖导电合金盖层的顶表面和绝缘膜的顶表面的绝缘盖层。导电合金盖层包含半导体元素和不同于第一金属的第二金属。绝缘盖层包含第三金属。

公开(公告)号：CN106449541A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610647582.1

申请日：2016-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任允赫 ,  奥列格·费根森 ,  金相壹 ,  金永培 ,  金志澈 ,  睦承坤 ,  河丁寿

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L23/367 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/563 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/552 ,  H01L23/562 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29

Abstract: 公开了一种半导体封装件。半导体封装件可以包括：封装基底；半导体芯片，安装在封装基底上以具有面对封装基底的底表面和与底表面相对的顶表面；模制层，设置在封装基底上以包封半导体芯片；以及散热层，设置在半导体芯片的顶表面上。模制层可以具有基本上与半导体芯片的顶表面共面的顶表面，半导体芯片的顶表面和模制层的顶表面可以具有彼此不同的表面粗糙度。