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公开(公告)号：CN107546307A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710822147.2
申请日：2017-09-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，包括：衬底、缓冲层、非故意掺杂层、第一掺杂层、第一重掺杂层、第一欧姆接触层、第一高掺杂层、第一隔离层、第二掺杂层、第一电流阻挡层、有源区、第二电流阻挡层、第三掺杂层、第二欧姆接触层、透明导电层以及第一电极、第二电极和第二保护层；第二掺杂层包括第一平台，第一高掺杂层包括第二平台，第一欧姆接触层包括第三平台，且第一平台、第二平台、及第三平台的表面粗糙度不同；第一电极与第一平台、第二平台、以及第三平台直接接触，第一电极和第二电极通过第二保护层电性隔离。本发明中发光二级管的制作过程简单，降低了芯片的制作成本，并有效的解决了发光二极管电流拥挤的问题。
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公开(公告)号：CN107331742A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710596447.3
申请日：2017-07-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/0075 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/22
Abstract: 本申请提供一种发光二极管外延结构及其制作方法、发光二极管，其中，所述发光二极管外延结构制作方法包括：提供衬底；在衬底上依次外延生长缓冲层、第一型非故意掺杂层、第一型导电层、非掺杂层以及第二型导电层；刻蚀非掺杂层和第二型导电层，形成纳米柱结构；再次外延生长多量子阱层和电子阻挡层、第二型导电层。采用纳米柱结构替代传统的V-pits结构，由于纳米柱结构晶体质量好，且能够将第一型导电层和第二型导电层隔离，从而解决V-pits容易引起漏电而导致器件失效的问题。
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公开(公告)号：CN105355744B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201510912098.2
申请日：2015-12-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种倒装蓝绿发光二极管芯片，涉及发光二极管的生产技术领域，本发明包括依次设置在衬底一侧的外延层，第一电极连接在第一型欧姆接触层上，金属反射层设置在透明导电层之上，第二电极设置在金属反射层上，在第一电极和外延层之间设置电极隔离层，在芯片表面及侧面设置芯片保护层，第一型欧姆接触层至少包括两层第一型欧姆接触结构层，第一电极与各第一型欧姆接触结构层均连接。本发明通过在外延生长结构中设置不同第一型欧姆接触层，通过芯片结构设置台阶式第一型欧姆接触面，形成有效地电流扩展趋势，增强了第一型电流扩展效果，降低了工作电压，有效提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN104112805B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201410338035.6
申请日：2014-07-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有防扩层的发光二极管的制造方法，采用前期增加外延生长防扩层，后期二极管制作工艺中在防扩层之上形成金属反射镜，并在防扩层嵌入金属导电通道，通过采用氧化工艺将防扩层变成氧化物介质层，且与金属反射镜、导电通道构成复合的全方位反射效果，通过叠加布拉格反射层而组成的两部分复合结构，获得较高的发光亮度。采用此方法解决了传统倒置芯片制作过程中，在外延层蒸镀氧化膜工艺，外延层与氧化膜、金属反射镜存在材料界面容易剥离的问题，提高发光二极管的稳定性及生产制造过程的成品率。本发明还公开所述方法制造的具有防扩层的发光二极管，使外量子效率较高，且内部层结构连接较为稳定。
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公开(公告)号：CN105355732B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201510912092.5
申请日：2015-12-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种倒装蓝绿发光二极管芯片的制备方法，涉及发光二极管的生产技术领域，本发明工艺特点是：在制作第一型欧姆接触层时，采用不同三五族化合物外延生长形成至少两层第一型欧姆接触结构层；对各第一型欧姆接触结构层依次刻蚀，裸露出具有台阶状的第一型欧姆接触结构层；在步骤5）中第一电极分别与各第一型欧姆接触结构层连接。本发明通过在外延生长结构，设置不同材料的第一型欧姆接触层，通过芯片结构设置台阶式第一型欧姆接触面，形成有效地电流扩展趋势，增强了第一型电流扩展效果，降低了工作电压，有效提高发光二极管的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104332535B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410551438.9
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构，包括外延衬底、衬底保护层、氧化剥离层、外延保护层、金属反射层及外延发光结构；在外延衬底与外延发光结构之间设置氧化剥离层，氧化剥离层与外延发光结构之间设置外延保护层，氧化剥离层与外延衬底之间设置衬底保护层；在外延发光结构上设置金属反射层，在金属反射层上设置基板。本发明可以解决剥离二极管的外延衬底而导致外延层破损问题，从而可以重复利用衬底，节约成本。
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公开(公告)号：CN104576859B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201310489600.4
申请日：2013-10-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/10
Abstract: 本发明公开一种发光二极管结构，提供一衬底，在衬底的下表面具有第一电极，在衬底的上表面依次分布DBR反射层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及电流扩展层；第二电极形成于电流扩展层之上；DBR反射层中的低折射率层被局部氧化，且各低折射率层的氧化深度在DBR反射层的法向上由下而上渐变或者周期性变化。本发明氧化层氧化深度渐变或者周期性变化使射入DBR的光线发生弯曲，从而增加DBR的反射角度，提高DBR的反射率，使芯片的亮度得到提升。
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公开(公告)号：CN106206894A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610567043.7
申请日：2016-07-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/0075
Abstract: 本发明公开的一种具有高阻值GaN电流阻挡层的发光二极管，由衬底、基础GaN外延层、高阻值GaN电流阻挡层、透明导电层、顶电极和侧面电极组成；在衬底上依次生长基础GaN外延层和高阻值GaN外延层，将基础GaN外延层部分刻蚀掉形成台面，将高阻值GaN外延层部分刻蚀掉形成高阻值GaN电流阻挡层，在台面和高阻值GaN电流阻挡层上覆盖透明导电层，在透明导电层上设置与高阻值GaN电流阻挡层对应的顶电极，在台面的侧方设置侧面电极。本发明通过在基础GaN外延层上直接外延生长一层高阻值GaN外延层进而形成高阻值GaN电流阻挡层，从而解决了GaN外延层与电流阻挡层结合力较弱的问题，并且提高了发光二极管产品的制作效率，降低制作成本。
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公开(公告)号：CN106025793A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610557020.8
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01S5/0657 , H01S5/10 , H01S5/32341
Abstract: 本发明公开一种具有二次谐振腔的半导体激光器，衬底上由下至上依次外延缓冲层、第一型导电层、第一下波导层、有源区、第一上波导层和第二型导电层；缓冲层与第一型导电层之间通过外延生长设置一层第二下波导层，第二型导电层上通过外延生长设置一层第二上波导层。本发明采用匹配性材料Al(1‑x)HfxN直接外延生长,通过Al(1‑x)HfxN具有金属反射作用,形成二次谐振腔,有效提高半导体激光器的锁模及光效，同时提高激光的响应时间。
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公开(公告)号：CN103500784B
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201310443689.0
申请日：2013-09-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种近红外发光二极管的外延结构，在衬底层上依次生长第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；第二型电流扩展层由第一组成部分及第二组成部分组成，在第一组成部分和第二组成部分之间形成具有漫反射效果的接触界面。本发明还公开所述近红外发光二极管的外延生长工艺。本发明采用该外延生长工艺形成具有漫反射作用的电流扩展层的外延结构，明显地提高了外量子效率，使得近红外发光二极管能达到更大功率。
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