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公开(公告)号：CN101395304B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200780007910.0
申请日：2007-03-09
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: H05K3/384 , C25D1/04 , C25D3/38 , C25D5/16 , C25D5/18 , C25D5/48 , C25D7/06 , H05K2201/0355 , H05K2203/0307 , H05K2203/0723 , H05K2203/1476 , Y10T428/12438 , Y10T428/12451 , Y10T428/12472 , Y10T428/12882 , Y10T428/12903 , Y10T428/12993 , Y10T428/24355 , Y10T428/24917
Abstract: 本发明的目的在于提供一种表面处理电解铜箔及其制造方法，该表面处理电解铜箔具有与以往供给市场的低轮廓表面处理电解铜箔同等水平以上的低轮廓，且对布线直线性有影响的波纹小。为了达到该目的，制造与绝缘层构成材料的粘接面的波纹的最大高低差(Wmax)为0.05μm～0.7μm、凹凸的最大高低差(PV)为0.05～1.5μm、表面粗糙度(Rzjis)为0.1μm～1.0μm的表面处理电解铜箔。用于该表面处理电解铜箔的制造中的电解铜箔，采用如下的电解条件加以制造：采用添加3—巯基—1—丙磺酸或双(3—磺丙基)二硫化物和具有环状结构的季铵盐聚合物以及氯而得到的硫酸类铜电解液，用表面粗糙度小的阴极，以不同的两个标准以上的电流密度来实施连续的第一步电解至第n步电解。
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公开(公告)号：CN101297067A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200680039678.4
申请日：2006-10-31
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可有效形成比以往市场上供应的低轮廓电解铜箔的轮廓更低且机械强度优良的电解铜箔的制造方法。为了达成上述目的，采用了下述电解铜箔的制造方法等，其电解含有具有环状结构的季铵盐聚合物和氯的硫酸系铜电解液来得到电解铜箔，上述硫酸系铜电解液中含有的季铵盐聚合物使用二聚体以上的DDAC聚合物。另外，在该季铵盐聚合物中，优选使用数均分子量为300～10000的二烯丙基二甲基氯化铵。另外，上述硫酸系铜电解液优选含有双(3－磺丙基)二硫化物或者含有具有巯基的化合物3－巯基－1－丙磺酸。
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公开(公告)号：CN114901873B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202180007696.9
申请日：2021-01-14
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供：具有高度的平滑性、且呈现适于柔性基板的高柔软性(尤其以180℃进行1小时退火后的高柔软性)的电解铜箔。该电解铜箔的至少一个表面的微观不平度十点高度Rz为0.1μm以上且2.0μm以下，通过电子背散射衍射法(EBSD)对该电解铜箔进行截面解析的情况下，铜晶粒占据的观察视野的面积中满足以下全部条件的铜晶粒所占的面积的比率为63％以上：i)沿(101)取向；ii)长宽比为0.500以下；iii)将电解铜箔的电极面的法线与铜晶粒的长轴所呈的角度设为θ(°)时，|sinθ|为0.001以上且0.707以下；以及iv)对晶体进行椭圆近似时的短轴长度为0.38μm以下。
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公开(公告)号：CN114901872B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202180007684.6
申请日：2021-01-14
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供：具有高度的平滑性、且呈现适于柔性基板的高柔软性(尤其以180℃进行1小时退火后的高柔软性)的电解铜箔。该电解铜箔的至少一个表面的微观不平度十点高度Rz为0.1μm以上且2.0μm以下，在未经退火的常态下，依据IPC‑TM‑650测得的抗拉强度为56kgf/mm2以上且低于65kgf/mm2，并且，以180℃进行1小时退火后的、依据IPC‑TM‑650测得的抗拉强度为15kgf/mm2以上且低于25kgf/mm2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113646469A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202080023976.4
申请日：2020-03-09
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供一种印刷电路板制造用金属箔，其即使在穿孔后进行化学溶液处理的情况下，也能够抑制晶种层缺损的发生。另外，提供一种印刷电路板制造用金属箔，其即使在进行了高温压制加工的情况下，也会有效地防止金属等从第一蚀刻牺牲层向晶种层的扩散，其结果能够发挥蚀刻牺牲层原本具有的牺牲效果。该印刷电路板制造用金属箔依次具备第1蚀刻牺牲层、第2蚀刻牺牲层和铜层，将所述第1蚀刻牺牲层的蚀刻速率相对于Cu的蚀刻速率之比设为r1、将所述第2蚀刻牺牲层的蚀刻速率相对于Cu的蚀刻速率之比设为r2时，满足r1＞r2＞1.0。
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公开(公告)号：CN108702847B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201780012182.6
申请日：2017-02-15
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种印刷电路板制造用铜箔，所述印刷电路板制造用铜箔可以在不另行需要追加的蚀刻工序的情况下、显著地降低Cu蚀刻的面内不均，其结果能抑制晶种层的缺失、电路凹痕的发生。该铜箔依次具备第一铜层、蚀刻牺牲层和第二铜层，蚀刻牺牲层的蚀刻速率相对于Cu的蚀刻速率之比r大于1.0。
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公开(公告)号：CN109072472B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201780023464.6
申请日：2017-03-28
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供在用于SAP法时可将不仅是镀覆电路密合性而且对化学镀铜的蚀刻性、及干膜分辨率也优异的表面轮廓赋予层叠体的表面处理铜箔。该表面处理铜箔在至少一侧具有处理表面。处理表面依据ISO25178所测定的峰顶点的算术平均曲率Spc为55mm‑1以上，将树脂薄膜热压接于处理表面从而将处理表面的表面形状转印至树脂薄膜的表面，并通过蚀刻去除表面处理铜箔时，残留的树脂薄膜的表面的依据ISO25178所测定的峰顶点的算术平均曲率Spc为55mm‑1以上。
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公开(公告)号：CN110382745A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880016577.8
申请日：2018-04-27
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供为适于细线电路形成的低粗糙度的粗糙化处理铜箔、并且该粗糙化处理铜箔在用于SAP法时能对层叠体赋予不仅对化学镀铜的蚀刻性及干膜分辨率优异、而且电路密合性也优异的表面轮廓。本发明的粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面，粗糙化处理面是具备多个具有收缩部分的一次粗糙化颗粒而成的，一次粗糙化颗粒在包含收缩部分的表面具有多个比一次粗糙化颗粒小的二次粗糙化颗粒，收缩部分的二次粗糙化颗粒的个数除以收缩部分的表面积所得的值即二次粗糙化颗粒密度为9～30个/μm2，并且粗糙化处理面的微观不平度十点高度Rz为0.7～1.7μm。
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公开(公告)号：CN109072472A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780023464.6
申请日：2017-03-28
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供在用于SAP法时可将不仅是镀覆电路密合性而且对化学镀铜的蚀刻性、及干膜分辨率也优异的表面轮廓赋予层叠体的表面处理铜箔。该表面处理铜箔在至少一侧具有处理表面。处理表面依据ISO25178所测定的峰顶点的算术平均曲率Spc为55mm-1以上，将树脂薄膜热压接于处理表面从而将处理表面的表面形状转印至树脂薄膜的表面，并通过蚀刻去除表面处理铜箔时，残留的树脂薄膜的表面的依据ISO25178所测定的峰顶点的算术平均曲率Spc为55mm-1以上。
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