-
公开(公告)号：CN110072334B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201910236053.6
申请日：2016-01-20
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明提供在覆铜层叠板的加工～印刷电路板的制造中能够兼顾微细电路形成性和激光加工性的带载体的极薄铜箔及其制造方法。本发明的带载体的极薄铜箔依次具备载体箔、剥离层和极薄铜箔。极薄铜箔的剥离层一侧的表面的表面峰间的平均距离(Peak spacing)为20μm以下，且极薄铜箔的与剥离层相反一侧的表面的波纹度的最大高低差(Wmax)为1.0μm以下。
-
公开(公告)号：CN108464062B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201780006592.X
申请日：2017-02-15
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供：在不另行需要追加的蚀刻工序的情况下、通过Cu蚀刻能在面内均匀地进行铜层的蚀刻、且能抑制局部的电路凹痕的发生的、印刷电路板的制造方法。该制造方法包括如下工序：使用依次具备表面铜层和蚀刻牺牲层的金属箔、或依次具备表面铜层、蚀刻牺牲层和追加铜层的金属箔得到支撑体的工序；在表面铜层上形成至少包含铜制的第一布线层和绝缘层的积层布线层，得到带积层布线层的层叠体的工序；和，利用蚀刻液将表面铜层和蚀刻牺牲层、或表面铜层、蚀刻牺牲层和追加铜层去除，使第一布线层露出，由此得到包含积层布线层的印刷电路板的工序。蚀刻牺牲层的蚀刻速率高于Cu。
-
公开(公告)号：CN118765232A9
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202380023827.1
申请日：2023-03-14
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供能够抑制操作时金属箔断裂或龟裂的产生的带载体的金属箔。该带载体的金属箔依次具备载体、剥离层和金属箔，载体的拉伸强度为50.0kgf/mm2以上，并且金属箔的拉伸强度为50.0kgf/mm2以上。
-
公开(公告)号：CN111886367B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201980020819.5
申请日：2019-03-20
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明提供一种粗糙化处理铜箔，其为适于细线电路形成的低粗糙度的粗糙化处理铜箔，并且在用于SAP法的情况下，能够赋予层叠体不仅对化学镀铜层的蚀刻性和干膜分辨率优异、而且从抗剪强度的观点来看电路密合性也优异的表面轮廓。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面，粗糙化处理面具备多个粗糙化颗粒而成，粗糙化处理铜箔的长度10μm的截面中的粗糙化颗粒的周长L(μm)的平方相对于粗糙化颗粒的面积S(μm2)之比L2/S的平均值为16以上且30以下，并且，粗糙化处理面的微观不平度十点高度Rz为0.7μm以上且1.7μm以下。
-
公开(公告)号：CN113574977A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202080022027.4
申请日：2020-03-17
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H05K3/18
Abstract: 提供有效地抑制图案不良、且微细电路形成性也优异的印刷电路板的制造方法。该印刷电路板的制造方法包括以下工序：准备具备粗糙面的绝缘基材的工序；对绝缘基材的粗糙面进行化学镀，从而形成厚度小于1.0μm的化学镀层的工序，所述化学镀层具有依据JIS B0601‑2001测定的算术平均波纹度Wa为0.10μm以上且0.25μm以下、并且依据ISO25178测定的峭度Sku为2.0以上且3.5以下的表面；在化学镀层的表面层叠光致抗蚀层的工序；进行曝光及显影，从而形成抗蚀图案的工序；对化学镀层进行电镀的工序；将抗蚀图案剥离的工序；以及，利用蚀刻将化学镀层的不需要的部分去除，从而形成布线图案的工序。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112424399A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980047289.3
申请日：2019-07-25
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供在覆铜层叠板的加工和/或印刷电路板的制造中可兼顾优异的蚀刻性和高抗剪强度的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔是在至少一侧具有粗糙化处理面的粗糙化处理铜箔，粗糙化处理面依据ISO25178测定的最大高度Sz为0.65～1.00μm、依据ISO25178测定的界面扩展面积比Sdr为1.50～4.20、依据ISO25178测定的峰顶点密度Spd为6.50×106～8.50×106个/mm2。
-
公开(公告)号：CN106332458B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610100065.2
申请日：2016-02-24
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Inventor： 高梨哲聪
Abstract: 本发明提供一种即使施加高温且长时间的热过程也能抑制载体箔的剥离强度的上升、即剥离强度稳定化的带载体的铜箔。带载体的铜箔，其是依次设置有载体箔、剥离层和极薄铜箔的带载体的铜箔，其中，剥离层包含5‑羧基苯并三唑(5CBTA)和/或4‑羧基苯并三唑(4CBTA)，剥离层中5‑羧基苯并三唑的附着量相对于4‑羧基苯并三唑的附着量之比、即5CBTA/4CBTA比为3.0以上。
-
公开(公告)号：CN108702847A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780012182.6
申请日：2017-02-15
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种印刷电路板制造用铜箔，所述印刷电路板制造用铜箔可以在不另行需要追加的蚀刻工序的情况下、显著地降低Cu蚀刻的面内不均，其结果能抑制晶种层的缺失、电路凹痕的发生。该铜箔依次具备第一铜层、蚀刻牺牲层和第二铜层，蚀刻牺牲层的蚀刻速率相对于Cu的蚀刻速率之比r大于1.0。
-
公开(公告)号：CN115038818A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202180012212.X
申请日：2021-01-20
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C25D7/06
Abstract: 提供在覆铜层叠板的加工和/或印刷电路板的制造中能兼顾优异的高频特性和高的抗剪强度的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。粗糙化处理面的依据ISO25178在基于S滤波器的截止波长为0.55μm以及基于L滤波器的截止波长为10μm的条件下测定的界面扩展面积比Sdr为0.50％以上且7.00％以下。该粗糙化处理铜箔的依据ISO25178在基于S滤波器的截止波长为3.0μm以及基于L滤波器的截止波长为10μm的条件下测定的峰顶点密度Spd为2.00×104mm‑2以上且3.30×104mm‑2以下。
-
公开(公告)号：CN110382745B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201880016577.8
申请日：2018-04-27
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供为适于细线电路形成的低粗糙度的粗糙化处理铜箔、并且该粗糙化处理铜箔在用于SAP法时能对层叠体赋予不仅对化学镀铜的蚀刻性及干膜分辨率优异、而且电路密合性也优异的表面轮廓。本发明的粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面，粗糙化处理面是具备多个具有收缩部分的一次粗糙化颗粒而成的，一次粗糙化颗粒在包含收缩部分的表面具有多个比一次粗糙化颗粒小的二次粗糙化颗粒，收缩部分的二次粗糙化颗粒的个数除以收缩部分的表面积所得的值即二次粗糙化颗粒密度为9～30个/μm2，并且粗糙化处理面的微观不平度十点高度Rz为0.7～1.7μm。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
34
records
(took 0.025 seconds)
