公开(公告)号：CN118116940A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311168005.0

申请日：2023-09-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权杜原 ,  蒋玟澔 ,  林京太 ,  金度延 ,  李海晶

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/76

Abstract: 发明构思提供了其中降低了贯通电极与垫之间的未对准并且降低了相邻垫之间的耦合噪声的三层堆叠式图像传感器及其制造方法。三层堆叠式图像传感器包括：上部芯片，包括以二维阵列结构布置的像素和第一布线层，每个像素包括光电二极管、传输栅极和浮置扩散区域；中间芯片，包括与每个像素对应的源极跟随器栅极、选择栅极和复位栅极、第一硅层以及第二布线层；以及下部芯片，包括图像传感器处理器、第三布线层和第二硅层，从第二布线层延伸穿过第一硅层的贯通电极的上部部分的剖面具有倒梯形结构。

公开(公告)号：CN117352524A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310662234.1

申请日：2023-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蒋玟澔 ,  权杜原 ,  林京太 ,  金东炫

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：第一基底，其中集成有一晶体管；以及第一多个布线结构，在第一基底上。第一多个布线结构包括电连接到第一晶体管的第一布线结构。第二基底在第一多个布线结构上延伸并具有集成在其中的第二晶体管，第二晶体管电连接到第一多个布线结构内的第二布线结构。第二多个布线结构在第二基底上延伸。第三基底设置在第二多个布线结构上。微透镜在第三基底的光接收表面上延伸。光感测元件在第三基底内延伸。传输栅极(TG)延伸到第三基底的一部分中，与光感测元件相邻地延伸并电连接到第二多个布线结构内的第一布线结构。浮置扩散(FD)区域在第三基底内延伸并与TG相邻。FD区域电连接到第二多个布线结构内的第二布线结构。

公开(公告)号：CN117641963A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311100420.2

申请日：2023-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蒋玟澔 ,  权杜原 ,  金度延 ,  林京太

IPC: H10K39/32 ,  H10K39/38 ,  H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器，包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的下基底，设置在第一表面上的下电路器件，电连接到第一表面上的下电路器件的下布线结构，在第二表面上的下键合垫，在下键合垫和下布线结构之间穿过下基底的下键合过孔，设置在第一表面上并接触下键合过孔的着陆结构，在下键合垫上键合到下键合垫的上键合垫以及设置在上键合垫上并包括光电转换器件的上基底。着陆结构的至少一部分水平重叠下电路器件。

公开(公告)号：CN115440754A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210603744.7

申请日：2022-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权杜原 ,  文昌碌 ,  林京太

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/369

Abstract: 提供的是一种图像传感器，包括：第一层，包括第一半导体衬底和设置在第一半导体衬底上的第一布线层；第二层，包括第二半导体衬底和设置在第二半导体衬底上的第二布线层，并且设置在第一层上，使得第一布线层和第二布线层在第一方向上彼此相对；多个第一接合结构，基于第一接合金属与第二接合金属接触来将第一层接合到第二层；第三层，包括第三半导体衬底和设置在第三半导体衬底上的第三布线层，并且接合到第二层，使得第二半导体衬底和第三布线层在第一方向上彼此相对；以及多个第二接合结构，从第二布线层延伸，并且基于穿透第二半导体衬底的接合通路与暴露于第三布线层的表面的第三接合金属接触来将第二层接合到第三层。