公开(公告)号：CN113745327A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110022063.7

申请日：2021-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  文泰欢 ,  南胜杰 ,  赵常玹

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L21/44 ,  H01L29/78 ,  H01L49/02 ,  H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L27/108

Abstract: 提供叠层结构体以及包括其的半导体器件、半导体设备和电子设备、和制造叠层结构体的方法。所述叠层结构体包括：基底；和在所述基底上的薄膜结构体，所述薄膜结构体包括：平行于所述基底的第一反铁电层，平行于所述基底的第二反铁电层，以及平行于所述基底的铁电层，其中所述铁电层在所述第一反铁电层和所述第二反铁电层之间。

公开(公告)号：CN112750685A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011180671.2

申请日：2020-10-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 李昌锡 ,  申铉石 ,  申铉振 ,  洪锡模 ,  李珉贤 ,  南胜杰 ,  马庆烈

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  B82Y30/00

Abstract: 提供氮化硼层、包括其的装置及制造氮化硼层的方法。所述氮化硼层包括氮化硼化合物并且在100kHz的工作频率下具有约2.5或更小的介电常数。

公开(公告)号：CN119855191A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411421293.0

申请日：2024-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳时正 ,  南胜杰 ,  金东勋 ,  李泫宰 ,  崔德铉 ,  崔硕训

IPC: H10D30/60 ,  H10D62/10 ,  H10D62/60 ,  H10D64/68 ,  H10B51/30 ,  G06N3/065

Abstract: 本发明涉及铁电场效应晶体管、存储器器件和神经网络器件。铁电场效应晶体管包括：沟道、设置为面向所述沟道的栅电极、设置在所述沟道和所述栅电极之间的铁电层、设置在所述沟道和所述铁电层之间的界面层、以及设置在所述铁电层和所述栅电极之间的扩散阻挡层，其中所述扩散阻挡层包括SiON，所述扩散阻挡层具有从所述扩散阻挡层的面向所述栅电极的第一表面朝向所述扩散阻挡层的面向所述铁电层的第二表面逐渐降低的氧浓度梯度，并且扩散阻挡层可具有从所述第一表面朝向所述第二表面逐渐增加的氮浓度梯度。

公开(公告)号：CN119835967A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411424658.5

申请日：2024-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李泫宰 ,  南胜杰 ,  金东勋 ,  柳时正 ,  崔德铉

IPC: H10D30/60 ,  H10D64/68 ,  H10B51/30

Abstract: 提供了一种半导体器件和包括该半导体器件的电子装置，包括包含半导体材料的沟道层、布置在沟道层上并且包括铁电材料的铁电层、布置在铁电层上的栅电极、布置在铁电层和栅电极之间并且包括第一顺电材料的第一插入层、以及布置在沟道层和铁电层之间并且包括第二顺电材料的第二插入层，第二顺电材料具有高于第一顺电材料的介电常数的介电常数。

公开(公告)号：CN108987463B

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN201711443416.0

申请日：2017-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  申铉振 ,  赵连柱 ,  南胜杰 ,  朴晟准 ,  李润姓

IPC: H01L29/16

Abstract: 本公开提供了包括石墨烯的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种半导体器件包括基板和石墨烯层。基板包括绝缘体和半导体。石墨烯层生长在半导体的表面上。半导体包括IV族材料和III‑V族化合物中的至少一种。公开了一种制造该半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN116137287A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202211433777.8

申请日：2022-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵鹤烈 ,  崔悳铉 ,  许镇盛 ,  李润姓 ,  南胜杰 ,  李泫宰

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种半导体器件、其制造方法、半导体装置及电子装置。该半导体器件包括具有包含掺杂剂的沟道层的基板、在沟道层上的铁电层、以及在铁电层上的栅极。沟道层具有1×1015cm‑3至1×1021cm‑3的掺杂浓度。

公开(公告)号：CN115881189A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211184303.4

申请日：2022-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  裵鹤烈 ,  南胜杰 ,  李泫宰 ,  崔悳铉

IPC: G11C15/04 ,  G11C11/56 ,  G11C8/14

Abstract: 提供了内容可寻址存储器和包括其的电子装置。该内容可寻址存储器可以包括连接到匹配线、字线和搜索线的存储器单元，存储器单元包括掺有不同掺杂剂的第一沟道层和第二沟道层。

公开(公告)号：CN114551719A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111419151.7

申请日：2021-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  文泰欢 ,  裵鹤烈 ,  南胜杰 ,  金尚昱 ,  李光熙

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件、包括该半导体器件的半导体装置、以及包括该半导体器件的电子设备。该半导体装置包括多个半导体器件。半导体器件均在两个电极之间包括铁电层、导电金属氧化物层和半导体层。导电金属氧化物层可以在铁电层和半导体层之间。铁电层、导电金属氧化物层和半导体层可以都包括金属氧化物。导电金属氧化物层可以包括从由铟氧化物、锌氧化物、锡氧化物及其任意组合组成的组中选择的一种或更多种材料。

公开(公告)号：CN106169502B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201610149522.7

申请日：2016-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  金海龙 ,  申铉振 ,  南胜杰 ,  朴晟准

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开提供包括金属‑二维材料‑半导体接触的半导体器件。一种半导体器件包括半导体层、电接触半导体层的金属层、以及在半导体层与金属层之间并具有二维晶体结构的二维材料层。

公开(公告)号：CN107768331A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710700935.4

申请日：2017-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东郁 ,  金尚元 ,  薛珉洙 ,  郑盛骏 ,  南胜杰 ,  朴晟准 ,  申铉振

IPC: H01L23/373

CPC classification number: H01L23/3733 ,  B82Y30/00 ,  C08K3/042 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/3738 ,  H01L23/42

Abstract: 公开了使用诸如石墨烯量子点(GQD)的纳米尺寸的石墨烯碎片的散热结构和/或制造该散热结构的方法。一种散热结构包括发热元件以及在发热元件上以将产生自发热元件的热消散至外部的散热膜。散热膜可以包括GQD。