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公开(公告)号：CN106847812B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201610884035.5
申请日：2016-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：鳍型有源区域，从基板突出并具有在第一水平面处的上表面；纳米片，平行于鳍型有源区域的上表面延伸并包括沟道区域，纳米片位于与鳍型有源区域的上表面间隔开的第二水平面处；栅极，设置在鳍型有源区域上并围绕纳米片的至少一部分，栅极在交叉鳍型有源区域的方向上延伸；栅极介电层，设置在纳米片和栅极之间；源极和漏极区域，形成在鳍型有源区域上并连接到纳米片的一端；第一绝缘间隔物，在纳米片上，第一绝缘间隔物覆盖栅极的侧壁；以及第二绝缘间隔物，设置在栅极与源极和漏极区域之间且在鳍型有源区域的上表面和纳米片之间的空间中，第二绝缘间隔物具有多层结构。
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公开(公告)号：CN107068680B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201710063574.7
申请日：2017-02-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及集成电路器件。一种集成电路器件包括：在衬底的有源区上的栅线；在栅线两侧于有源区中的一对源/漏区域；在所述对源/漏区域当中的至少一个源/漏区域上的接触插塞；以及在栅线和接触插塞之间的多层结构绝缘间隔物。多层结构绝缘间隔物可以包括：氧化物层；第一含碳绝缘层，其覆盖氧化物层的邻近于栅线的第一表面；以及第二含碳绝缘层，其覆盖氧化物层的邻近于接触插塞的第二表面，第二表面与氧化物层的第一表面相反。
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公开(公告)号：CN110416061A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910292773.4
申请日：2019-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , C23C16/04 , C23C16/30 , C23C16/455
Abstract: 提供了一种形成低k层的方法和形成半导体装置的方法，所述形成低k层的方法包括通过将硅源、碳源、氧源和氮源提供到基底上来形成层。形成层的步骤包括多个主循环，每个主循环包括提供硅源、提供碳源、提供氧源以及提供氮源，提供硅源、提供碳源、提供氧源和提供氮源中的每个执行至少一次。每个主循环包括交替执行提供碳源和提供氧源的子循环。
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公开(公告)号：CN108695255A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201711120779.0
申请日：2017-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
CPC classification number: H01L21/02656 , C23C16/30 , C23C16/345 , C23C16/347 , C23C16/36 , C23C16/45525 , C23C16/45531 , C23C16/45542 , C23C16/458 , C23C16/56 , H01L21/02057 , H01L21/02126 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02381 , H01L21/02642 , H01L21/28088 , H01L21/823842 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/785 , H01L21/823431 , H01L21/823468 , H01L27/0886
Abstract: 一种制造集成电路装置的方法和一种根据该方法制造的集成电路装置，所述方法包括：在基底的有源区上形成氧碳氮化硅(SiOCN)材料层，形成SiOCN材料层包括使用具有硅(Si)原子与碳(C)原子之间的键的前驱体；蚀刻有源区的一部分，以在有源区中形成凹部；在氢(H2)气氛下以大约700℃至大约800℃焙烧凹部的表面，并在执行焙烧的同时将SiOCN材料层暴露于焙烧的气氛；以及从在氢气氛下焙烧的凹部的表面生长半导体层。
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公开(公告)号：CN106847812A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201610884035.5
申请日：2016-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L29/4991 , H01L29/0673 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66742 , H01L29/78696 , H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/823481
Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：鳍型有源区域，从基板突出并具有在第一水平面处的上表面；纳米片，平行于鳍型有源区域的上表面延伸并包括沟道区域，纳米片位于与鳍型有源区域的上表面间隔开的第二水平面处；栅极，设置在鳍型有源区域上并围绕纳米片的至少一部分，栅极在交叉鳍型有源区域的方向上延伸；栅极介电层，设置在纳米片和栅极之间；源极和漏极区域，形成在鳍型有源区域上并连接到纳米片的一端；第一绝缘间隔物，在纳米片上，第一绝缘间隔物覆盖栅极的侧壁；以及第二绝缘间隔物，设置在栅极与源极和漏极区域之间且在鳍型有源区域的上表面和纳米片之间的空间中，第二绝缘间隔物具有多层结构。
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公开(公告)号：CN117641892A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311007761.5
申请日：2023-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：多条位线，布置在基底上，并且沿第一水平方向延伸；模制绝缘层，布置在位线上，并且包括分别沿第二水平方向延伸的多个开口；多个沟道层，在模制绝缘层的每个开口中分别布置在位线上并且包括第一竖直延伸部分；多个钝化层，相应地布置在每个竖直延伸部分上；栅极绝缘层，布置成面向每个竖直延伸部分且使每个钝化层位于栅极绝缘层与竖直延伸部分之间；以及多条字线，在栅极绝缘层上沿第二水平方向延伸，并且包括相应地布置在模制绝缘层的每个开口的第一侧壁上的第一字线和相应地布置在模制绝缘层的每个开口的第二侧壁上的第二字线。
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公开(公告)号：CN107968119B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201710217824.8
申请日：2017-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件至少包括第一线图案、栅电极、半导体图案、栅绝缘层和第一间隔物。第一线图案在衬底上并与衬底分隔开。栅电极围绕第一线图案并交叉第一线图案。半导体图案在第一线图案的两侧，并且半导体图案包括交叠第一线图案的部分。栅绝缘层设置在栅电极与第一线图案之间，并且栅绝缘层围绕第一线图案。第一间隔物在第一线图案与衬底之间，并且第一间隔物在栅绝缘层与半导体图案之间。
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公开(公告)号：CN115996576A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211272066.7
申请日：2022-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括：形成模结构，该模结构包括交替地且重复地堆叠在基板上的绝缘层和牺牲层；形成延伸穿过模结构的沟道孔；在沟道孔中形成阻挡层；在阻挡层上形成电荷存储层；在电荷存储层上形成包括掺杂元素的隧道绝缘层；执行热处理以使掺杂元素从隧道绝缘层扩散到电荷存储层；以及在隧道绝缘层上形成沟道层。
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公开(公告)号：CN115700921A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202210846269.6
申请日：2022-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置包括：导线，其在基板上在第一方向上延伸；第一氧化物半导体层，其在导线上包括包含第一金属元素的第一结晶氧化物半导体材料；第二氧化物半导体层，其在导线上与第一氧化物半导体层物理接触并连接到导线；栅电极，其在第二氧化物半导体层的侧部在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及电容器结构，其在第二氧化物半导体层和栅电极上连接到第二氧化物半导体层，其中，第二氧化物半导体层包括包含第一金属元素以及不同于第一金属元素的第二金属元素和第三金属元素的第二结晶氧化物半导体材料。
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