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公开(公告)号：CN107017271B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201611051121.4
申请日：2016-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种半导体器件包括芯片层叠结构，该芯片层叠结构包括第一半导体芯片和堆叠在第一半导体芯片上的第二半导体芯片。第一半导体芯片包括第一基板、在第一基板的前表面上的第一电路层、和设置在第一电路层上并包括电连接到第一电路层的第一金属垫的第一连接层。第二半导体芯片包括第二基板、在第二基板的前表面上的第二电路层、和设置在第二电路层上并包括电连接到第二电路层的第二金属垫的第二连接层。第一连接层面对第二连接层。第一金属垫和第二金属垫彼此接触以将第一和第二半导体芯片彼此联接。
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公开(公告)号：CN113284878A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110417395.5
申请日：2016-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 权杜原
IPC: H01L23/538 , H01L25/04 , H01L27/146
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括：第一子芯片，包括由多个第一通路互连的多个第一金属层；第二子芯片，包括由多个第二通路互连的多个第二金属层；绝缘层，插置在第一子芯片和第二子芯片之间，其中绝缘层包括形成在第一子芯片的表面上的第一绝缘层和形成在第二子芯片的表面上的第二绝缘层；连接区，布置在绝缘层中且将第一金属层电连接到第二金属层；以及贯通通路，从第二子芯片的远离第一子芯片的表面穿入第二子芯片，且被电连接到第二金属层，其中第一通路、第二通路、以及连接区至少之一与贯通通路横向间隔开，以及其中至少一个阻挡层被设置在绝缘层中。
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公开(公告)号：CN109728012A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811210354.3
申请日：2018-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像感测设备，该图像感测设备包括第一基底结构、第二基底结构和存储器芯片。第一基底结构包括具有光电转换元件的像素区域。第二基底结构包括连接到第一基底结构的第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且还包括电路区域以驱动像素区域。存储器芯片安装在第二基底结构的第二表面上。第一基底结构和第二基底结构通过穿过第一基底结构的第一连接过孔电连接。第二基底结构和存储器芯片通过穿过第二基底结构的一部分的第二连接过孔电连接。第一连接过孔和第二连接过孔在平面上位于不同位置处。
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公开(公告)号：CN107017229A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610847066.3
申请日：2016-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 权杜原
IPC: H01L23/538 , H01L25/04 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L23/49827 , H01L23/5226 , H01L24/32 , H01L25/0657 , H01L27/11582 , H01L27/14618 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/1469 , H01L28/00 , H01L2224/32105 , H01L2224/32146 , H01L2224/48091 , H01L2224/48237 , H01L2224/73265 , H01L2225/06544 , H01L2924/15311 , H04N5/2253 , H01L2924/00014 , H01L23/5384 , H01L25/043 , H01L27/14601 , H01L27/14683
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括：包括由第一通路互连的多个第一金属层的第一集成电路衬底；以及在第一集成电路衬底上且包括由第二通路互连的第二金属层的第二集成电路衬底。绝缘层被布置在第一集成电路衬底和第二集成电路衬底之间，连接区被布置在绝缘层中并且将第一金属层中的第一个电连接到第二金属层中的第一个。所述器件还包括在第二集成电路衬底上的键合焊盘以及从键合焊盘延伸并进入第二集成电路衬底内以接触第二金属层中的第二个的贯通通路。贯通通路被安置从而不重叠第一通路、第二通路和连接区中的至少一个。制造这样的器件的方法也被描述。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118866918A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202311534265.5
申请日：2023-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：第一衬底，其具有包括第一电子元件的第一半导体层、在第一半导体层上的第一绝缘层、在第一绝缘层中并通过第一衬底的第一侧被暴露的第一导电焊盘和在第一绝缘层中连接到第一半导体层的第一布线；以及第二衬底，其附接到第一衬底的第一侧，并具有包括第二电子元件的第二半导体层、在第二半导体层上的第二绝缘层、在第二绝缘层中的第二布线、穿透第二半导体层并连接到第二布线的通孔件和连接通孔件与第一衬底的第一导电焊盘的第二导电焊盘，第二导电焊盘的至少一部分在第二半导体层中。
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公开(公告)号：CN118116940A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311168005.0
申请日：2023-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/76
Abstract: 发明构思提供了其中降低了贯通电极与垫之间的未对准并且降低了相邻垫之间的耦合噪声的三层堆叠式图像传感器及其制造方法。三层堆叠式图像传感器包括：上部芯片，包括以二维阵列结构布置的像素和第一布线层，每个像素包括光电二极管、传输栅极和浮置扩散区域；中间芯片，包括与每个像素对应的源极跟随器栅极、选择栅极和复位栅极、第一硅层以及第二布线层；以及下部芯片，包括图像传感器处理器、第三布线层和第二硅层，从第二布线层延伸穿过第一硅层的贯通电极的上部部分的剖面具有倒梯形结构。
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公开(公告)号：CN117352524A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310662234.1
申请日：2023-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：第一基底，其中集成有一晶体管；以及第一多个布线结构，在第一基底上。第一多个布线结构包括电连接到第一晶体管的第一布线结构。第二基底在第一多个布线结构上延伸并具有集成在其中的第二晶体管，第二晶体管电连接到第一多个布线结构内的第二布线结构。第二多个布线结构在第二基底上延伸。第三基底设置在第二多个布线结构上。微透镜在第三基底的光接收表面上延伸。光感测元件在第三基底内延伸。传输栅极(TG)延伸到第三基底的一部分中，与光感测元件相邻地延伸并电连接到第二多个布线结构内的第一布线结构。浮置扩散(FD)区域在第三基底内延伸并与TG相邻。FD区域电连接到第二多个布线结构内的第二布线结构。
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公开(公告)号：CN110838498B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201910724715.4
申请日：2019-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器，其包括包含多个像素的第一基板、在每个像素处的第一基板中的光电转换区域、第一基板上的第一电容器、以及与第一电容器间隔开并围绕第一电容器的屏蔽结构。
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公开(公告)号：CN112397536A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010805347.9
申请日：2020-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。图像传感器包括：第一基板；多个光电转换单元，位于第一基板中；第一连接层，设置在第一基板上；多个第一像素焊盘，设置在第一连接层上；多个第一外围焊盘，设置在第一基板上；多个第二像素焊盘，分别位于多个第一像素焊盘上；多个第二外围焊盘，分别位于多个第一外围焊盘上；第二连接层，设置在多个第二像素焊盘和多个第二外围焊盘上；器件，设置在第二连接层上；以及第二基板，设置在第二连接层和器件上，其中，多个第一像素焊盘的间距与第一基板的多个像素区域的间距基本上相同。
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