公开(公告)号：CN102881636A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210246826.7

申请日：2012-07-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 乌韦·霍克勒

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76886 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76867 ,  H01L23/53276 ,  H01L45/149 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S977/81 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种芯片、制造方法以及用于使碳层局部呈现传导性的方法。该芯片包括集成电路和碳层。碳层包括类石墨碳，其中，穿过类石墨碳的横向传导路径电气连接集成电路的两个电路元件。

公开(公告)号：CN102557017A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110389290.X

申请日：2011-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔秉龙 ,  李银京 ,  黄同穆

IPC: C01B31/04 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02381 ,  C01B32/182 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/02664 ,  Y10T428/13 ,  Y10T428/24273 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明提供了石墨烯结构及其形成方法。该石墨烯结构可以包括以三维(3D)形状形成的石墨烯，例如柱形、堆叠结构和三维连接的结构。石墨烯结构可以通过使用锗(Ge)形成。

公开(公告)号：CN102482797A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080039838.1

申请日：2010-09-07

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  东海炭素株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 藤冈洋 ,  平崎哲郎 ,  植仁志 ,  山下顺也 ,  羽鸟浩章

IPC: C30B29/38 ,  C23C14/06 ,  C23C14/14 ,  C30B29/06 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供具有结晶性高的半导体层的半导体基板。所述半导体基板为：具备石墨层和半导体层的半导体基板，所述石墨层由芳香族系四羧酸与芳香族系四胺缩合而得到的杂环高分子形成，所述半导体层设置于该石墨层的表面上、以该石墨层的表面作为生长面；具备表面具有石墨层的基板、缓冲层和半导体层的半导体基板，所述石墨层由芳香族系四羧酸与芳香族系四胺缩合而得到的杂环高分子形成，所述缓冲层设置于所述石墨层的表面上、以所述石墨层的表面作为生长面，所述半导体层设置于所述缓冲层上、以所述缓冲层的表面作为生长面。

公开(公告)号：CN101752434A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910225444.4

申请日：2009-12-14

Applicant: 宋健民

Inventor： 宋健民

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/028 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/03762 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02592 ,  H01L31/035245 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/076 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种具有纳米钻石量子井的太阳能电池及其制造方法，其提供由太阳能产生电力的材料、装置以及方法。在一方面，本发明包含太阳能电池，该太阳能电池具有第一导体、与该第一导体电性连接的掺杂的硅层、与该掺杂的硅层接触的纳米钻石层、与该纳米钻石层接触的掺杂的无晶钻石层以及与该掺杂的无晶钻石层电性连接的第二导体。透过本发明可提高太阳能电池的能源转换效率。

公开(公告)号：CN100474570C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200480018229.2

申请日：2004-06-09

Applicant: 英特尔公司

Inventor： K·拉维

IPC: H01L23/373 ,  C23C16/27 ,  H01L21/762

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/272 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02656 ,  H01L23/3732 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/01068 ,  Y10S438/931

Abstract: 描述了形成应变硅器件的方法以及所形成的结构。所述方法包括：在基本平整的涂覆金刚石的硅晶片的第一侧和第二侧上形成多晶硅层，其中基本平整的涂覆金刚石的硅晶片的第二侧包括缺陷；将硅器件层键合至多晶硅层的第一侧；和从基本平整的涂覆金刚石的硅晶片的第二侧移除缺陷，其中在硅器件层中导致了拉应变，这增加了应变硅器件层的电子迁移率。

公开(公告)号：CN104952983B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201410115532.X

申请日：2014-03-26

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  范守善

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L21/0237 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  Y10S977/842

Abstract: 本发明涉及一种外延结构的制备方法，包括以下步骤：提供一自支撑的碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个碳纳米管有序排列且通过范德华力相互连接；将所述碳纳米管膜悬空设置并进行表面处理，在所述多个碳纳米管的表面引入缺陷；采用原子层沉积法在所述表面处理后的碳纳米管膜的多个碳纳米管的表面生长一层纳米材料层；将生长有纳米材料层的碳纳米管膜进行退火处理，去除所述碳纳米管膜，形成多个纳米管，且所述多个纳米管有序排列且相互连接形成一自支撑的纳米管膜；将该纳米管膜设置于一基底的外延生长面；以及在所述基底的外延生长面生长一外延层。

公开(公告)号：CN107452841A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710787388.8

申请日：2017-09-04

Applicant: 湘能华磊光电股份有限公司

Inventor： 徐平

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L21/02 ,  C30B25/18

CPC classification number: H01L33/007 ,  C30B25/183 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/12

Abstract: 本申请公开了一种基于石墨烯的LED外延生长方法，依次包括：将蓝宝石衬底置于PECVD反应腔内依次生长：第一石墨烯薄膜层和第二石墨烯薄膜层，取出后，置于MOCVD反应腔内依次生长：掺杂Si的N型GaN层、周期性生长MQW有源层、P型AlGaN层、掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却。本发明通过将蓝宝石衬底置于PECVD反应腔内，采用两步沉积生长均匀的石墨烯薄膜作为缓冲层，解决晶格失配诱发的缺陷引起的异质外延生长难题，提高外延晶体质量，提升LED的光电性能。

公开(公告)号：CN104377114B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201310351839.5

申请日：2013-08-13

Applicant: 国家纳米科学中心

Inventor： 李振军 ,  白冰 ,  杨晓霞 ,  王小伟 ,  许应瑛 ,  戴庆 ,  裘晓辉

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/15

CPC classification number: H01L21/0259 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02532 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035218 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明涉及一种锗量子点的生长方法，所述方法为在石墨烯层上生长锗量子点。本发明在常规基底表面引入均匀性极高的石墨烯界面，在界面上实现了Ge量子点的生长，避免了为得到高质量界面对常规基底进行繁杂的清洗程序，简化了工艺流程；且保证了锗量子点的低杂质元素含量和低缺陷密度，且保证了锗量子点的自组织生长过程，形成了形貌统一和密度均匀的锗量子点。

公开(公告)号：CN106298457A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610841188.1

申请日：2016-09-22

Applicant: 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司

Inventor： 王文庆

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，特别涉及一种SiGe/Si外延片生长方法，包括以下步骤：提供并清洗单晶Si衬底；在单晶Si衬底的外延生长面设置一碳纳米管层；在碳纳米管层的表面形成掺碳缓冲层，所述掺碳缓冲层中碳含量小于1％；在所述掺碳缓冲层的表面形成晶种缓冲层；在所述晶种缓冲层表面形成SiGe外延层。本发明通过引入碳纳米管层以及掺碳缓冲层共同作用，减少了外延生长过程中的位错，减少了外延片缺陷，提高了锗硅外延片质量。

公开(公告)号：CN103779459B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201310488036.4

申请日：2013-10-17

Applicant: LG伊诺特有限公司

Inventor： 崔宰熏 ,  李范渊 ,  宋基荣 ,  崔洛俊

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/14 ,  H01L33/12 ,  H01L33/42 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/387 ,  H01L33/42 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/95

Abstract: 本发明公开了一种发光器件。所述发光器件包括纳米结构、设置在纳米结构上的第一半导体层、在第一半导体层上的有源层和设置在有源层上的第二导电半导体层。所述纳米结构包括设置在第一半导体层下方接触第一半导体层的石墨烯层和从石墨烯层的顶表面沿朝向第一半导体层的方向延伸并且接触第一半导体层的多个纳米构造物。