公开(公告)号：CN110072334B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201910236053.6

申请日：2016-01-20

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 花田徹 ,  高梨哲聪 ,  松永哲广 ,  立冈步

IPC: H05K1/09 ,  H05K3/02 ,  C25D5/48 ,  C25D1/04 ,  C25D3/12 ,  C25D3/38

Abstract: 本发明提供在覆铜层叠板的加工～印刷电路板的制造中能够兼顾微细电路形成性和激光加工性的带载体的极薄铜箔及其制造方法。本发明的带载体的极薄铜箔依次具备载体箔、剥离层和极薄铜箔。极薄铜箔的剥离层一侧的表面的表面峰间的平均距离(Peak spacing)为20μm以下，且极薄铜箔的与剥离层相反一侧的表面的波纹度的最大高低差(Wmax)为1.0μm以下。

公开(公告)号：CN107002265B

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201680003775.1

申请日：2016-01-20

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 花田徹 ,  高梨哲聪 ,  松永哲广 ,  立冈步

IPC: C25D1/04 ,  B32B15/08 ,  B32B15/20 ,  C25D5/16 ,  C25D7/06 ,  H05K1/09

Abstract: 本发明提供在覆铜层叠板的加工～印刷电路板的制造中能够兼顾微细电路形成性和激光加工性的带载体的极薄铜箔。本发明的带载体的极薄铜箔依次具备载体箔、剥离层和极薄铜箔。极薄铜箔的剥离层一侧的表面的表面峰间的平均距离(Peak spacing)为20μm以下，且极薄铜箔的与剥离层相反一侧的表面的波纹度的最大高低差(Wmax)为1.0μm以下。

公开(公告)号：CN110072334A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910236053.6

申请日：2016-01-20

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 花田徹 ,  高梨哲聪 ,  松永哲广 ,  立冈步

IPC: H05K1/09 ,  H05K3/02 ,  C25D5/48 ,  C25D1/04 ,  C25D3/12 ,  C25D3/38

Abstract: 本发明提供在覆铜层叠板的加工～印刷电路板的制造中能够兼顾微细电路形成性和激光加工性的带载体的极薄铜箔及其制造方法。本发明的带载体的极薄铜箔依次具备载体箔、剥离层和极薄铜箔。极薄铜箔的剥离层一侧的表面的表面峰间的平均距离(Peak spacing)为20μm以下，且极薄铜箔的与剥离层相反一侧的表面的波纹度的最大高低差(Wmax)为1.0μm以下。

公开(公告)号：CN107002265A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201680003775.1

申请日：2016-01-20

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 花田徹 ,  高梨哲聪 ,  松永哲广 ,  立冈步

IPC: C25D1/04 ,  B32B15/08 ,  B32B15/20 ,  C25D5/16 ,  C25D7/06 ,  H05K1/09

CPC classification number: B32B15/08 ,  B32B15/20 ,  C25D1/04 ,  C25D5/16 ,  C25D7/06 ,  H05K1/09

Abstract: 本发明提供在覆铜层叠板的加工～印刷电路板的制造中能够兼顾微细电路形成性和激光加工性的带载体的极薄铜箔。本发明的带载体的极薄铜箔依次具备载体箔、剥离层和极薄铜箔。极薄铜箔的剥离层一侧的表面的表面峰间的平均距离(Peak spacing)为20μm以下，且极薄铜箔的与剥离层相反一侧的表面的波纹度的最大高低差(Wmax)为1.0μm以下。