公开(公告)号：CN101821853B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200880111016.2

申请日：2008-09-19

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鸟居克行 ,  盐见新

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/60 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3754 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20306 ,  H01L2924/20307 ,  H01L2924/20308 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供能确保焊接强度并且能防止伴随着焊接的层间绝缘膜(12)的破坏及电极(13)的破坏且能提高电气特性的半导体器件及其制造方法。搭载在半导体器件上的半导体元件(1)具有层间绝缘膜(12)，该具有层间绝缘膜延伸部(121)、连接部(122)及开口部(123)，其中，该延伸部覆盖栅电极(116)上并在第一方向延伸，该连接部在第一方向隔开一定间隔地连接在第二方向邻接的延伸部彼此，该开口部由延伸部和连接部规定开口形状并露出上述基区(112)的主面和发射区(113)的主面。另外，连接部(122)下的在第一方向的第二宽度尺寸(122W)设定为比层间绝缘膜(12)的延伸部(121)下的发射区(113)的第二方向的第一宽度尺寸(121W)大。

公开(公告)号：CN101842903A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200980100856.3

申请日：2009-06-08

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鸟居克行 ,  杉山欣二

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明公开一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置具有：第一半导体层(1)、在第一半导体层(1)上形成的第二半导体层(4)、在第二半导体(4)上以岛状形成的第三半导体层(5)、在第二半导体层(4)及第三半导体层(5)上形成的绝缘膜(7)、在绝缘膜(7)上形成的控制电极(21)、与第二半导体层(4)及第三半导体层(5)电连接的第一主电极(22)、与第一半导体层(1)电连接且具有Pd的第二主电极(23)。

公开(公告)号：CN101821853A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200880111016.2

申请日：2008-09-19

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鸟居克行 ,  盐见新

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/60 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3754 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20306 ,  H01L2924/20307 ,  H01L2924/20308 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供能确保焊接强度并且能防止伴随着焊接的层间绝缘膜(12)的破坏及电极(13)的破坏且能提高电气特性的半导体器件及其制造方法。搭载在半导体器件上的半导体元件(1)具有层间绝缘膜(12)，该具有层间绝缘膜延伸部(121)、连接部(122)及开口部(123)，其中，该延伸部覆盖栅电极(116)上并在第一方向延伸，该连接部在第一方向隔开一定间隔地连接在第二方向邻接的延伸部彼此，该开口部由延伸部和连接部规定开口形状并露出上述基区(112)的主面和发射区(113)的主面。另外，连接部(122)下的在第一方向的第二宽度尺寸(122W)设定为比层间绝缘膜(12)的延伸部(121)下的发射区(113)的第二方向的第一宽度尺寸(121W)大。

公开(公告)号：CN101040386B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200680001013.4

申请日：2006-03-22

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鸟居克行

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L25/04 ,  H01L27/00 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L25/071 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L29/7395 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00012

Abstract: 能够通过焊锡良好地固定下部IGBT和上部IGBT，同时牢固地连接下部IGBT和引线，形成可靠性高的半导体器件。具备：形成在下部IGBT(1)的下部电极层(5)、形成在下部电极层(5)上的上部电极层(6)、固定在上部电极层(6)的上部半导体元件(2)、以及连接上部电极层(6)和上部IGBT(2)的焊锡(7)。由不同的材质构成下部电极层(5)和上部电极层(6)，在下部电极层(5)的上面(5a)设置从设在上部电极层(6)的缺口部部分地露出在外部的接线区域(15)，在接线区域(15)连接细线(8)。可以利用焊锡附着性出色的材质形成上部电极层(6)，利用与引线(8)连接强度高的材质形成下部电极层(5)。

公开(公告)号：CN101223644B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680025644.X

申请日：2006-03-22

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鸟居克行

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/04 ,  H01L25/04 ,  H01L27/00 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/071 ,  H01L27/0688 ,  H01L29/7395 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 在不连接外附二极管使半导体装置小型化的同时防止通过电路产生的热集中在半导体基体的中央侧。顺序叠层的第一IGBT(1)以及第二IGBT(2)的第一基极区域(16)，具有接近各半导体基体(31)的侧面(31c)的周边部(26)。各IGBT(1，2)具有邻接N型的第一基极区域形成二极管(21)的P型的周边基极区域(27)和在第一基极区域(16)的周边部(26)的上表面(26a)上形成的二极管电极(24)，将各IGBT(1，2)的二极管电极(24)和集电极电极(23)在电气上进行连接。在半导体装置导通时，在与侧面(31c)分离的半导体基体(31)的中央侧流过电流，但是在半导体装置关断时发生反向电流时，反向电流接近半导体基体(31)的侧面(31c)流动。

