公开(公告)号：CN101842903A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200980100856.3

申请日：2009-06-08

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鸟居克行 ,  杉山欣二

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明公开一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置具有：第一半导体层(1)、在第一半导体层(1)上形成的第二半导体层(4)、在第二半导体(4)上以岛状形成的第三半导体层(5)、在第二半导体层(4)及第三半导体层(5)上形成的绝缘膜(7)、在绝缘膜(7)上形成的控制电极(21)、与第二半导体层(4)及第三半导体层(5)电连接的第一主电极(22)、与第一半导体层(1)电连接且具有Pd的第二主电极(23)。