公开(公告)号：CN100483710C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200680000196.8

申请日：2006-02-17

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鸟居克行 ,  金泽正喜

IPC: H01L25/07

CPC classification number: H01L25/071 ,  H01L25/074 ,  H01L25/16 ,  H01L29/7395 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体器件(10)具有：设置在基板(16)上的第一晶体管(11)、隔着散热层(17)设置在第一晶体管(11)上的第二晶体管(12)、设置在基板(16)上的第三晶体管(13)以及隔着散热层(17)设置在第三晶体管(13)上的第四晶体管(14)。第一晶体管(11)具有：第一区域，其与设置第二晶体管的区域相对应；以及第二区域，其包围第一区域地形成，其中，发射区占基区的面积比例大于第一区域。第三晶体管(13)也与第一晶体管(11)一样，具有发射区占基区的面积比例不同的区域。

公开(公告)号：CN101223644A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200680025644.X

申请日：2006-03-22

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鸟居克行

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/04 ,  H01L25/04 ,  H01L27/00 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/071 ,  H01L27/0688 ,  H01L29/7395 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 在不连接外附二极管使半导体装置小型化的同时防止通过电路产生的热集中在半导体基体的中央侧。顺序叠层的第一IGBT(1)以及第二IGBT(2)的第一基极区域(16)，具有接近各半导体基体(31)的侧面(31c)的周边部(26)。各IGBT(1，2)具有邻接N型的第一基极区域形成二极管(21)的P型的周边基极区域(27)和在第一基极区域(16)的周边部(26)的上表面(26a)上形成的二极管电极(24)，将各IGBT(1，2)的二极管电极(24)和集电极电极(23)在电气上进行连接。在半导体装置导通时，在与侧面(31c)分离的半导体基体(31)的中央侧流过电流，但是在半导体装置关断时发生反向电流时，反向电流接近半导体基体(31)的侧面(31c)流动。

公开(公告)号：CN109994445B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201711470436.7

申请日：2017-12-29

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鸟居克行

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/495

Abstract: 本申请实施例提供一种半导体元件和半导体装置，该半导体元件的表面呈四边形，该半导体元件具有用于接收控制信号的栅极焊盘，其中，栅极焊盘的数量为至少两个，其中，至少两个所述栅极焊盘被分别设置在所述四边形的一边的两端部。根据本申请，在制造半导体装置时，不需要准备栅极焊盘位置不同的半导体元件，从而降低了制造半导体装置的复杂度。

公开(公告)号：CN105474399B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201580001596.X

申请日：2015-01-14

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鸟居克行

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/732 ,  H01L29/739

Abstract: 具有：第1导电类型的集电区；第2导电类型的场截止区，其配置在集电区之上；第2导电类型的漂移区，其配置在场截止区之上，且杂质浓度低于场截止区；第1导电类型的基区，其配置在漂移区之上；第2导电类型的发射区，其配置在基区之上，场截止区的膜厚方向的杂质浓度梯度与集电区相邻的区域中大于与漂移区相邻的区域。

公开(公告)号：CN104124271B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201310154379.7

申请日：2013-04-28

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鸟居克行

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明提供半导体装置，其具有：具有一个主面和另一个主面的半导体衬底；在上述半导体衬底内形成的p型集电区；在上述半导体衬底内配置于上述集电区上的n型漂移区；在上述半导体衬底内配置于上述漂移区上的p型基区；在上述半导体衬底内彼此离开而局部地配置于上述基区上而与上述基区构成pn结的n型发射区；以及从上述半导体衬底的一个主面贯穿上述发射区和上述基区的多个槽，上述基区与上述发射区双方在上述半导体衬底的一个主面交替地与上述槽延伸的侧壁面接触，该半导体装置具有孔，该孔在上述槽与上述槽之间离开上述槽并与上述槽延伸的方向平行地延伸，其深度为从上述半导体衬底的一个主面贯穿上述发射区的深度。